O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim va zirligi

14.1-Rasm. Nuqtaviy diod: 1-qism, 2- shiha tanasi, 3- yrim o’tkazgichli kristall, 4- prujina.
1 mm² va qalinligi 0,5 mm bo’lgan germaniyli yoxud kremniyli n - xil kristall mahkamlanadi. Kristallga akseptor aralashma bilan legirlangan po’latli yoki bronzali nina sanchilib turadi. Asbobni formalash uchun nina va kristall orqali katta tok impulslari o’tkaziladi. Bunda ninaning uchi eriydi va akseptor aralashmaning bir qismi kristallga aralashadi. Nina atrofida teshikli elektr o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan nuqtaviy soha hosil bo’ladi. Kristall bilan shu sohaning chegarasida elektron-teshikli o’tish hosil bo’ladi. Nuqtaviy diodning maksimal to’g’ri toki 16 mA ga, maksimal teskari kuchlanish 50 voltga teng bo’ladi. p-no’tishning yuzasi kichik bo’lgani uchun diodning elektrodlar orasidagi sig’imi kichik (taxminan 1 pfga teng). YAssi diodlar qotishtirish (splavlenie) yoki diffuziya usullari bilan tayyorlanadi. Qotishtirish usulida donorli yarim o’tkazgichga akseptorli aralashmaning tabletkasi joylashtiriladi. Tabletka pechkada 500°S gacha qizitilganda erib, kristallga aralashadi va p- xil sohani tashkil qiladi. Kristall va tabletka chegarasida p-no’tish hosil bo’ladi. Diod diffuziya usuli bilan tayyorlanganda donorli aralashma kristall-gaz akseptorli muhitga (akseptorli ara- lashma kristall-gaz donorli muhitga) joylashtiriladi va uzoq vaqtgacha berilgan temperaturada etishtiriladi. Akseptorli aralashmaning molekulalari kristall ichiga, kirib, kristallning elektr o’tkazuvchanlikka teskari elektr o’tkazuvchanlik sohasini hosil qiladi (XVI.8- racm). Germaniy kristali kristall tutqichda mahkamlangan va unga pastki qismi payvandlanadi. YUqoridagi qismasiichki qisma orqali indiy bilan

ulangan. Diodning metall tanasi kristall tutqichi va shishali izolyator bilan payvandlanadi.