Plyonkali rezistorlar topologiyasini hisoblash va loyihalash Nazariy qism

Material	RKvad=om/Kvad	αR∙10^4,grad^-1	P0,Vt/sm^2
NRCT %
Xrom	50–500	0,6–1,8	1	2
Tantal	25–100	– 12	3	1
Tan	50–500	1	3	0,2
Nixrom	25–300	±1	2	1
MLT-ZM	50–500	0,6	2	±0,5
Kermet K-20C	(1–3) · 10^3	0,5	2	±1
Kermet K-50C	(3–10) ·10^3	– 5...+ 3	2	±1
Qotishmalar
PC4800	10^2–10^3	2	5	1
PC3710	50–3 ·10^3	– 1	5	0,5
PC3001	800–3 · 10^3	– 0,2	5	0,5
PC4400	(1–5) · 10^3	3	10	-
PC2005	(8–50) · 10^4	12	5	2
PC5400	5–100	0,5	2	1

85 °Cda 1 Vt / sm² yuk ostida 1000 soatlik ishlagandan keyin.

Yupqa plyonkali rezistorlar topologiyasini hisoblash va loyihalash
Yupqa plyonkali rezistorlarni konstruktiv hisoblash va geometrik o'lchamlarning shaklini substrat qilingan minimal maydonni aniqlashdan iborat. Bunday holda rezistorlar ta'minlashi kerak mavjud texnologik imkoniyatlar sharoitida ishlab chiqarishning talab qilinadigan aniqligini ta'minlashda berilgan quvvatni yo'qotishdan iborat.
Hisoblash uchun dastlabki ma'lumotlar:
R_N-nominal qarshilik-Om;
N_R-nominal chidamliylik %;
P_N -tarqalish quvvati mVt;
P_ruxsat-ruxsat etilgan tarqalish quvvati mVt;
N_RK,N_KF,N_Rk,N_RT va N_RCT-nisbiy xatoliklar;
Δl, Δb – mutlaq ishlab chiqarish xatolari 1 va b, mkm
Plyonka qarshiligini hisoblash tartibi
1.1-jadvalga ko'ra, rezistiv plyonkaning materiali tanlanadi. Materialni tanlash mezonlari - αR, N_R, K_CT ning minimal qiymatlari va optimal qiymatlar ρ, d, P₀. Rezistorlar guruhini hisoblashda rezistorlar ostidagi minimal maydon nuqtai nazaridan optimal bo'lgan R_K plyonka kvadratining qarshiligi formula bilan aniqlanadi:
(7)
Bu erda n - rezistorlar soni, R_Hi-i-gacha bo’lgan rezistorning nominal qiymati
Agar bitta Germaniyli integral mikrosxemalarda yuqori qarshilikli va past qarshilikli rezistorlarni o'z ichiga olsa, ya'ni (Rmax / Rmin) ≥ 200 bo'lsa, u holda ikkita rezistiv materialdan foydalanish mumkin (garchi istalmagan bo'lsa ham).
2.Ular rezistorlarning belgilangan ishlab chiqarish aniqligi va barqarorligini ta'minlash nuqtai nazaridan materialni tanlashning to'g'riligini tekshiradilar.
Buning uchun (5) ifodadan N_KFruxsat koeffitsientining ruxsat etilgan xatoligi aniqlanadi.


N_KFruxsat=N_R-N_RK-N_RT-N_RCT-N_Rk

Agar N_KF ruxsat qiymati manfiy bo'lib chiqsa, bu shuni anglatadi tanlangan materialdan ma'lum bir aniqlikdagi rezistorni ishlab chiqarish mumkin emas. Bunday holda, boshqa N_RK, N_RCT va N_RT bilan boshqa materialni tanlash kerak

3. (1) nisbatdan foydalanib, K_F rezistorining forma faktorini aniqlang. Agar1 ≤ K_F ≤10 bo'lsa, chiziqni loyihalash tavsiya etiladi qarshilik konfiguratsiyasi (1-rasm, a); K_F qiymatlari K_F > 10 bilan murakkab shakldagi rezistor (1-rasm, b, c, d); 0,3 ≤ K_F ≤1 to'rtburchak rezistorda, uzunligi kengligidan kichik bo'lgan (1-rasm,). K_F < 0,3 bo'lgan rezistorni loyihalash tavsiya etilmaydi. Bunday holda, ichki kontakt yostig'i bilan rezistorli dizayndan foydalanish mumkin (1-rasm, e).
Agar bir xil sxemada past va yuqori qarshilikli rezistorlar mavjud bo'lsa,keyin ikkita qarshilikka chidamli materialdan foydalanish mumkin, garchi bu IC ishlab chiqarish texnologiyasini murakkablashtirsada.
4.Keyingi hisoblash rezistorlar shakliga qarab amalga oshiriladi.