Oʼzbekiston respublikаsi oliy vа oʼrtа mаxsus tаʼlim vаzirligi toshkent kimyo-texnologiya instituti

Литература 
1.
Лебедев и технология основного органического и нефтехимического синтеза. М., 
Химия. 1988. – 592 с.; 
2.
Артиков А.А., Джураев Х.Ф., З.А Машарипова, Баракаев Б.Н. Системное 
мышление, анализ и нахождение оптимальных решений (на примерах инженерной 
технологии). Издательство «Дурдона». Бухара. 2020. 185c. 
k
T o Workspace6
M ro
T o Workspace5
C0
T o Workspace4
G0
T o Workspace3
V
T o Workspace2
Gv
T o Workspace1
1
Constant6
3
Constant5
0
Constant4
0.64
Constant3
1
Constant2
0.64
Constant1
1
C1
Mro
0.6069
Vv1
((u(1)*u(2)) - (u(3)*u(4)) + (u(5)*u(6))*(1-u(4)))/u(7) 
Vmi 1
V
V
1
s
xo
Integrator1
G0
G
2
k
1
C0
0
2
4
6
8
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Time (Seconds)
reaktor_a1_reg

---

15 
АНАЛИЗ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ РАБОТ ПО СПЕКТРОСКОПИИ 
ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОНАМИ 
 
Ахмедов А.А., Турсунов А.Р., Собиров Н.Р., Туракулов А.С. 
Шахрисабзский филиал Ташкентского химико-технологического института
 
Потери энергии называются характеристическими, так как энергия потерь не зависит 
от энергии первичных электронов, а ее величина характерна для данного материала. Пики 
характеристических потерь энергии электронов располагаются вблизи пика упруго 
отраженных электронов. В отличие от пиков оже-электронов, положения которых не зависят 
от энергии первичных электронов, положения пиков характеристических потерь определяется 
Е
р
. При смещении максимума упруго отраженных электронов пики характеристических 
потерь смещаются вместе с ним, оставаясь на одинаковом энергетическом расстоянии от 
упругого пика. 
Характеристические потери энергии электронами покрывают широкий диапазон от 
10
−3
до 10
4
эВ и могут происходить в результате различных процессов рассеяния, таких как:
1) возбуждение глубоких уровней (100-10
4
эВ); 
2) возбуждение плазмонов и электронных межзонных переходов (1-100 эВ); 
3) возбуждение колебаний атомов поверхности и адсорбата (10
−3
−1 эВ). 
Термин «спектроскопия характеристических потерь энергии электронами (СХПЭЭ)» 
имеет двойное значение. С одной стороны, он используется как общий термин для 
обозначения методов анализа потерь энергии электронами во всем диапазоне от 10
−3
до 10
4
эВ. С другой стороны, он имеет более узкое значение для обозначения методики исследования 
характеристических потерь только второй группы, с энергиями в диапазоне от нескольких эВ 
до нескольких десятков эВ, связанных с возбуждением плазмонов и электронных межзонных 
переходов. При этом первая группа потерь является предметом спектроскопии ХПЭЭ 
глубоких уровней, а третья — спектроскопии высокого разрешения характеристических 
потерь энергии электронами. Наиболее же частое использование метода СХПЭЭ (именно в 
узком смысле) связано с решением таких задач, как определение плотности электронов, 
участвующих в плазменных колебаниях, и химический анализ образцов, включая анализ 
распределения элементов по глубине.СХПЭЭ является более трудной методикой, но, в 
принципе, способной для измерения атомного состава, химических связей, валентности и 
свойств зоны проводимости, поверхностных свойств и т. д. СХПЭЭ предпочтительнее для 
работы с относительно малыми атомными номерами, где край полосы поглощения острее, 
легче определяется и экспериментально доступен (при большой энергии поглощения (>3кэВ) 
сигнал очень слабый).Пространственное разрешение в данном методе ограничено 
локализацией плазмона (~1 nm),то есть карты толщин могут быть получены в STEM с 
разрешением в ~1 nm. Внизу приведено, какие процессы и переходы происходит 
привзаимодействий электронного пучка с кристаллическими образцами (рисунки1, 2, 3): 
Рисунок 1 - Процессы взаимодействия электронного пучка с тонким кристаллическим 
образцом. 

---

16 
Рисунок 2 -Вид спектра 
характеристических потерь энергии электронов. 
Рисунок 3-Процессы возбуждения 
валентной зоны и остовных уровней атомов 
твердого тела. 
Исследовались спектры, снятые с монокристаллического кремниевого образца, с 
помощью метода характеристических потерь энергии электронов. Установлено, что по мере 
очищения поверхности кремния от углерода, энергия потерь электронов при возбуждении 
поверхностных и объемных плазмонов в углероде уменьшается, поверхность постепенно 
очищается. Исследовались спектры потерь энергии с различным содержанием на поверхности 
углеродосодержащих примесей и на разных стадиях термической очистки поверхности 
кремния. В этой работе кремний, как исследуемый материал, выбирался благодаря своему 
широкому использованию в нано-электронике, спинтронике. Также кремний находит 
применение в качестве подложек для эпитаксиального роста тонких магнитных пленок, 
магнитных мультислоев и полупроводниковых сверхрешеток.