Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

5.1.4. Влияние эффекта дальнодействия на ВФХ
МОП-структур при 
точечном облучении 
При исследовании ВФХ тестовых МОП-структур, облучённых ИИВЛ, 
было обнаружено, что изменения ВФХ наблюдаются также и за пределами 
облучённых участков. Поэтому этот «эффект дальнодействия» был 
исследован более подробно. 
 

---

116 
величиной интегральной, которая учитывает как изменение встроенного 
заряда в окисле, так и изменение заряда на поверхностных состояниях. 
Рис.5.6. Нормированные изменения напряжения плоских зон за пределами облученной 
области в зависимости от расстояния до края электрода тестового МОП конденсатора. 
поверхностных состояний и краевого эффекта [112].
 

---

117 
5.2. Влияние воздействия лазерного облучения на параметры элементов 
тестовой КМОП микросхемы типа К590КН6 
5.2.1. Технологический процесс 590 серии 
Ниже кратко описан технологический процесс КМОП ИС серии 590. 
Можно выделить следующие основные этапы технологического процесса. 
1. Формирование «p-кармана». 
 Термическое окисление; 
 Фотолитография по слою оксида; 
 Ионная имплантация бора через оксидную маску; 
 Термическое окисление; 
 Осаждение слоев нитрида; 
 Разгонка примеси; 
 Травление нитрида кремния; 
2. Формирование стоков и истоков n-канального транзистора. 
 Термическое окисление; 
 Фотолитография по слою оксида для формирования n
+ 
стока и 
истока; 
 Ионная имплантация фосфора через оксидную маску; 
 Разгонка примеси; 
3. Формирование стоков и истоков p-канального транзистора. 
 Фотолитография по слою оксида для формирования p
+
стока и 
истока; 

---

118 
 Ионная имплантация бора через оксидную маску; 
 Разгонка примеси;