Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для цепей: {

Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для цепей: {
=усиление напряжения;
~стабилизации напряжения;
~регулирования напряжения;
~выпрямление переменного напряжения;}

Тиристор используется в цепях переменного тока для … {

=усиления напряжения;
~изменения фазы напряжения;
~защиты от перенапряжений;
~регулирования выпрямленного напряжения;}
Полупроводниковый стабилитрон имеет структуру. {
=p-n-p
~n-p-n
~p-n-p-n
~p-n }

В системе h-параметров статическому коэффициенту усиления транзистора по току соответствует: {

=h21Э
~h21б
~h11Э
~h11б }

Наименьшим выходным сопротивлением обладает схема включения транзистора с: {

=ОК
~ОБ
~ОИ
~ОЭ }

p-n переход образуется при контакте: {

=металл-полупроводник
~металл-металл
~полупроводник- полупроводник
~металл-диэлектрик }

Электроды полупроводникового диода имеют название: {

=База, эмиттер
~Катод, анод
~Катод, управляющий электрод
~Сетка, анод }

Электроды полупроводникового транзистора имеют название: {

=коллектор, база, эмиттер
~анод, катод, управляющий электрод
~сток, исток, затвор
~анод, сетка, катод}

В системе h-параметров статическому коэффициенту усиления транзистора по току соответствует:{

=h11Э
~h21б
~h21Э
~h11б}

К полупроводникам р-типа относятся ...{

=рекомбинированный переход
~кристалл обладающий избытком концентрации электронов
~полупроводник с избытком концентрации дырок
~кристаллическая решетка с избытком электронов}

К полупроводникам n—типа относятся ...{

=кристалл обладающий избытком концентрации электронов
~кристаллическая решетка с избыткам электронов
~рекомбинированный переход
~полупроводник с зоной проводимостью}

Для включения полупроводникового p-n перехода в прямом направлении необходимо {

=изменить структуру кристаллической решетки полупроводника
~полярность внешнего источника питания изменяют на противоположную
~положительный полюс питания соединяют с выводом от n-области, а отрицательный - с р—областью
~положительный полюс источника соединяют с выводом от р-области, а отрицательный - с выводом от n-области}

В каком из приведенных вы¬сказываний о свойствах светодиода содержится ошибка?{

=Светодиод испускает свет при приложении к нему обратного напряжения.
~Светодиод испускает свет тогда, когда ток через него проте¬кает в прямом направлении.
~По мере увеличения тока, протекающего через светодиод, возрастает интенсивность излучаемого им света.
~Для того чтобы светодиод не вышел из строя, последователь¬но с ним включают ограничивающий резистор.}

Для включения полупроводникового p-n перехода в обратном направлении необходимо ...{

=положительный полюс питания соединить с выводом от n-области, а отрицательный с р-областью
~полярность внешнего источника питания изменить на противоположную
~положительный полюс источника соединить с выводом от р-области, а отрицательный - с выводом от n-области
~изменить структуру кристаллической решетки полупроводника}

Основной недостаток полупроводникового диода заключается в ....{

=отсутствие в характеристике плавно изменяющейся кривизны
~в наличии резкого увеличения прямого тока
~в зависимости выпрямленного тока от напряжения
~в наличии малого обратного тока}

Какой из диодов изготавливают из полупроводниковых материалов с высокой концентрацией примесей?{

=тунельный диод
~светодиод
~фотодиод
~варикап}

Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются..{

=максимальная температура перехода
~максимально допустимое обратное напряжение и прямой ток
~площадь радиатора и рабочая температура
~способность работать в мостиковой схеме}

Стабилитронами и стабисторами называются кремниевые полупроводниковые диоды, вольт-амперные характеристики которых имеют. . .{

=участки малой зависимости от протекающего тока
~большую зависимость о температуры
~участки большой зависимости от протекающего тока
~обратную зависимость от протекающего тока}

Что такое ширина запрещенной зоны?{

=Зона, расположенная выше валентной зоны;
~расположенная ниже зоны проводимости;
~Зона, расположенная выше зоны проводимости;
~Зона, разделяющая валентную зону и зону проводимости; }

Процесс образования свободных электронов в полупроводнике, называют:{

=рекомбинация носителей заряда;
~генерация носителей заряда;
~инжекция носителей заряда;
~экстракция носителей заряда;}

Если электропроводность полупроводника обусловлена электронами, его называют:{

=полупроводником p-типа;
~полупроводником n-типа;
~полупроводником м-типа;
~собственным полупроводником;}

