Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги олий таълим тизими педагог ва раҳбар кадрларини

Микроэлектроника
ўзининг ярим асрлик тарихи давомида ИМСлар 
элементлари ўлчамларини камайтириш йўлида Мур қонунига мувофиқ 
ривожланмоқда. 1999 йилда микроэлектроника технологик ажратишнинг 100 
нмли довонини енгиб наноэлектроникага айланди. Ҳозирги вақтда 45 нмли 
технологик жараѐн кенг тарқалган. Бу жараѐн оптик литографияга 
асосланишини айтиб ўтамиз. 
Микроэлектрон қурилмалар (ИМСлар) яратишнинг ананавий, планар 
жараѐн каби, усуллари яқин 10 йиллик ичида иқтисодий, технологик ва 
интеллектуал чегарага келиб қолиши мумкин, бунда қурилмалар 
ўлчамларини камайтириш ва уларни тузилиш мураккаблигининг ошиши 
билан ҳаражатларнинг экспоненциал ошиши кузатилади. Муаммони 

---

III. НАЗАРИЙ МАТЕРИАЛЛАР 
19 
нанотехнологиялар усулларини қўллаган ҳолда янги сифат даражасида 
ечишга тўғри келади. 
1.2.
 
Аналог ва рақамли схемаларнинг замонавий элемент базаси. 
МДЯ транзисторларда затворости диэлектриги ананавий равишда SiO
2
ишлатилади, 45 нм ўлчамли технологияга ўтилганда диэлектрик қалинлиги 1 
нмдан кичик бўлади. Бунда затвор ости орқали сизилиш токи ортади. 
Кристалнинг 1 см
2
юзасида энергия ажралиш 1 кВтга етади. Юпқа 
диэлектрик орқали ток оқиш муаммоси SiO
2
ни диэлектрик сингдирувчанлик 
коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε ~20÷25 бўлган 
гафний ѐки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади. 
Келгусида, транзистор канали узунлиги 5 нмгача камайтирилганда, 
транзистордаги квант ҳодисалар унинг характеристикаларига катта таъсир 
кўрсата бошлайди ва хусусан, сток – исток орасидаги туннеллашув токи
1 см
2
юзада ажраладиган энергияни 1 кВт га етказади.
1
1.1 – расм. Рақамли мультимер.
1
Introductory Circuit Analysis, by Robert L. Boylestad, Pearson Education Limited, 2014. Chapter 2, 18. 

---

III. НАЗАРИЙ МАТЕРИАЛЛАР 
20 
1.2 –расм. Икки каналли рақамли осцилограф.
Планар технологиянинг замонавий процессорлар, хотира қурилмалари 
ва бошқа рақамли ИМСлар ҳосил қилишдаги ютуқлари ўлчамлари 90 нм, 45 
нм ва ҳатто 28 нмни ташкил этувчи ИМСлар ишчи элементларини ҳосил 
қилиш имконини яратганлиги бугунги кунда кўпчилик тадқиқотчилар 
томонидан 
нанотехнологияларнинг 
қўлланилиш 
натижасидек
қаралмоқдалигини айтиб ўтамиз. Бу мавжуд ISO /ТК 229 нуқтаи – назаридан 
тўғри. Лекин, планар жараѐн биринчи ИМСлар пайдо бўлиши билан, ўтган 
асрнинг 60 – йилларида ҳеч қандай нанотехнологиялар мавжуд бўлмаган 
вақтда пайдо бўлди ва шундан бери принципиал ўзгаргани йўқ.