|
1-қисм. Икки транзисторли БТГ ишлашини тадқиқ этиш.
Лаборатория ишини бажариш тартиби
5.1 - жадвалда берилган параметрлар асосида дастлабги ҳисоблашлар учун берилган формулалар ёрдамида ҳисоб-китоб қилинг;
5.2- расмда келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, олинган натижаларни 5.2 – жадвални тўлдиринг;
5.2 жадвал асосида олинган натижаларга ишлов беринг.
Берилган параметрлар:
1-қисм. Икки транзисторли БТГ ишлашини тадқиқ этишда NI Multisim датурий муҳитида фойдаланилиш тавсия этиладиган транзистор: BC547A;
2-қисм. Икки транзисторли БТГ ишлашини тадқиқ этишда NI Multisim датурий муҳитида фойдаланилиш тавсия этиладиган транзистор: BC556AP.
5.1 – жадвал.
Талаба т/р
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
13
|
14
|
15
|
16
|
EП, В
|
10
|
11
|
12
|
13
|
14
|
15
|
16
|
10
|
11
|
12
|
13
|
14
|
15
|
16
|
10
|
11
|
Iу, мА
|
5
|
5.5
|
6
|
4
|
5
|
4
|
5
|
2
|
3
|
4
|
5.5
|
5
|
3.5
|
4.5
|
4
|
5
|
Дастлабки ҳисоблашлар.
Икки транзисторли БТГ учун R1 қаршиликни ҳисоблаш.
Кремнийдан тайёрланган транзисторларда UБЭ=0,6….0,8 В гача бўлади. R1 ни қуйидаги формула билан ҳисоблаш мумкин.
;
Ишни бажариш.
5.2- расмда келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, R2=Rн қийматларини ўзгартирган ҳолда олинган натижаларни 5.2 – жадвални тўлдиринг:
5.2 – жадвал.
Rн,кОм
|
0
|
0,1
|
0,2
|
0,3
|
0,4
|
0,5
|
0,6
|
0,7
|
0,8
|
0,9
|
1
|
1,1
|
1,2
|
1,3
|
1,4
|
1,5
|
URН, В
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IН, мА
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
δ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Олинган натижаларга ишлов бериш.
Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш: .
Олинган натижалар асосида қуйидаги графиклар чизилади:
1)Iн=f(RН); 2)Iн=f(URН); 3)δ=f (RН).
2-қисм. Уч транзисторли (Уилсон) БТГ ишлашини тадқиқ этиш.
Лаборатория ишини бажариш тартиби
5.1 - жадвалда берилган параметрлар асосида дастлабги ҳисоблашлар учун берилган формулалар ёрдамида ҳисоб-китоб қилинг;
5.3- расмда келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, олинган натижаларни 5.2 – жадвални тўлдиринг;
5.3 - жадвал асосида олинган натижаларга ишлов беринг.
Дастлабки ҳисоблашлар.
Уч транзисторли (Уилсон) БТГ учун R1 қаршиликни ҳисоблаш.
Кремнийдан тайёрланган транзисторларда UБЭ=0,6….0,8 В гача бўлади. R1 ни қуйидаги формула билан ҳисоблаш мумкин.
R1= Uк VT1 / Iу
Бу ерда, Uк VT1 = Uп – Uбэ VT2 – Uбэ VT3 = Uп – 2Uбэ яаъни Uк VT1=Uп – 2Uбэ.
Ишни бажариш.
5.3- расмда келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, R2=Rн қийматларини ўзгартирган ҳолда олинган натижаларни 5.3 – жадвални тўлдиринг:
5.3 – жадвал.
Rн,кОм
|
0
|
0,1
|
0,2
|
0,3
|
0,4
|
0,5
|
0,6
|
0,7
|
0,8
|
0,9
|
1
|
1,1
|
1,2
|
1,3
|
1,4
|
1,5
|
URН, В
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IН, мА
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
δ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Олинган натижаларга ишлов бериш.
Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш: .
Олинган натижалар асосида қуйидаги графиклар чизилади:
1)Iн=f(RН); 2)Iн=f(URН); 3)δ=f (RН).
Ҳисобот мазмуни:
- ишнинг мақсади.
- ўрганилган транзисторнинг параметрлари.
- лаборатория иши макетининг принципиал схемаси.
- бажарилаётган ишнинг ҳар бир босқичи учун – босқич номи ва олинган натижалар (жадвал, график ва осцилограммалар кўринишида).
- олинган натижалар бўйича қисқача хулоса.
6- ЛАБОРАТОРИЯ ИШИ
Майдоний транзисторда ясалган барқарор ток генераторини тадқиқ этиш
Ишдан мақсад: Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ва уч транзисторли ток кўзгусининг ишлашини тадқиқ этиш, NI Multisim датурий муҳитида симуляциялашни ўрганиш.