Что такое дрейф носителей заряда?{

=Хаотическое движение носителей заряда под действием магнитного поля;
~Хаотическое движение носителей заряда под действием электрического поля;
~Направленное движение носителей заряда под действием магнитного поля;
~Направленное движение носителей заряда под действием электрического поля;}

Электронно-дырочный переход это:{

=р-р – переход;
~p-n – переход;
~n-n – переход;
~n-i - переход;}

Прямой ток протекает через p-n переход, когда полярность напряжения на p-n переходе следующая:{

=-p-n+;
~+p-n-;
~0;
~0;}

При обратном включении диода внешнее электрическое поле и диффузионное поле в p-n-переходе совпадают по направлению?{

=0;
~Нет;
~0;
~Да;}

Плоскостным называют диод:{

=площадь выпрямляющего электрического перехода у которого линейные размеры, определяющие, значительно больше характеристической длины;
~у которого линейные размеры, определяющие площадь выпрямляющего электрического перехода, значительно меньше характеристической длины;
~0;
~0;}

Какую функцию выполняет стабилитрон?{

=стабилизацию тока;
~Стабилизацию напряжения;
~стабилизацию напряжения и тока;
~ни какую;}

Какие диоды получили наибольшее практическое применение?{

=Диоды Ганна;
~Германиевые диоды;
~Диоды Шоттки;
~Кремниевые диоды;}

Какие диоды относятся к большой мощности?{

=Ток < 10 А;
~Ток ≤ 10 А;
~Ток > 10 А;
~Ток < 1 А;}

Какую структуру имеет транзистор?{

=n-p-n-p;
~n-p-n;
~n-p;
~p-n-p-n;}

Какой вид тока на выходе диода, если он включен в электрическую цепь переменного тока?{

=постоянный;
~переменный пульсирующий;
~синусоидальный;
~прямоугольный пульсирующий.}

Какую структуру имеет тиристор?{

=p-n-p-n;
~n-p-n;
~n-n-p-p;
~p-p-n-n;}

Какая схема включения у транзистора, если электроды база и эмиттер являются входным, а выходным коллектор, эмиттер?{

=Схема включения с ОБ и ОК ;
~Схема включения с ОБ;
~Схема включения с ОК;
~Схема включения с ОЭ;}

Какая схема включения у транзистора, если электроды база и эмиттер являются входным, а выходным коллектор, база?{

=Схема включения с ОЭ;
~Схема включения с ОК;
~Схема включения с ОБ;
~Схема включения с ОИ;}

Сколько выводов имеет тиристор?{

=Один;
~Два;
~Четыре;
~Три;}

Какая схема включения у транзистора, если электроды база и коллектор являются входным, а выходным коллектор, эмиттер?{

=Схема включения с ОЭ;
~Схема включения с ОБ;
~Схема включения с ОК;
~Схема включения с ОБ и ОК ;}

Какой режим работы транзистора необходимо обеспечить, если его использовать в логических схемах?{

=Ключевой;
~Усилительный;
~Плавный;
~Ни какой;}

Сколько выводов имеет тиристор?{

=Один;
~Два;
~Четыре;
~Три;}

При уменьшении анодного тока до значения тока удержания тиристор может самопроизвольно перейти в запертое состояние?{

=Да;
~0;
~0;
~Нет;}

Сколько выводов имеет динистор?{

=Четыре;
~Один;
~Три;
~Два; }

Какую функцию выполняет диодный мост в источниках питания?{

=выпрямление;
~стабилизация;
~сглаживание;
~понижение;}

Какой элемент необходимо использовать в источниках питания для стабилизации выходного напряжения?{

=диод;
~конденсатор;
~трансформатор;
~ стабилитрон;}

Условное обозначение какого прибора дано ГТ115Г?{

=Германиевый биполярный транзистор.
~Биполярный транзистор большой мощности
~Галлиевый диод.
~Кремневый биполярный транзистор}

Какой прибор обозначен ?{

=СВЧ-диод
~Выпрямительный диод.
~Точечный диод
~Биоплярный транзистор p-n-p.}

За счёт чего возникают основные носители в полупроводниках?{

=За счёт добавления легирующих примесей
~За счет ударной ионизации
~За счет внешних воздействий
~За счет лавинного пробоя}

Что произойдет если превысить Imax стабилитрона?{

=Стабилитрон перестанет пропускать ток
~Пробой перейдёт из электрического в тепловой и стабилитрон сгорит
~Стабилитрон повысит напряжение
~Повысится напряжение стабилизации}

Какой фотоприбор состоит из химически чистого полупроводника?{

=Фотоэлемент.
~Фоторезистор
~Фотодиод
~Фотоэлектронный умножитель}

В МДП транзисторе с индуцированным каналом ток стока при нулевом напряжении затвора?{

