Оптик сигналларнинг қандай хусусиятларини биласиз?

37.ЁД ва унинг иш принципини тушунтиринг.
Yorugiik diodi nomonoxromatik va nokogerent nurlanish manbayi bolib, uni tayyorlashda GaAs, GaAlAs, InGaAsP, GaP, SiC kabi to‘g‘ri zonali yarimo‘tkazgich materiallardan foydalaniladi. U n turdagi GaAs qatlami sirtiga rux atomlarini diffuziya qilib, p - GaAs qatlamini shakllantirish va shu tariqa p-n o ‘tishli tuzilma hosil qilish yo'li bilan tayyorlanadi. So‘ngra p - GaAs v a n - GaAs qatlamlarining tashqi sirtlari mos ravishda aluminiyli va AuGe aralashmali pardasimon metallashtirilgan qatlam lar bilan qoplanadi va ularga oltin simli chiqqichlar o‘rnatiladi. Asbob asosini tashkil etgan kristallning yuza sirti o‘lchamlari 0,3 - 0,5 m m li kvadrat ko‘rinishiga ega b o ‘ladi. Tolali optik aloqa tizimlarida nurlanuvchi sirt yuzasi nisbatan kichik o ‘lchamli (J=50 mkm) yorug‘lik diodlaridan foydalaniladi. Buning uchun yorug‘lik diodi em itter sohasi (p —GaAs sohasi)ning chetki qismlari protonlar bilan bombardimon qilinadi. Natijada bu qismlar nurlanish sohasini cheklovchi amorf tuzilishli dielektrik qatlamga aylanadi. Injeksion yorug‘lik diodi (uni bundan keyin qisqacha qilib, yorug‘lik diodi deb ataymiz) p-n tuzihshli optoelektron asbob bo‘lib, uning ish mexanizmi to ‘g‘ri ulangan p-n o‘tish orqali n sohadan p sohaga injeksiyalanayotgan elektronlar va p sohadan n sohaga injeksiyalanayotgan kovaklarning o‘zaro rekombinatsiyasi jarayonidan foydalanishga asoslangan.
38.ЁД нурланишининг йўналганлик диаграммаси ва уни яхшилаш усулларини таърифланг.
Yorug‘lik diodi nuqtaviy yorug‘lik manbayi sifatida yo‘nalganlik diagrammasi bilan tavsiflanadi. Bu diagrammaning ko'rinishi yorug‘lik diodining tuzilish xususiyatlari, shuningdek, p- va n-tur materiallaming xossalari bilan aniqlanadi. Yorug‘lik diodining u yoki bu ko‘rinishdagi yo'nalganlik diagrammasiga yomg'lik manbayi bilan yaxlit tuzilishga ega bo'lgan qaytargichlar vositasida erishiladi. Biroq yassi tuzilishli diodlarda bu fotonlarning barchasi ham tashqariga chiqa olmaydi. Ularning ko‘pchiligi to ‘la ichki qaytish hodisasiga ko‘ra, diod chegarasidan qaytadi va yarimo'tkazgich materialli tomonidan qayta yutiladi. Aktiv (ishchi) sohada generatsiyalangan nurlanishning tashqi muhitga chiqishini oshirish va uning yo‘nalganlik diagrammasini yaxshilash uchun yorug‘lik diodini tayyorlash chog'ida unga u yoki bu ko‘rinishdagi shakl beriladi. YorugMik diodining sirtiga parabolik shakl berish y o ‘li bilan nokogerent nurlanish yo‘nalganlik darajasining yanada yuqori bo'lishiga erishish mumkin. Bu holda p-n o ‘tish parabolik sirtning fokusiga joylashtiriladi va nisbatan kichik o‘lchamli qilib tayyorlanadi. Natijada generatsiyalangan nurlanish orqa sirtdan to ‘liq ichki qaytib, old sirtga deyarli parallel ravishda chiqadi. Yuqorida ko‘rib chiqilgan, maxsus shakl berilgan yoritkich diodlarining umumiy kamchiligi shundaki, ularni tayyorlash nisbatan murakkab va shu sababli qo‘shimcha sarf-xarajat talab qilinadi. Agar tashqi m uhit sifatida havodan emas, sindirish ko‘rsatkichi yoritkich diodi materialining sindirish ko‘rsatkichiga yaqin shaffof modalardan foydalanilsa yoki diod sirti ravshanlantiruvchi maxsus qatlam bilan qoplansa, yassi tuzilishga ega bo‘lgan yoritkich diodlarida ham kristall tashqarisiga chiqadigan yorug'lik intensivligini anchaga oshirish mumkin. Optik tolali uzatish tizimlarining uzatuvchi modulida aynan shu usuldan foydalaniladi.