Назарий маълумотлар
Ушбу турдаги яримўтказгичларнинг параметрлари сезиларли даражада кенг тарқалишига сабабли майдоний транзисторда ясалган ток манбалари асосан анолог интеграл микросхемаларни ишлаб чиқаришда қўлланилади. Бундан ташқари, схемотехникада МДЯ (МОS metal-oxide-semiconductor) структурали майдоний транзисторлардан фойдаланилганда биполяр транзисторли ток кўзгусидан деярли фарқ қилмайди.
Майдоний транзисторда ясалган ток манбалари ток хисоб-китобларини амалга ошириш учун берилган дастлабки маълумотлар: Iу - бошқарувчи ток, ЕП – кучланиш манбаси ва Uзи затвор чегара кучланиши.
Uзи (VGS(th) (Gate Threshold Voltage)) – транзистор очиладиган чегара кучланиш. Бу кучланиш, ўтказувчилар ўртасида канал ҳосил қиладиган кучланиш ҳисобланади ва у сток ва исток ўртасида ток ўтишини таъминлайди. Агар затвор ва исток кучланиши Uзи ни VGS(th) қийматигача пасайтириб борсак транзистор ёпилиб қолади яъни ток ўтмайди.
Ушбу лаборатория машғулотида 2N6660 моделдаги майдоний транзистордан фойдаланамиз. Ҳар бир транзисторнинг параметрлари ва характеристикалари унинг паспортида келтирилган бўлади. Ушбу параметрлар асосида амалиётда қурилма вазифасига қараб транзисторлар танлаб олинади. 2N6660 моделдаги транзистор характеристикалари ва параметрлар қуйидаги 6.1-расмда келтирилган.
6.1-расм. 2N6660 транзистори характеристикалари
Лаборатория иши учун топшириқ.
Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ва уч транзисторли ток кўзгуси (6.2 ва 6.3 расмлар) схемаси асосида Iн=f(RН), Iн=f(URН), δ=f (RН) графикларини ҳосил қилинг ва тахлил қилинг.
6.2-расм. Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ток кўзгуси схемаси
6.3-расм. Майдоний транзисторда ясалган уч транзисторли ток кўзгуси схемаси
Юқоридаги схемалар учун Rн юклама қаршилиги максимал қийматини аниқланг, бунда ток кўзгуси чиқиш токи қиймати кириш ток қийматидан 5 фоизга фарқ қилади ва бу нуқтани графикларда кўрсатинг.
Лаборатория ишини бажариш учун берилган параметрлар:
6.1 – жадвал.
Талаба т/р
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
13
|
14
|
15
|
EП, В
|
14
|
15
|
16
|
13
|
14,5
|
14
|
10
|
15
|
11
|
9
|
11.5
|
14
|
15
|
16
|
17
|
Iу, мА
|
12
|
12.5
|
14
|
11
|
12,5
|
12
|
7
|
13
|
9
|
7
|
9.5
|
12.5
|
13.5
|
14.5
|
15
|
Uзи, В
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
Лаборатория ишини бажариш тартиби
Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ток кўзгуси
Лаборатория ишини бажариш учун 6.2- расмда келтирилган схемани NI Multisim датурий муҳитида йиғинг.
6.1 жадвалда белгиланган вариантингиздаги берилган параметрлар (Масалан: EП=V1=12 В Iу=10 мА, Uзи=2В.) асосида EП кучланиш манбаси қийматини ўрнатинг ва R1 қаршиликнинг қийматини қуйидаги формула асосида ҳисоблаб топинг:
R1= (ЕП – Uзи) / Iу
R1=1000 Ом
Дастлабки ҳисоблаш натижаси асосида схемани созланг, симуляторни ишга туширинг, 6.4- расм.
6.4- расм.
Симуляция нитижасида U1 амперметр бошқарувчи ток Iу=9,981 мА қийматини кўрсатмоқда, лекин вариант бўйича 10 мА бўлиши керак эди. Бунда, ток оқими хатолиги 0,19% ни ташкил этди. Симуляцияни биринчи марта ишга туширганда Iу бошқарувчи ток оқими хатолиги 3% гача бўлиши мумкин.
Бу ерда, Iу ток вариант бўйича, ток олчаб олинади.
Юклама қаршилигининг қийматини RН = 0 Ом дан RН = 1,5 кОм гача 0,1 кОм қийматга ошириб боринг ва натижаларни 6.2 – жадвалга ёзиб олинг.
6.2 – жадвал.
Юқоридаги 6.2-расмда келтирилган схема учун Rн юклама қаршилиги максимал қийматини аниқланг, бунда ток кўзгуси чиқиш токи қиймати кириш ток қийматидан 5 фоизга фарқ қилади ва бу нуқтани графикларда кўрсатинг.
Олинган натижалар асосида Iн=f(RН), Iн=f(URН), δ=f (RН) графикларини ҳосил қилинг.
Do'stlaringiz bilan baham: |
