Навоий давлат кончилик институти

I_э=соnst I_k=f(U_кб)


Савол: Потенциал тусик кандай ифодаланади.
Бундай улашда чап томондаги р-n утишнинг потенциал тусиги кичрайиб унг томондаги р-n утишнинг потенциал тусиги ортади. Шунинг учун коваклар факат чап томондаги р-n утишдан ута бошлайди. Р – сохадан n - сохага утган ковакларнинг бир кисми бу сохадаги электронлар билан рекомбинацияланади. Колган кисми эса унг томондаги р-n утиш утишга етиб келади. Бу р-n утиш майдони уларга тезлаштирувчи таъсир курсатади. Натижада коваклар катта тез-лик билан харакатланади ва Е_э ва Е_к манбалар оркали утиб харакат йулини ёпади (ёпик занжир хосил килади). Бунда хосил булган эмиттер ва база токи фойдали ток булиб унинг катталиги чап ёндаги Р-сохадан n - сохага утадиган ковакларнинг микдорига ва уларнинг n – сохада яшаш вактига боглик булади (Расм-4).
Транзисторларнинг р-n утишларида повок токи билан бир катора электрон токлари хам мавжуд. Унг ёндаги кучланиш тескари уланган р-n утишнинг электрон токи эса транзисторнинг тескари токи дейилади. Бу ток фойда келтирмайди n-р-n турдаги транзисторларнинг ишлаши худди шундай факат Е_э ва Е_к манбаларнинг уланиш кутбини тескарисига ургатилади. Унда асосий ток ташувчилар электронлар булади.
Савол: Тугри ва тескари утиш токлари транзисторларда кандай холларда хосил булади .
2. Транзисторлар радиосхемада ишлатилганда унинг электродларидан бири хамма вакт занжирнинг кириш ва чикиши учун умумий булган симга – ерга уланган булади.
Биполяр транзисторларни уч хил уланиш схемаси мавжуд. (расм-5).

1. 
   а)Умумий базали схема – УБ.
   
2. 
   б)Умумий эмиттерли схема – УЭ.
   
3. 
   в)Умумий коллекторли схема – УК.
   

а) б) в)

5-расм. Биполяр транзисторларларни уланиш схемалари

Бу схемалар ичида энг кулай УБ схемаси булиб, унда транзисторнинг хусусиятларини текшириш енгил. Шунинг учун транзисторларнинг хусусиятлари шу схема асосида текширилади. Ундаги эмиттер утишининг повак токини I_эр ва электрон токини I_эп деб белгиласак, эмиттер токи куйидагича ифодаланади:

I_эр = I_эр - I_эп (1)
Унда I_эп базадан эммитерга электронларнинг утишида хосил булган ток. У эмиттердан утиши узоклашгандан сунг эмиттердаги коваклар билан тула рекомбинацияланади ва нолгача камаяди. Натижада ковак токи I_эр ортади.
Худди шундай коллектор утиш токи I_к хам икки ташкил этувчига эга. I_{к р} - ковак токи ва I_{к п} – электрон токи. I_{к р} – катталиги эмиттердан базага утиб коллектор утишига етиб келадиган коваклар микдори билан, I_{к п} – эса, коллектордан базага утадиган электронлар сони билан характерланади.

I_к = I_{к р} + I_{к п} (2)

Транзисторларнинг I_кт – бошкарилмайдиган коллектор токи ёки температура токи. Ташки мухит хароратига жуда боглик булади:

I_кт = А · е^-/т (3)

Бу ерда  - - ярим утказгичнинг материалига боглик булиб,Ge учун 8400 га тенг. Температура токининг температураси – Т. А – маълум киймат тугри келадиган коллектор токи (I_кт (20⁰). Умуман ток тенгламаси килиб куйидаги тенглик олинади:
I_э =I_к + I_ (4)