Navoiy davlat konchilik va texnologiyalar universiteti «energo-mexanika» fakulteti «avtomatlashtirish va boshqarish» kafedrasi

Oqim manbai yordamida Pt100 masofaviy qarshilik termometrini ulash diagrammasi
Kirish manbai va qo'llab-quvvatlash kuchlanish manbai differensial munosabati bilan zamonaviy anal-raqamli Konverter (ADC) foydalanish nafaqat chiqish raqamli signal, microcontroller kiritish uchun tayyor olish imkonini beradi, balki qarshilik termometre ulanish soddalashtirish. Shakl bo'yicha. 8 ADC asosida nozik harorat o'lchaganini ko'radi diagrammasi taqdim etiladi.

Kam shovqinli 24-bit sigma - Delta ADC MAX11201B dan foydalanish qarshilik termometrini nozik oqim yoki kuchlanish manbalariga ehtiyoj sezmasdan ulash imkonini beradi, bu esa past shovqinli past shovqinli stabilizatorni past kuchlanishli (LDO) MAX8510 [15, 16] bilan cheklash imkonini beradi. R5 nozik rezistoridagi kuchlanish tushishi ADC uchun mos yozuvlar kuchlanishini ta'minlaydi. R5 rezistoridan oqib o'tadigan o'lchov oqimi qarshilik termometrini ham qo'zg'atadi, shuning uchun oqim qiymatlarining har qanday o'zgaruvchanligi to'liq qoplanadi. R1 va R6 rezistorlar ADC-ga o'rnatilgan bufer kuchaytirgichlarining normal ishlashini ta'minlaydi. Ular +150 MV dan (AVdd–150) MV gacha bo'lgan "er" ga nisbatan kirish va qo'llab-quvvatlash stresslarining mutlaq qiymatini cheklaydi. Issiqlik qarshiligini uchga ulash uchun ulanish simlari sonini kamaytirish uchun max9617 operatsion kuchaytirgichida va mmbta14 tranzistorida PRAHR182I2 - 750RFW rezistorlar juftligi I1 va I2 oqimlarining tengligini 0,05% aniqlik bilan ta'minlaydi va shu bilan aloqa simlarida [17] kuchlanish pasayishini qoplaydi. Ikkinchisi bir xil turdagi, bir xil uzunlik va kesim bo'lishi kerak. Hozirgi vaqtda qarshilik termometrlarini 2 -, 3 - va 4-simli davrlarga ulash uchun mo'ljallangan turli xil maxsus himoyalangan kabellar ishlab chiqarilmoqda.

Sanoat qo'llanmalari uchun mmbta14 bipolyar kompozit tranzistorlari, ayniqsa, yuqori harorat sharoitida ishlayotganda, dalaga nisbatan afzalroqdir. Izolyatsiya qilingan MOSFET tranzistorlarda, zatvor oqimi har bir 8 °C harorat ortishi bilan ikki barobar va bir necha o'nlab erishish mumkin. Shunday qilib, bipolyar tranzistorning oqim nazorat qilish oqimidan kelib chiqqan oqim oynasi xatosi, izolyatsiya qilingan zatvor bilan yarim himoyachi tranzistordan kamroq bo'lishi mumkin.
Xulosa

Pt100 yordamida o'lchovlarning aniqligini oshirishning bir usuli-qarshilikning haroratga bog'liqligini individual koeffitsientlarini olish uchun ularni bitirishdir. Olingan koeffitsientlar, masalan, raqamli o'lchash tizimining xotirasida saqlanishi va o'lchovlar natijasida tegishli tuzatish kiritilishi mumkin. Biroq, bu usul kichik partiyalarda qabul qilinishi mumkin va bitiruv jarayonining yuqori mehnat zichligi tufayli ommaviy ishlab chiqarishda amalda qo'llanilmaydi. Bunday holda, aniq qarshilik termometrlaridan foydalanish yanada samarali echim bo'lishi mumkin. Shu bilan birga, nozik transport vositasidan foydalanish haqiqati tizimning yuqori aniqligini kafolatlay olmaydi. Shu bilan birga, tanlangan sxemaning etarliligi hal qilinadigan muammoni hal qilish uchun transport vositasini o'z ichiga oladi. Bundan tashqari, ulanish simlari va ulagichlarining uzunligi va sifati, samarali ekranlash, filtrlash, elementlarning malakali tuzilishi va tenglikni kabellari orqali elektromagnit moslashuvni ta'minlash kabi omillarning ta'sirini hisobga olish kerak. Kristall haroratining ADC konvertatsiya natijalariga ta'siri kabi juda aniq, ammo sezilarli xato manbai mavjud bo'lib, uning ta'siri kristalning haroratini o'lchash uchun qo'shimcha sensorni kiritish orqali hisobga olinishi mumkin. Amaliyot shuni ko'rsatadiki, dizaynning turli jihatlarini hisobga olgan holda, faqat shunga o'xshash, kompleks yondashuv zamonaviy elektron texnologiyalar bozorida raqobatbatdosh ustunlikka ega bo'lgan tizimning aniqligi va qiymati bo'yicha muvozanatli yaratishga imkon beradi.