Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

wt
- weight 
-
вазн 
WV
- WaVe 
–
тўлқин, тебраниш 
X 
XDCR
- transDuCeR 
-
ўзгартгич; датчик 
xistor
- transistor 
-
транзистор 
XT
- Такт генераторининг режимларидан бири. 100 кГц дан 4 МГц гача 
генерация учун қўлланилади 
Z 
ZVR
- Zener Voltage Regulator 
–
Зенер кучланиш ростлагичи 
Фойдаланилган адабиётлар 
1.
Черепанов А.Т.Англо-русский словарь сокращений по компьютерным 
технологиям, информатике, электронике и связи. - СПб.: БХВ-
Петербург, 2009. — 800 с. 
ИЗУЧЕНИЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ С 
 ПОМОЩЬЮ МУЛЬТИСИМ 14 
 
М.Ш. Тохиржонова, М.М. Махмудов, Т.А. Гаипов
. 
Ташкентский государственный технический университет
Оптоэлектроника является одним из самых актуальных направлений 
современной электроники. И это не случайно. Приборы оптоэлектроники 
характеризуются исключительной функциональной широтой, они успешно 
используются во всех звеньях информационной системы для генерации, 
преобразования, передачи, хранения и отображения, информации. При 
создании оптоэлектронных приборов используется много новых физических 
явлений, синтезируются уникальные материалы, разрабатываются сверх-
прецизионные технологии. Оптоэлектроника достигла стадии про-
мышленной зрелости, но это только первоначальный этап, так как 
перспективы развития многих ее направлений практически безграничны.
Физическую основу оптоэлектроники составляют процессы:
- преобразования электрических сигналов в оптические и оптических в 
электрические;
- распространения излучения в видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой 
областях спектра в различных средах;
- взаимодействия электромагнитных излучений оптического диапазона с 
веществом.

---