O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi I. Karimov nomidagi toshkent davlat texnika universiteti “elektronika va avtomatika” fakulteti

Masala 5. GT108A tranzistorda yeg’ilgan kaskad uchun (rasm 4 a) ga qarang dinamik rejimda joylashishi sxemasini chizing va h₁₁=0,7kOm, h₂₁=115,h₂₂=170⋅ 10^-6Sm, R_K=1,27 kOm, R₁=47 kOm , R₂=3,75 kOm,R_n=5kOm bo’lganida dinamik parametrlarini hisoblang.
Yechilishi
Sxemada dinamik rejimda toklar u_vx o’zgaruvchan signal manbai tasirida o’tadi. Kaskad konditsatorlarini simini shunday tanlaymizki ular signal chastotasiga qarshiligi kam bo’lsin va ularni biz hisobga olmasak. Manbaning ichki qarshiligi E_K ham nolga tenglashtiriladi, shu sababli -E_K chiqishi sxemani umumiy nuqtasi bilan ulangan bo’ladi (rasm 6 a)
R₁ va R₂ qarshiloklar parallel ulangan va biz ularni o’rniga ekvivalent qarshiliklar bilan almashamiz.

Tranzistor sxemasini h-parametrlaribilan joylashgan deb o’ylab (rasm 2 ga qarang ) kaskad sxemasini dinamik rejimida hisoblanishini olamiz (rasm 6 b ). Ushbu sxema uchun topamiz :


Rasm 6

Masala 6. KP103M, maydon tranzistorining umumiy istok sxemasi bilan ulangan kaskadi uchun (rasm 5 ga qarang) dinamik rejimda jiylashish sxemasini chizing va S=1,5 mA/B,R_i =30 kOm,R₁=1 Mom, R_C=1,25 kOm, R_Н=5 kOm bo’lganida dinamik parametrlarni hisoblang.
Yechilishi. U_вx kirish signalini chastotasida S₁,S₂,S_I(X_S-> 0) kondensatorlarini qarshiligini hisobga olmaymiz va E_С manbaning ichki qarshiligi nolga teng olamiz. Agar maydon tranzistorini joy berish sxemasini joylanish sxemasi bilan almashtirsak (rasm 3 b ga qarang ) shunda rasm 7 da keltirilgan hisoblanishini olamiz bu sxemada zatvor – istok qarshiligi R₃=10⁹ Om>>R₁=1 Mom i R_i= 30 kOm >> R_С =1,25 kOm, shu sababli hisoblashlarda ularni hisobga olmasa ham boladi.

Rasm 7.
Shunda soddalashtirilgan ega bo’lamiz :

Kaskadniп kirish qarshiligi katta bo’lgani sababli K_I tok bo’yicha kuchaytirish koeffisienti juda katta bo’lishi mumkin. Maydon tranzistordagi kaskadni kirish quvvati.

BI qutubli tranzistir dagi kaskad uchun esa ( 5 masalaga qarang)

Shunday qilib, maydon tranzistoridagi kaskad signal manbaidan deyarli 2000 marta kam quvvatni istemol qiladi BI qutubli tranzistorga qaraganda.