Неа фанининг республикамизда жорий қилинаётган илғор технологиялари ва уларни ривожлантиришдаги ахамияти

17-§ Kremniy sirtiga elektrolit usuli yordamida yupqa va o’ta yupqa metalli plyonka hosil qilish


Zamonaviy texnik tizimlar va vositalarni boshqarish hamda fan va texnikaning rivojlanishi elektronikaning etakchi tarmoqlaridan biri bo’lgan mikroelektronika hamda endigina paydo bo’layotgan nanoelektronika sohalarida faoliyat ko’rsatadigan malakali mutaxasislarni tayyorlash bilan uzviy bog’liqdir.
Zamonaviy elektronika mahsulotlari bo’lmish integral mikrosxemalar, mikroprostessorlar, o’ta yuqori chastotali detektorlar, quyosh elementlari, lazerlar, elektron hisoblash mashinalar va o’ta yuqori xotirali tizimlar va boshqa noyob elektrik asboblarni yaratish yangi xususiyatga ega bo’lgan yupqa va o’ta yupqa ko’p komponentli qatlamlar tizimlarini yaratishni taqozo qiladi. Shu boisdan ham keyingi yillarda yupqa va o’ta yupqa qatlamlar hosil qilish texnologiyasi va fizikasiga bo’lgan e’tibor keskin ortib ketdi.
Yupqa plyonkalar olish va ularning xususiyatlarini o’rganish o’tgan asrning 70 yillardan boshlab qo’llanilib kelinayotgan an’anaviy usullari mavjud.
Bu usullar bilan olingan plyonkalarning qalinligi asosan bir necha mikrondan o’nlab mikrongacha bo’lib, ular qattiq jismli elektron asbobsozlikda hozirgi kunda ham muvaffaqiyatli qo’llanilib kelmoqda. Hozirgi vaqtga kelib yupqa (d  10²10³ nm) va o’ta yupqa (d < 100 nm) plyonkalar olishning zamonaviy molekulyar nurli epitaksiya (MNE), qattiq fazali epitakstiya (QFE), ionlar implatastiyasi va eng zamonaviy (nanoassembler) usullari orqali hosil qilish mumkin. Zamonaviy usullar yordamida asosan plyonka hosil qilish o’ta yuqori vakuum sharoitda olib borilishi, o’ta yaxshi tozalangan asos(taglik)lardan va atom (molekula) manbalaridan foydalanilishi, plyonkalarning mukammalligi (yuqori darajada tekisligi, bir jinsliligi, silliqligi, monokristalligi) bilan eski (an’anaviy) usullaridan tubdan farq qiladi.
Hozirgi paytda nanoelektronika rivojlanmoqda, ya’ni elektron asbobsoslikda qalinliklari o’nlab nanometr (1 nm = 10^-9 m) bo’lgan plyonkalarni ishlatish ustida ishlar olib borilmoqda. Bunday plyonkalar ustma-ust, qatlama-qatlam qilib joylashtirilib aktiv va passiv elementlar hosil qilishda ishlatilishi mumkin. Fan va texnika rivojlanib uch o’lchamli tizimlar hosil qilinmoqda. Bunday tizimlarda 1 sm³ hajmda yuz minglab-millionlab yupqa plyonkali elementlarni joylashtirish mumkin. Ular asosida hosil qilingan integral sxemalar katta va o’ta kattaintegral mikrosxemalar deb ataladi.
Demak, kerakli maqsadlarda ishlatilishi mumkin bo’lgan yupqa qatlamlarni hosil qilish, ularning tarkibini, kristall va elektron tuzilishini, fizik va kimyoviy xususiyatlarini o’rganish fanning ahamiyatini belgilasa, olingan yupqa plyonkalarning asbob sifatida ishlatilishi uning xalq ho’jaligida va texnikada qo’llanilishini aks ettiradi.
Yarim o’tkazgichli qattiq jism sirtida yupqa va o’ta yupqa plyonkalar hosil qilishda, zarrachalarning sirtga o’tqazishning bir necha usullari mavjud: vakuum usuli orqali o’tqazish, katodli changlatish, kimyoviy usul orqali o’tqazish, elektrolit orqali o’tqazish.