=Большой
~Небольшой
~Отсутствует
~Возрастает}

Условное обозначение, какого прибора дано КД521Б?{

=Кремниевый диод.
~Кремниевый стабилитрон.
~Германиевый биполярный транзистор.
~Туннельный диод}

Какой прибор обозначен ?{

=Варикап
~триодный тиристор.
~Варистор
~МДП -транзистор с индуцированным р -каналом}

Какой прибор обозначен ?{

=Варикап.
~Триодный тиристор
~Биполярный транзистор n-p-n.
~Точечный диод}

За счёт чего возникают неосновные носители в полупроводниках?{

=За счет приложения прямого напряжения
~За счёт ударной ионизации
~За счёт внешних воздействий
~За счет приложения обратного напряжения}

Как изменится емкость варикапа при увеличении обратного напряжения?{

=Уменьшается
~Увеличивается
~Изменяется скачкообразно
~Пропорционально}

Какой фотоприбор наиболее точно оценит силу света?{

=Фоторезистор
~Фотодиод
~ Фотоэлемент
~Фототранзистор}

Какой полупроводниковый прибор состоит из четырех слоёв полупроводника?{

=Униполярный транзистор
~Диод
~Биполярный транзистор
~Тиристор}

Какой слой в биполярном транзисторе имеет наименьшую толщину?{

=Все слои одинаковы
~Эмиттер
~Коллектор
~База }

В каком элементе полевого транзистора меньше концентрация основных носителей?{

=В переходе
~В затворе
~В канале
~В стоке}

В МДП транзисторах с p-подложкой при увеличении потенциала затвора в знак плюс концентрация носителей в канале?{

=Уменьшается
~Обедняется
~Изменяется скачкообразно
~Увеличивается}

Коэффициент усиления полевого транзистора определяется выражением:{

=u= d UЗU / d UСU
~u= d UСU / d iC
~u= d UCU/ d UЗU
~u= d UЗU / d iC}

Полупроводниковые приборы выполняются с использованием в качестве основного материала:{

=Алюминия
~Железа
~Меди
~Кремния}

Полупроводниковые приборы боятся ... {

=низкого напряжения питания
~увеличения сопротивления нагрузки
~увеличения температуры выше 70° С
~вибрации}

Кремниевый полупроводниковый прибор работает в режиме температур...{

=между - 40° и до 70° С
~ниже 220°С
~-220° и до 240°
~выше 220° С}
Диод на основе полупроводника с критической концентрацией примесей{
=туннельный диод
~ обращенный диод
~выпрямительный диод
~стабилитрон}

Многослоиный переключающий прибор с симетричной ВАХ для прямого и обратного напряжений{

=запираемый тиристор
~тиристор
~транзистор
~симистор}

Тиристор без управляющего электрода{

=динистор
~варистор
~стабистор
~тринистор}

Рекомбинация носителей заряда это: {

=исчезновение пар носителей заряда (электрона и дырки)
~возникновение пар носителей заряда
~собственная электропроводность
~примесная электропроводность }

Возникновение пар носителей заряда называют: {

=рекомбинацией
~дрейфом носителей
~диффузией
~тепловой генерацией }

Движение носителей заряда под действием электрического поля называется: {

=дрейфом
~диффузией
~генерацией
~рекомбинацией }

Движение носителей заряда под действием разности концентраций называется: {

=Дрейфом
~диффузией
~генерацией
~рекомбинацией}

Примеси, атомы которых отдают электроны называются: {

=электронной примесью
~акцепторами
~дырочной примесью
~ донорами }

Примеси, атомы которых отбирают электроны называются: {

=электронной примесью
~донорами
~дырочной примесью
~акцепторами }

Полупроводники с преобладанием электронной

электропроводности называются: {
=полупроводниками n-типа
~полупроводниками р-типа
~полупроводниками р-n типа
~полупроводниками n-р типа }

Область полупроводникового прибора, из которой инжектируются носители заряда, называется: {

=базой
~эмиттером
~коллектором
~n-переходом }

Область полупроводникового прибора, которая вытягивает носители заряда, называется: {

=базой
~эмиттером
~n-переходом
~ коллектором }

Область полупроводникового прибора, разделяющая р-n переходы, называется: {

=эмиттером
~коллектором
~ базой
~n-переходом }
Последовательное соединение диодов необходимо для: {
=выпрямления высоких напряжений
~выпрямления низких напряжений
~для уменьшения тока
~для увеличения тока }

Биполярным называют транзистор: {

=с тремя n- р переходами
~ с двумя n – p переходами
~с одним переходом
~с управляющим электродом }

Тиристор это устройство: {

=с двумя n- р переходами
~с одним переходом
~с тремя n – p переходами
~с управляющим электродом }

Область в полевом транзисторе, через которую проходит поток основных носителей заряда, т.е. выходной ток, называется:{

=Истоком
~каналом
~стоком
~коллектором }

Управляющий электрод, предназначенный для регулирования площади поперечного сечения канала, называют: {

=каналом
~затвором
~истоком
~коллектором }

Выберите не существующий тип транзистора: {

=сплавно-диффузионный
~мезатранзистор
~планарно-эпитаксильный
~ синфазный}
Для включения полупроводникового p-n перехода в прямом направлении необходимо ...{
=полярность внешнего источника питания изменяют на противоположную
~положительный полюс источника соединяют с выводом от р-области, а отрицательный - с выводом от n-области
~положительный полюс питания соединяют с выводом от n-области, а отрицательный - с р—областью
~изменить структуру кристаллической решетки полупроводника}

Как выбирают выпрямительные диоды?{

=По обратному напряжению.
~По прямому току и обратному напряжению.
~По прямому току.
~По габаритам}

Какие диоды работают в режиме пробоя?{

=Стабилитроны в режиме электрического пробоя.
~Стабилитроны в режиме теплового пробоя.
~Варикапы.
~Туннельные диоды.}

Какой пробой опасен для р-n-перехода?{

=Лавинный
~Электрический.
~И тот и другой
~Тепловой.}

В каком направлении включаются эмиттерный и коллек¬торный р-n-переходы биполярного транзистора?{

=Эмиттерный — в прямом, коллекторный — в обратном.
~Это зависит от типа транзистора (п-р-п или р-п-р).
~Эмиттерный — в обратном, коллекторный — в прямом.
~Оба перехода в прямом направлении.}

Какие элементы целесообразно использовать для преоб¬разования электрической энергии больших мощностей?{

=Полевые транзисторы.
~Тиристоры.
~Оптроны
~ Биполярные транзисторы.}

Какой способ используется на практике для перевода триодного тиристора из закрытого состояния в открытое?{

=Изменение полярности напряжения на управляющем элек¬троде.
~Повышение анодного напряжения.
~Изменение полярности анодного напряжения.
~Подача положительного напряжения на управляющий элек¬трод.}

От чего зависит энергия кванта излучения (фотона)?{

=От спектрального состава излучения.
~От частоты излучения.
~От интенсивности светового потока.
~От скорости светового потока.}

Какое из утверждений неправильное?{

=Источником излучения является светодиод.
~Оптрон-прибор, содержащий источник и приемник излу¬чения, помещенные в один корпус.
~В оптроне достигается гальваническая развязка входной и вы¬ходной цепей.
~Свойства оптрона не зависят от приемника излучения.}

Как называется прибор, содержащий источник и приемник излу¬чения, помещенные в один корпус?{

=Оптрон
~Фототранзистор
~Фототиристор
~светодиод}

В каком приборе достигается гальваническая развязка входной и вы¬ходной цепей?{

=Транзистор
~Оптрон
~Тиристор
~Фотодиод}

Что является источником излучения в оптопаре?{

=Фотодиод
~Фоторезистор
~Фототранзистор
~ Светодиод}

Какие из перечисленных особенностей характерны для ин¬тегральных микросхем?{

=Все перечисленные особенности.
~Минимум внутренних соединительных линий.
~Комплексная технология изготовления.
~Миниатюрность.}

Какие микросхемы называют гибридными?{

=В которых используются пленочные и навесные элементы.
~В которых используются пассивные и активные элементы.
~В которых используются тонкие и толстые пленки.
~В которых используются только активные элементы.}
Чем обусловлен ток в диоде Шоттки?{
=Эмиссией основных носителей из полупроводника p типа в полупроводник n типа
~Эмиссией основных носителей из полупроводника n типа в полупроводник p типа
~Эмиссией основных носителей из полупроводника в металл
~Эмиссией основных носителей из металла в полупродник}

Какое из приведенных соотношений токов в биполярном транзисторе является правильным?{

=Iэ= Iб + Ik
~Iб =Iэ+ Ik
~Ik=Iэ+Iб
~Iэ= Iб - Ik}

Среди перечисленных высказываний о полевых транзисторах найдите неправильные?{

=Сток, исток и затвор полевого транзистора являются аналогами коллектора, эмиттера и базы биполярного транзистора
~Сток, исток и затвор полевого транзистора не являются аналогами коллектора, эмиттера и базы биполярного транзистора
~Существуют n-канальные и р-канальные полевые транзисторы с управляющим р-n переходом и полевые тразисторы с изолированным затвором (МОП-транзисторы)
~В качестве аналоговых переключателей и усилителей со сверхвысоким сопротивлением полевые транзисторы не имеют себе равных}

