O’quv materiallari ma’ruzalar matni mavzu-1: Kirish. Kursning vazifasi. Quyosh elementlarining xalq xo’jaligida qo’llanilishi. Quyosh nurlanishi. Reja

Ion implantasiya yo’li bilan p-n- o’tish olish. Ion-implatasiya usuli bilan kiritilmoqchi bo’lgan atomlar ion holatda katta energiya bilan (40­­­­­­100 keV) kristallni bombardimon qiladi. Natijada ionlar ma’lum qalinlikka kiradi. Lekin bunda ionlar bosib o’tgan yo’ldagi kristall panjara qat’iy buzilganligi uchun u amorf jismga aylanadi. Kiritilgan ionlar ma’lum masofada yig’ilib qolganligi uchun ular elektroaktiv holda bo’lmaydi. Kristall parjarani amorf holdan qaytarish uchun va kirishma atomlarini aktivlashtirish uchun ion imlatasiyadan keyin kristallar ma’lum temperaturada qizdiriladi. 900 ⁰C temperaturada qisqa vaqt qizdirilganda natijada diffuzion kirishmadan farqli holda yetarli bir kosentrasiyaga ega bo’lgan (kirishma atomlariga) ma’lum qalinlikdagi kristall sirtiga ega bo’ladi. Odatda ionlarning kristall ichiga yugurish yo’li energiyaga bog’liq holda bir necha 100-1000 Angstremgacha bo’lishi mumkin.