Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

6.
 
Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Исмайлов Б.К, Без 
эрозионная технология легирования кремния серой и повышение 
концентрации ее электроактивных атомов’’ // Приборы №4 (2019)
 
7.
 
Абдурахманов Б.А., Аюпов К.С., Бахадырханов М.К., 
Х.М.илиев, Бобонов Д.Т. Зикриллаев Н.Ф., Сапарениязова З.М., Тошов А. 
“Низкотемпературная диффузия примесей в кремнии” // Академии наук 
Республики Узбекистан. – Ташкент, 2010. - №4. - С.32-36(01.00.00.№7).
 
8.
Бахадырханов М.К. Аюпов К.С. Термические свойства кремния с 
кластерами атомов никеля// ИВУЗ, 2008-№12-С.170-172. 
9.
Иванова Н. П., Жилинский В. В. Химия сплавов Электронный 
конспект лекций по дисциплине// «Химия сплавов» для студентов 
специальности 1-48 01 04 «Технология электрохимических производств» 
Минск, 2012. -С.100-113. 
10.
А. Асташкевич, А. Фрунзе. Датчики температуры. // 
Схемотехника, №1. Москва, 2000-С. 14-17. 
11.
Бахадирхонов М.К., Насриддинов С.С., Валиев С.А., Тачилин 
С.А., Эгамов У. / Чувствительный, быстродействующий и радиационное 
стойкий термодатчик для дистанционного контроля температуры. // 
Заводская лаборатория. Москва. 2008, Т.74, №11, -С. 12-14. 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
381 
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
С АКТИВНЫМ ЭЛЕМЕНТОМ 
 
Т. Ахмедов., С.М. Отажонов., М.М. Халилов., 
 Қ.А. Ботиров., Н.Юнусов
Ферганский государственный университет, Фергана 
 
В последние годы в мире резко возрастает интерес к 
полупроводниковым 
тензодатчикам. 
Причиной 
бурного 
развития 
полупроводниковой тензометрии является новые широкие возможности 
применения полупроводниковых тензодатчиков в области исследования 
прочности материала и конструкций, в сверх миниатюрных преобразователях 
механических величин (силы, давления, деформации, момента и т.д.) в 
электрические сигналы. Исследование тензометрических свойств различных 
полуппорониковых материалов и приборов показало, что многие из них 
могут служить датчиками деформаций и давлений, обладающими 
существенными преимуществами перед известными проволочными 
тензочувствительными элементами [1].
В связи с этим нами было создано тонкопленочный датчик давления с 
активным элементом и исследовано их свойства. 
Известны тонкопленочный датчик давления, содержащий корпус, 
круглую мембрану с периферийным основанием, по которому мембрана 
закреплена в корпус, соединенные тонкопленочными перемычками из 
низкоомного материала и включенные соответственно в противоположные 
плечи измерительного моста, окружные и радиальные тензорезисторы, 
выполненные в виде соединенных тонкопленочных перемычками 
одинакового форму тензоэлементов, расположенных по окружности на 
периферии мембраны, причем тонкопленочные перемычки, которыми 
соединены тензоэлементы окружных и радиальных тензорезисторов. [2,3]. 
C 
целью 
полностью 
передавать 
измеряемую 
давлению 
к 
измерительному прибору, позволяющих точность измерения в широких 
диапазонах циклических деформации решается тем, что полупроводниковый 
датчик давления получен прямо на поверхность мембраны, который значение 
давлении полностью передаются к измерительному прибору без потери. Это 
позволяет повысить стабильность значение давления и точность в 
измерительных приборах. Применение полупроводниковых пленочных 
тензорезисторов в качестве датчиков давления дает ряд преимуществ по 
сравнению применении других типов тензорезисторов: проволочных, 
фольговых, монокристаллических полупроводников. Первую очередь, это 
связана с коэффициентом передачи деформации от деформируемого тела к 
тензочувствительному элементу и малым обратным воздействием на 
исследуемое тело. Предлагаемые нами конструкции в качестве 

---