O’zbekistonda inson manfatlari xamma narsadan ustun. Inson huquq va manfaatlarini ta’minlash, xalqimiz uchun munosib turmush sharoitini yaratib berishdan iborat

Tadqiqotning respublika fan va texnologiyalari rivojlanishining asosiy ustivor yonalishlariga bog’liqligi. Dissertasiya tadqiqoti qisman O’zbekiston Respublkasi fan texnologiyalar hamda Respublika Fanlar akademiyasining fundamental fanlarni qo’llab quvvatlash fondi asosidagi ustivor yo’nalishlariga muvofiq bajarilgan.
Dissertatsiya mavzusi bo’yicha horijiy ilmiy tadqiqotlar sharhi. A³B⁵ birkmalari asosida yorug’likka o’ta sezgir fotoqarshiliklar hamda maydon fototranzistorlari boyicha shuningdek Si asosidagi statik iduksiyali fototranzistorlar bo’yicha tadqiqotlar yetakchi ilmiy markazlar va universitetlar tomonidan jumladan Berkl(aqsh) va Mitsubisi Elektrik (Yaponiya), Reseach Institute of Elektrcal Communikation,Tohoku Universty(Yaponiya),A.F.Ioffe nomidagi Fizika-Texnika ilmiy tekshirish instituti, hamda Respublikamizda “Fizika –Quyosh”ilmiy ishlab chiqarish birlashmasi Fizika-Texnika instititida GaAs-AlGaAs asosida fotoqarshiliklar, maydon fototranzistorlari olish texnologiyalari ustida izlanishlar olib borilmoqda.
Jahon miqiyosida qancha dolzarb masalalar yechilgan bo’lib, jumladan, yangi yarimo’tkazgichli materiallar ichki kuchaytirishga ega bo’lgan asboblar olish sohasida muhum ilmiy natijalar olingan:o’ta o’tkazuvchanlik effekti asosida yorug’lik bilan boshqariluvchi maydonli transistor barpo qilingan-(Yaponiya Tanbiy fanlar Milliy universitetida); statik induksiali vertikal kanalli maydon tranzistorlari ishlab chiqilgan (Yaponiyaning Soniy Firmasida);Si(111)kremniy taglikda yuqori sifatli AlGaN/GaN alyuminiy-nitrid galliyli epitaksial qatlamlar o’stirish texnologiyasi asosida yuqori xaroratga chidamli maydon tranzistorlari olingan-(AQSHning Nitronex komponiyasida)
Bugungi kunda vertikal fotoqarshilik va vertikal maydon fototranzistorlar yartishga bag’ishlangan ilmiy tadqiqot ishlari ustuvor olib borilmoqda.
MUAMMONING O’RGANILGANLIK DARAJASI
1873 yilda Smit W tomonidan birinchi marta Se (Selen) elementida ichki fotoeffekt qayd etildi.Yani birinchi fotoqarshilik yaratilgandan buyon jahonning ko’p mamlakatlarida turli yarimo’tkazgichli materiallr asosida ma’lum spektral diapazonga mos keluvhi turli planar foto qarshiliklar yaratilib masalan 0,5 mkmli to’lqin uzunligiga CdS, boshqa to’lqin uzunliklariga PbS,InSb, agar to’lqin uzunligi 10mkm bo’lsa eng yaxshi material HgCdTe deb Eisnman W.l.,Merriman J.D., Potter R.F lar ma’lumot berdilar.Yani Anderson L.K.,didomenko M.,va boshqalar tomonidan tezkor fotodedktorlar hamda WillardsonR.K.,Bear A.C lar infraqizil diapazondagi fotodetektorlarni o’rganishdi. Stilman G.E.,Wolfe C.M.,Dimmock J.O.lar o’zlarining Far-Infrared Photoconductivity in High Purity GaAs nomli ishida100- 400 mkmli to’lqin uzunligidagi nurlarni detektorlash uchun eng zo’ri GaAs ekanini ko’rsatishgan. Birinchi martta zamonaviy strukturada Shottki zatvorli yuqori chastotali Maydonkanal qalinligi 3000 Å, zatvor 1mkm va zatvor hamda stok orasidagi masofa 2 mkm bo’lib fotodetektor sifatida olingan bu ishni Sugeta T.,Mizushima C tadqiq etishgan. Maydon tranzistorlariga yorug’likni yaxshi yig’ish uchun Yaponiyalik olimlar Yamaguchi E., KobayashiT lar kam legirlangan GaAs asosida nisbatan qalin kanalli normal yopiq tranzistorlarni tadqiq qilishdi.
Yuqoridagilardan ko’rinadiki planar fotoqarshilik va maydon fototranzistorlrda geometrik cheklanganlik va yorug’likni faol sohaga smarali shuningdek elktronlarning harakatlanish yo’nalishida kiritish bir oz noqulayalik tug’diradi. Planar strukturalardan farqli ravishda yorug’likni samarali kiritish va asbobning kuchaytirishini, tezkorligini oshirish uchun talab qilingan elektrik hamda fotoelektrik xususiyatlarini yaxshilashning muammolari yechilmay qolmoqda.