Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot Texnalogiyalari universiteti 2-bosqich 212-19 guruh talabasi Mahmudov Jayhunbekning Elektronika va sxemalar fanidan 11-mustaqil ishi. Topshirdi: Mahmudov Jayhun

Uke =0V	IB(mkA)	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180
200
UBE (V)	0	0,589	0,607	0,618	0,626	0,632	0,637	0,641	0,645	0,648	0,651
Uke =2V	IB(mkA)	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
	UBE (V)	0	0,592	0,612	0,620	0,630	0,640	0,645	0,650	0,655	0,659	0,664

2– jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi:

IB= 25mkA	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA	0	2,38	2,59	2,85	3,06	3,54	4,01	4,48	4,96	5,42	5,89
IB=150mkA	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA	0	15,91	17,56	19,08	20,6	23,91	27,09	30,12	33,34	36,47	39,78
IB=200 mkA	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA	0	21,48	23,52	25,56	27,81	32,1	36,38	40,47	44,96	49,18	53,27

Olingan natijalarga ishlov berish:

1 va 2-jadvallar asosida olingan o‘lchash natijalari asosida kirish xarakteristikalari oilasi (ya’ni U_KE=const bo‘lganda, I_B=f(U_BE)) va chiqish xarakteristikalari oilasi (ya’ni I_B=const bo‘lganda, I_K=f(U_KE)) bog‘liklik grafiklar chiziladi va va h-parametrlarni kirish va chiqish xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11E va h_12E – kirish xarakteristikalar oilasidan, h_21E va h_22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan):

Kirish xarakteristikasi oilasi (KXO) I_B=f(U_BE) bunda U_KE=0 va 2 V.

Chiqish xarakteristikasi oilasi (ChXO) I_K=f(U_KE) bunda I_B=25;150 va 200mkA.

h parametrlarni hisoblash:

1.h_11E parameter - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:



h_11E parametrni hisoblash:

, bo’lganda

bu yerda: va

2.h_12E parameter - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash:

h_12E parametrni hisoblash:

, bo’lganda ;
bu yerda: va

3.h_21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini

h isoblash:

h_21B parametrni hisoblash:

, bo’lganda

bu yerda: va ;

4.h_22B parameter – tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash:

h_22B parametrni hisoblash:

, bo’lganda ;

Bu yerda: va ;

XULOSA:

Men ushbu laboratoriya mashg’ulotida umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish mavzusi bo’yicha umumiy baza ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etib o’z bilim va ko’nikmalarimni NI multisim dasturiy muhitida sinab ko’rdim va kerakli natijalarni oldim