Мазкур ўқув услубий мажмуа фаннинг ишчи ўқув дастури ва ишчи ўқув режасига мувофиқ ишлаб чиқилди

Майдоний транзисторлар (МТлар). Умумий маълумотлар. р-n ўтиш билан бошкарилувчи МТлар.

Электрод токлари асосий заряд ташувчиларнинг кристалл ҳажмидаги электр майдон таъсирида дрейф ҳаракатланишига асосланган уч электродли, кучланиш билан бошқариладиган яримўтказгич асбоб майдоний транзистор (МТ) дейилади. МТларда ток ҳосил бўлишида фақат бир турли асосий заряд ташувчилар (электронлар ёки коваклар) қатнашгани сабабли улар баъзан униполяр транзисторлар деб аталади. МТларда, БТлардаги каби тезкорликка таъсир этувчи инжекция ва экстракция натижасида ноасосий заряд ташувчиларнинг тўпланиш жараёнлари мавжуд эмас.

МТларда ток бўйлама электр майдон таъсирида эркин заряд ташувчиларнинг дрейф ҳаракати туфайли ҳосил бўлади. Ток ҳосил қилувчи ўтказгич қатлам канал деб аталади ва у n – каналли ва р – каналли бўлиши мумкин. Канал чеккаларига электродлар ўрнатилган бўлиб, уларнинг бири исток, иккинчиси эса сток деб аталади. Электродлардан қай бири исток, қайсиниси сток деб олинишининг аҳамияти йўқ. Заряд ташувчилар қайси электроддан каналга оқса, ўша электрод исток деб, заряд ташувчиларни каналдан ўзига қабул қилувчи электрод эса сток деб белгиланади. Учинчи электрод – затвор ёрдамида каналдаги ток қиймати кўндаланг электр майдон билан бошқарилади.
Тузилмаси ва канал соҳаси ўтказувчанлигини бошқариш усулига кўра МТларнинг бир-биридан фарқланувчи учта тури бор.
1. Затвори изоляцияланган МТларда металл затвор ва канал орасида юпқа диэлектрик қатлам мавжуд. Бундай МТ металл – диэлектрик – яримўтказгич (МДЯ) тузилмага эгалиги сабабли МДЯ-транзистор деб ҳам аталади. Унинг канали қурилган ва канали индукцияланган турлари мавжуд бўлиб: биринчи турдаги транзисторларда канал соҳаси технологик усул билан ҳосил қилинади, иккинчисида эса, канал соҳаси затворга маълум қутбли ва қийматли кучланиш берилганда ҳосил бўлади (индукцияланади). Кўндаланг электр майдон юпқа диэлектрик орқали ўтиб, каналдаги заряд ташувчилар концентрациясини бошқаради.
2. Шоттки барьерли МТларда металл билан яримўтказгичнинг бевосита контакти затвор сифатида ишлатилади. Ишчи режимда тўғриловчи контактга тескари силжитувчи кучланиш берилади. У контакт остидаги яримўтказгичнинг камбағаллашган соҳаси қалинлигини ўзгартириб, ток ўтказувчи канал кенглиги, каналдаги заряд ташувчилар сони ва ундан оқадиган ток қийматини бошқаради.
3. р–n ўтиш билан бошқарилувчи МТларда затвор сифатида канал ўтказувчанлигига нисбатан тескари ўтказувчанликка эга яримўтказгичдан фойдаланилади. Натижада, улар орасида р–n ўтиш ҳосил бўлиб, ишчи режимда ушбу р–n ўтиш тескари силжитилади. Бунда затвордаги кучланиш бошқарувчи р–n ўтишнинг камбағаллашган соҳаси кенглигини ва шу билан ток ўтказувчи канал соҳасининг кўндаланг кесимини, ундаги зарядлар сонини ўзгартиради ва натижада, каналдаги ток қиймати ўзгаради. р–n ўтиш камбағаллашган соҳаси кенглигининг ўзгариши, Шоттки барьер баландлиги ва иккала транзисторларнинг асосий хусусиятлари бир хил бўлгани сабабли, бундан буён затвор сифатида фақат р–n ўтишдан фойдаланадиган МТларни ўрганамиз.
Электр схемаларда МТнинг затвори кириш электроди бўлиб хизмат қилади ва каналдан тескари уланган р–n ўтиш ёки диэлектрик билан изоляцияланади. Шунинг учун МТлар БТлардан фарқли равишда ўзгармас токда катта кириш қаршилигига (10⁸÷10¹⁰ Ом) эга.
МДЯ – транзисторлар интеграл микросхемаларнинг, айниқса, ЎКИСларнинг асосий элементини ташкил этади. Улар микропроцессорлар, микроконтроллерлар, ахборот сиғими катта хотира қурилмалари, электрон соатлар, тиббиёт электроникаси қурилмалари ва бошқаларда қўлланилади. Катта қувватли МДЯ – транзистор қайта уловчи схемаларда кенг қўлланилади. Бошқарувчи электроди металл – яримўтказгич ўтишдан ташкил топган арсенид галлий асосида тайёрланган транзисторлар ўта тез ишловчи рақамли ИМСларни ва ЎЮЧли қурилмаларни яратиш учун ишлатилади. Кремний асосидаги р–n ўтиш билан бошқарилувчи МТлар паст частотали дискрет электрон асбоб сифатида қўлланилади.