Oʻzbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi navoiy davlat

Mavzu: Xotira va uning turlari. Kesh xotira, xotira ierarxiyasi.

Shaxsiy kompyuterlar xotiraning 4 ta ierarxik darajasiga ega:
• mikroprotsessorli xotira (MPX);
• registrli kesh-xotira;
• asosiy xotira (AX);
• tashqi xotira (TaEKD).
Birinchi uchta tipdagi eslab qoluvchi qurilmalarning tezkorligi ularga murojaat qilish vaqti (t_mur) bilan o‘lchanadi, tashqi eslab qoluvchi qurilmalarning tezkorligi esa ikkita parametr bilan: murojaat qilish vaqti (t_kid) va o‘qish tezligi (V_o‘qish) bilan o‘lchanadi.
T_mur — malumotlarni qidirish, o‘qish va yozish vaqtlari yig‘indisi;
t_kid — yig‘uvchida (tashuvchi) malumotni qidirish vaqti;
V_o‘qish — axborotning yonma-yon baytlarini ketma-ket (transfer) o‘qish tezligi.
Umumiy qabul qilingan qisqartirishlarni eslatib o‘taniz:sekund, ms — millisekund, mks — mikrosekund; 1 s=10³ ms=10⁶ mks=10⁹ ns.
Mikroprotsessorli xotira
Mikroprotsessorli xotira (MPX) — unchalik katta bo‘lmagan, lekin o‘ta tezkor xotiradir (MPX ga murojaat qilish vaqti, ya’ni bu xotiradan ma’lumotlarni o‘qish, qidirish yoki yozish vaqti nanosekundlar — mikrosekundning mingdan bir ulushlari bilan o‘lchanadi).
U mashina ishlashining yaqin taktlarida hisoblashlarda qatnashadigan ma’lumotlarni qisqa vaqt saqlash, yozish yoki berish uchun mo‘ljallangan; MPX mashinaning yuqori tezkorliligini ta’minlash uchun ishlatiladi, negaki asosiy xotira (AX) tez harakat qiladigan mikroprotsessorni samarali ishlashi uchun kerak bo‘lgan ma’lumotlarni qidirish, o‘qish va yozish tezligini har doim ham ta’minlay olmaydi.
Asosiy xotira
Asosiy xotira ( AX ) o‘z ichiga tezkor (RAM — Random Access Memory) va doimiy (ROM — Read Only Memory) eslab qolish qurilmalarini oladi.
Tez eslab qolish qurilmasi (TeEQQ SHK ishining joriy bosqichidagi hisoblash jarayonida bevosita qatnashayotgan axborotlarni (dasturlar va qiymatlar) saqlash uchun. mo‘ljallangan.
¹
TeEQQ — energiyam bog‘liq xotira: kuchlanish uzilganda unda saqlanayotgan ma’lumot yo‘qoladi. TeEQQ, asosini yarim o‘tkazgichli eslab qolishelementlarining (triggerlarni) matricasini o‘z ichiga olgan katta integral sxemalar tashkil etadi. Eslab qoluvchi elementlar matricaning vertikal va gorizontal shinalarining kesishishida joylashgan; ma’lumotlarni yozish va o‘qish tanlangan xotira yacheykasiga tegishli bo‘lgan elementlar bilan ulangan matricaning shinalari bo‘yicha elektr impulslarni berish orqali amalga oshiriladi.
Konstruktiv jihatdan tezkor xotira elementlari ayrim xotira modullari ko‘rinishda bajariladi — katta bo‘lmagan plataga bitta yoki bir nechta mikrosxemalar kavsharlangan.
Qo‘llaniladigan modullar tiplari:
— DIP (Dual In Line Package) va SIPP (Single In Line Package), hozir juda kam qo‘llanilmoqda;
— SIMM (Single In Line Memory Module); SIMM modullari 256 Kbayt, 1, 4, 8, 16, 32 yoki 64 Mbayt sig‘imga ega, saqlanayotgan bitlar juftligini nazorat qilinadi va nazorat kilinmaydi; kompyuterning bosh platasi raz’yomlariga mos keluvchi 30 - («qisqa» — eskirgan variant) va 72-kontaktli («uzun») raz’yomlarga ega bo‘lishi mumkin; uzun modullar RAM EDO xotirasini tashkil etishda ham qo‘llaniladi.
— DIMM (Dual In Line Memory Module) — 168-kontaktli raz’yomlarga ega bo‘lgan yangi tipdagi moduldir; shunday mos raz’yomlarga ega bo‘lgan faqat yangi tipdagi tizimli platalarga o‘rnatilishi mumkin. DIMM modullari RAM EDO va SD RAM xotiralarni tashkil etishda qo‘llaniladi.
Xozirgi kompyuterlarda eslab qolish qurimalarining uchta ko‘rinishi ishlatiladi.

•