O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim ta’lim vazirligi

 

 

 

 

 

a)                                                    b) 

2.2.2. -  rasm.Kristallarda  yorug’likni  yutilishida  asosiy  electron  o’tishlar(a),  to’g’ri 

va noto’g’ri zonararo o’tishlar (b).  

    Uzluksiz chiziq   yarimo’tkazgichni , qaysiki electron energiyasini minimum va 

kovak energiyasini maksimumi impuls qiymatiga to’g’ri keladi( to’g’ri zonalar 

deyiladi).Sodda holda elektronni kinetic energiyasi impuls bilan quyidagi 

---

31 

 

munosabat bilan bog’liq E =  p

2

/(2m) . 1 strelka elektronni “to’g’ri” o’tishlarini 

impulsni o’zgarishsiz yuz berishini tasvirlaydi.Foton impulsi h√ /c (√ - chastota, c – 

yorug’lik tezligi),juda kichik, va foton yutuvchi electron impursini o’zgarishini 

hisobga olmasa ham olasa bo’ladi. 1’ o’tish “notog’ri” va electron impulsini 

o’zgarisi bilan yuz beradi.Bunda fotoni yutolish jarayonida uchinchi zarracga – 

fonon ( kristallda tebranish energiyasi kvanti). 

      To’g’ri zonali moddalarga optoelektonikada keng foydalaniladigan materiallar, 

masalan: GaAs ( man qilingan zona kengligi ΔE =1,4 eV), CdSe (1,8eV),  CdS (2,5), 

ZnS (3,7) va boshqalar. 

      Shunday holler bo’lishi mumkinki, elektronlar va kovaklarni ekstremum 

energiyalari diagrammada E(p) turli p ga (2.2.2. - rasmda uzulishli chiziqlar ) to’g’ri 

kelishi mumkin.Bunda o’tishlar fotonlarni kichik energiyasida faqat noto’g’ri (1’’) 

bo’lishi mumkin.Fotonlarni ancha yuqori emergiyalarida to’g’ri o’tishlar (1) 

saqlanishi mumkin. Noto’g’ri zonali materiallarga , masalan, Ge (0,7 eV),  Si (1,1 

eV), AlAs (2,2 eV),  GaP(2,3 eV) va SiC nini turli politiplari (2,4 – 3,1 eV) kiradi.