Электростатика

волнами пространственного заряда
(ВПЗ). Так для GaAs в сильном (около 3,5 ∙ 10
3
В/см) электри-
ческом поле возникают волны пространственного заряда, дви-
жущиеся со скоростью около 10 м/с. Фазовая скорость ВПЗ 
совпадает со скоростью дрейфа носителей заряда 
v
др
. Дисперсия 
ВПЗ несущественна вплоть до частоты 50 ГГц. 
Волны пространственного заряда могут усиливаться при 
распространении. Этими волнами можно управлять, меняя век-
тор скорости дрейфа носителей. Длина когерентности в тонких 
полупроводниковых слоях может на два порядка превышать 
длину волны ВПЗ. Такие свойства ВПЗ как динамических неод-
нородностей делают их весьма перспективными в устройствах 
функциональной электроники. 
В другом типе полупроводников наблюдается падение 
удельного сопротивления с ростом напряженности электриче-
ского поля(рис. 4.1, 
б
). Этот тип полупроводников относят к 
полупроводникам с ОДС. Приборы, изготовленные на основе 
таких полупроводников, имеют 
S
-образную характеристику с 
положительной обратной связью по току (рис. 4.1, 
г
). В прибо-
рах с 
S
-образными ВАХ возникают динамические неоднород-
ности с высокой плотностью тока, называемые
токовыми шну-
рами
(рис. 4.1, 
е
). Токовые шнуры могут быть использованы в 

---

108 
качестве динамических неоднородностей только при условии, 
если плотность тока в шнуре существенно меньше значения со-
ответствующего пробою полупроводника и последующему не-
обратимому процессу его разрушения. 
В полупроводниках, обладающих пьезоэлектрическими 
свойствами (Те, Se,CdS,CdSe, ZnO, GaAs, InSb), в результате 
электрон-фононного взаимодействия поток носителей стано-
вится интенсивным излучателем упругих волн. Частным случа-
ем электрон-фононного взаимодействия является акустоэлек-
тронное взаимодействие. В результате обмена энергией между 
потоком дрейфующих электронов в электрическом поле в на-
правлении распространения звуковой волны акустоэлектронное 
взаимодействие зависит от соотношения скорости дрейфа 
v
др
,и 
скорости звука 
v
. Если выполняется соотношение 
v
др
 = E
<
v
, то 
волна поглощается электронным газом, а если
v
др
v -
электроны 
отдают свою кинетическую энергию акустической волне. Как 
уже ранее описывалось, такие акустические волны также явля-
ются динамическими неоднородностями. 
В плазме полупроводника, находящегося в магнитном по-
ле, могут возникнуть