Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

R6
200Ω
R7
200Ω
R8
200Ω
R9
2.74kΩ
U5
DC 10MOhm
0.041
V
+
-
U6
DC 10MOhm
1.075
V
+
-
U8
DC 1e-009Ohm
2.153m
A
+
-
V3
10mVrms 
1kHz 
0° 
C1
1µF
C2
1µF
XBP1
IN
OUT
U7
DC 1e-009Ohm
3.745m
A
+
-
C3
1µF
R10
1.0kΩ
Рис.3. Схема изучения амплитудно- частотных характеристик 
оптотранзистора. 
С помощью этой схемы можно изучить амплитудно- частотные 
характеристики оптотранзистора, снять переходную характеристику 
Iвых(Iвх) фототранзистора с открытым оптическим каналом и определить 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
532 
коэффициент передачи тока Ki = Iвых/Iвх, либо дифференциальный 
коэффициент передачи тока Kiд = ∆Iвых/∆Iвх.
Использование оптоэлектронных приборов облегчает решение проблемы 
комплексной микроминиатюризации аппаратуры связи путем замены 
традиционных элементов устройств связи (трансформаторов, реле, контактов 
и др.) и создания принципиально новых устройств хранения, отображения и 
обработки информации.
Литература 
1.
Дорошков А.В. Теория и практика виртуальных исследований
устройств электроники: Учеб. пособие. − СПб.: НИУ ИТМО; ИХиБТ, 
2013 
2.
Майер Р. В. Компьютерное моделирование: учебно-методическое 
пособие для студентов педагогических вузов [Электронное учебное
издание на компакт-диске]. – Глазов: Глазов. гос. пед. ин-т, 2015. – 
24,3 Мб. 
3.
Кузнецов Б.Ф. Электронные промышленные устройства. Учебное
пособие. Изд-во: Ангарской государственной технической академии, 
2010. - 151 
4.
 
www.ni.ru