Оптик сигналларнинг қандай хусусиятларини биласиз?

35.Оптик сигналларни узатувчи нурланиш манбаларига қандай талаблар қўйилади?
OA tizimlari nurlanish manbalariga qo'yiladigan umumiy talablar quyidagilar:
- nurlanish manbasining to'lqin uzunligi optik tolalarning yo'qotishlarining minimum spektral taqsimlanishlaridan biriga to'g'ri kelishi kerak;
- manba tuzilishi chiqishda bir muncha yuqori quvvatli optik signallarni nurlanishini va uni optik tolaga samarali kirishini ta'minlashi kerak;
- manba yuqori ishonchlikka ega bo'lishi va ko'p muddatga xizmat qilishi kerak;
- o'lchamlari, og'irligi va sarf qiladigan quvvati minimal bo'lishi kerak;
- texnologiyalarning oddiyligi arzon narxlarni va yuqori ishlab chiqaruvchanlikni ta'minlashi kerak.
36.ЁДнинг қандай турларини биласиз ва уларнинг фарқи нимада?
Yorugiik diodi nomonoxromatik va nokogerent nurlanish manbayi bolib, uni tayyorlashda GaAs, GaAlAs, InGaAsP, GaP, SiC kabi to‘g‘ri zonali yarimo‘tkazgich materiallardan foydalaniladi. U n turdagi GaAs qatlami sirtiga rux atomlarini diffuziya qilib, p - GaAs qatlamini shakllantirish va shu tariqa p-n o ‘tishli tuzilma hosil qilish yo'li bilan tayyorlanadi. So‘ngra p - GaAs v a n - GaAs qatlamlarining tashqi sirtlari mos ravishda aluminiyli va AuGe aralashmali pardasimon metallashtirilgan qatlam lar bilan qoplanadi va ularga oltin simli chiqqichlar o‘rnatiladi. Asbob asosini tashkil etgan kristallning yuza sirti o‘lchamlari 0,3 - 0,5 m m li kvadrat ko‘rinishiga ega b o ‘ladi. Tolali optik aloqa tizimlarida nurlanuvchi sirt yuzasi nisbatan kichik o ‘lchamli (J=50 mkm) yorug‘lik diodlaridan foydalaniladi. Buning uchun yorug‘lik diodi em itter sohasi (p —GaAs sohasi)ning chetki qismlari protonlar bilan bombardimon qilinadi. Natijada bu qismlar nurlanish sohasini cheklovchi amorf tuzilishli dielektrik qatlamga aylanadi. Injeksion yorug‘lik diodi (uni bundan keyin qisqacha qilib, yorug‘lik diodi deb ataymiz) p-n tuzihshli optoelektron asbob bo‘lib, uning ish mexanizmi to ‘g‘ri ulangan p-n o‘tish orqali n sohadan p sohaga injeksiyalanayotgan elektronlar va p sohadan n sohaga injeksiyalanayotgan kovaklarning o‘zaro rekombinatsiyasi jarayonidan foydalanishga asoslangan. Bu jarayon natijasida elektronlar yuqori energiyali qo‘zg‘algan holatdan (o'tkazuvchanlik energetik sohasidan) quyi energiyali qo‘zg‘almagan holatga (valent elektronlarining energetik sohasiga) o‘tib, p-n o‘tish va unga yaqin hajmiy fazoda energiyasi quyidagi munosabat bilan aniqlanadigan fotonlar —yorug‘lik nurlanishi hosil bo‘ladi: