O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim va zirligi

14.4-Tranzistorning ish prinsipini tushuntirish sxemasi.

Emitterda teshiklarning konsentratsiyasi asosda elektronlar konsentratsiyasining to’planishiga nisbatan ancha katta bo’lgani uchun elektronlarning qarshi oqimi ancha kichik bo’ladi. Teshiklarning ozgina qismi elektronlar bilan qayta birikadi. Elektronlarning kamayishi tashki zanjirlardan

asosga kirayotgan yangi elektronlar bilan to’ldiriladi. Bunda asos toki

^I _А hosil

bo’ladi. Teshiklarning ko’pgina qismi E_k manbaining elektr maydon ta’-sirida asosdan kollektorga o’tib, kollektor toki ^I_к ni hosil qiladi. SHunday qilib tranzistor toklari uchun quyidagi munosabat o’rnatiladi:

I _э  I _к

• 
  ^I_a yoki ^I_a
  

 I_э  I_к

(14.1)

Kollektorda kuchlanish o’zgarmas holda ^U_к ^{ const}

kollektor va emitter

toklar orttirmalarining nisbati tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienta deyiladi.

a  K<sub>i

</sub> I_к

I_э
bunda

U_к  const
(14.2)

Tranzistor bu usulda ulanganda tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti

^{  0,9  0,95} ga teng bo’ladi. Kirish (asos) tokining o’zgarishlari muvofiq chiqish

(kollektor) tokining o’zgarishiga olib keladi. Emitterlip-n o’tish to’g’ri yo’nalishda, kollektorli p-n o’tish teskari yo’nalishda ulangani uchun, kollektorning tokka kirish kuchlanishi chiqish kuchlanishiga nisbatan qattiqroq ta’rir qiladi. Tok va kuchlanishlarning o’zgaruvchan qismlari orasidagi bog’lanish quyidagicha ifodalanadi:

^Uкир

 I_э  R_кир

^{va U}чик

 I_к  R_ю

 I_э  R_ю

(14.3)

Tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti 1 dan kamroq bo’lsa ham kuchlanish

va quvvat bo’yicha kuchaytirish koeffitsientlari

^К_u va

^К _р lar katta qiymatlarga

erishishi mumkin. To’g’ri ulanishda emitterli o’tishning o’zgaruvchan tokka ko’rsatadigan qarshiligi bir necha o’n Omga etadi. Lekin kollektorli o’tishning qarshiligi teskari ulanishda bir necha yuz kiloOmga etadi. SHuning uchun

tranzistorning chiqish zanjiriga katta qarshilikli yuklanishni

Bunda kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti:

R_к R_кир

ulash mumkin.

^Ku ^{ U}чик

^U кир

 I  R_к

^Iэ ^{ R}кир

   I_э  R_к

^Iэ ^{ R}кир

   R_к

^{Rкир 1} (14.4)

Quvvat bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti:

K  Р

Р  I ²  R

I ²  R

  ²  R R

1

(14.5)

р чик

кир

к к к

кир

к кир

3. Qo’sh qutbli tranzistorning statik rejimlari

Odatda tranzistorning bitta elektrodi kirish zanjirini, boshqasi chiqish zanjirini tashkil qiladi. Uchinchi elektrodi kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy bo’ladi. Kirish zanjiriga kirish signalining manbai, chiqish zanjiriga esa yuklanish ulanadi. Qaysi elektrod umumiy bo’lishiga qarab tranzistorlarda umumiy asosi (UA), umumiy emitteri (UE) va umumiy kollektori (UK) bilan ulangan sxemalar ajratiladi. Umumiy asos bilan ulash sxemasini (14.5, a-rasm) biz yuqorida o’rganib chiqqan edik. Bu sxemada tok bo’yicha kuchaytirish bo’lmaydi va uning qiymati