Какие типы существуют полевых транзисторов?{

=Существуют полевые транзисторы с nрn- переходом
~Существуют полевые транзисторы с nрn и рnр переходами
~Существуют n-канальные и р-канальные полевые транзисторы с управляющим р-n переходом и полевые тразисторы с изолированным затвором (МОП-транзисторы)
~Существуют nрn полевые транзисторы и полевые тразисторы с изолированным затвором (МОП-транзисторы)}

В каком направлении включается рn-переход затвора полевого транзистора?{

=В обратном
~В прямом
~Направление не имеет значения
~Это зависит от схемы включения полевого транзистора}

Какой прибор может коммутировать силовые цепи напряжением 1300 В и с током 300 А?{

=Фототиристорный оптрон
~Фотодиодный оптрон
~Фоторезисторный оптрон
~Фототранзисторный оптрон}

В чем отличие динистора от тиристора?{

=он имеет два вывода;
~он имеет три вывода;
~он имеет четыре вывода;
~он имеет пять выводов;}

Какой прибор обозначен ?{

=МДП транзистор с индуцированным n-каналом.
~ Фотодиод
~Фотоэлемент
~Светодиод}

Сколько выводов имеет транзистор?{

=Один;
~Два;
~Три;
~Четыре;}

Полупроводники по проводимости находятся . ..{

=между диэлектриком и проводником
~наполовину выше проводников
~наполовину выше диэлектриков
~наполовину ниже диэлектриков}

К недостаткам полупроводниковых приборов относится ...{

=работа не с основными носителями
~необходимость низкого напряжения
~необходимость вакуума
~ограниченный температурный режим}

Основное свойство полупроводникового диода ...{

=пропускать ток в обратном направлении
~преобразовать переменный ток в постоянный
~преобразовать постоянный ток в пульсирующий
~не пропускать постоянный ток}

Сколько выводов имеет транзистор?{

=Один;
~Три;
~Два;
~Четыре;}

Недостаток полевых транзисторов заключается в . . . {

=изоляции затвора
~отсутствии базы
~отсутствии эммиттера
~низком быстродействии}

При температуре 300 К у кремния ширина запрещенной зоны равна:{

=ΔE=0,75 эВ;
~ΔE=1,12 эВ
~ΔE=1,43 эВ;
~ΔE=2,4 эВ;}

Какую функцию выполняют выпрямительные диоды?{

=Преобразование переменного тока;
~Увеличение тока;
~Увеличение напряжения;
~Преобразование постоянного тока;}

Открытое состояние тиристора сохраняется, если сигнал на управляющей электроде отсутствует?{

=Нет;
~Сохраняется, но не долго ;
~0;
~Да; }

Какую имеет вольтамперную характеристику симистор?{

=симметричную для прямого и обратного тока;
~не симметричную для прямого и обратного тока;
~ни какую;
~пароболическую}

С помощью какого элемента можно произвести включение и отключение электрической цепи?{

=Варистор;
~Динистор;
~Варикап;
~Светодиод;}

Полупроводники с преобладанием дырочной электропроводности называются: {

=полупроводниками n-типа
~полупроводниками р-n типа
~полупроводниками n-р типа
~полупроводниками р-типа}

Электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним р-n- переходом и двумя внешними выводами от областей кристалла с различными

типами электропроводности, называется: {
=Транзистором
~ полупроводниковым диодом
~фототранзистором
~динистором }

При повышении температуры в полупроводниковых приборах проводимость:{

=Уменьшается
~ растет
~остается постоянной
~сначала уменьшается, затем повышается}

Параллельное соединение диодов применяют: {

=когда необходимо получить прямой ток, больший предельного тока одного диода
~для выпрямления высоких напряжений
~для выпрямления низких напряжений
~для уменьшения тока}

Электрод, из которого вытекают основные носители заряда, называют: {

=каналом
~стоком
~коллектором
~истоком}

Состояние, когда p-n переходу .... называется нейтральным.{

=не приложено никакое внешнее напряжение
~приложено обратное напряжение
~приложено прямое напряжение, обратное потенциальному барьеру
~приложено прямое напряжение, равное потенциальному барьеру}

Чем объясняется нелинейность вольт-амперной характеристики р-n-перехода?{

= Примесями полупроводника
~Дефектами кристаллической структуры.
~Собственным сопротивлением полупроводника.
~Вентильными свойствами.}