Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния


Формирование омических контактов к стоку и истоку n–



Download 12,44 Mb.
Pdf ko'rish
bet33/42
Sana23.02.2022
Hajmi12,44 Mb.
#169857
TuriИсследование
1   ...   29   30   31   32   33   34   35   36   ...   42
Bog'liq
4 - Дисертация

4. Формирование омических контактов к стоку и истоку n–
канального транзистора. 
 Фотолитография по слою оксида для формирования омических 
контактов к n

стоку и истоку; 
 Ионная имплантация фосфора через оксидную маску; 
 Разгонка примеси; 
5. Формирование омических контактов к стоку и истоку p–
канального транзистора. 
 Фотолитография по слою оксида для формирования омических 
контактов к p

стоку и истоку; 
 Ионная имплантация бора через оксидную маску; 
 Разгонка примеси; 
6. Формирование затвора. 
 Фотолитография по слою оксида для формирования затвора 
транзистора; 
 Окисление под затвор; 
 Наращивание поликристаллического кремния; 
 Диффузия фосфора; 
 Снятие фосфорносиликатного стекла; 
 Фотолитография по слою поликристаллического кремния; 
7. Формирование контактов. 
 Фотолитография по слою оксида (вскрытие окон под контакты); 
 Нанесение газофазного окисла; 
 Фотолитография по слою оксида (вскрытие окон под контакты); 
8. Формирование слоя коммутации. 
 Распыление магнетронное (нанесение слоя алюминия); 


119 
 Фотолитография (формирование шин коммутации и контактных 
площадок для монтажа кристаллов с микросхемой в корпус); 
 Нанесение газофазного окисла (защита поверхности кристалла с 
микросхемой от окружающей среды); 
 Фотолитография (вскрытие окон к контактным площадкам и 
полосам кремния на поверхности подложки для разделения её на 
кристаллы с микросхемами). 
5.2.2. Особенности конструкции КМОП-пары транзистора
На рис. 5.7 приведена схема сечения участка кристалла ИС, на котором 
располагается два взаимодополняющих МОП-транзистора в изолированных 
областях («карманах»). Левый «карман» легирован на большую глубину 
акцепторной примесью для формирования в нем n-канального МОП-
транзистора. В правом «кармане» сохраняется исходный кремний, имеющий 
электронную проводимость. В каждом кармане создаются стоки и истоки 
транзисторов, а также противоинверсные области, являющиеся частью 
изоляции смежных структур. 
Рис. 5.7 Схема сечения участка кристалла
Другой 
важной 
особенностью 
планарной 
структуры 
КМОП 
интегральных схем серии 590, является сложность её технологического 


120 
процесса, приведённая в предыдущем разделе и в таблице 5.1. Об этом же 
свидетельствует и таблица 5.1. 
Таблица 5.1. Основные конструктивно-технологические характеристики 
слоёв кристалла комплементарной пары МОП транзисторов, 
приведённых на рис.5.7.  


121 
Сложность 
технологии 
изготовления 
микросхем 
этой 
серии 
характеризуется не только процессами, приведёнными в таблице 5.1, но и 
процессами фотолитографии, которые не вошли в таблицу и которых в 
технологическом процессе насчитывается не менее 15. Если же учесть, что 
каждый процесс фотолитографии включает не менее 10 технологических 
операций, то станет понятной справедливость утверждения о сложности 
технологического процесса.
Н
едостатком данной серии микросхем является их невысокое 
быстродействие. Это связано с тем, что возникает паразитная емкость шин 
коммутации. Поскольку данная серия ИС является высоковольтной, 
необходимо чтобы межслойная изоляция, диэлектрик затвора и защитный 
окисел были довольно большой толщины. В данной серии толщина 
межслойной изоляции примерно 0,65 мкм, диэлектрика затвора 0,12 мкм, а 
защитного окисла 0,17 мкм. На участках, которые покрыты слоем оксида 
кремния толщиной 0,12 мкм и 0,65 мкм, возникает наибольшая вероятность 
возникновения паразитной емкости. На остальных участках вероятность 
возникновения емкости не так велика, но также возможна.

Download 12,44 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   29   30   31   32   33   34   35   36   ...   42




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish