Maydonli tranzistorlar

Kanal o‘rnatilgan tranzistorning tuzilishi 6.40-rasmda keltirilgan. Bu tranzistorda istok va stok oralig‘ida diffuziya usuli bilan -tipli kanal hosil qilinadi. Zatvorga manfiy potensial berilganda kanalda musbat zaryadlar induksiyalanadi va zaryadlarga “kambag‘al” zona hosil bo‘lib, kanalning solishtirma qarshiligi oshadi (6.40-rasm, b). Manfiy potensial

a	b
6.40-rasm. Kanal o‘rnatilgan tranzistorining tuzilishi.

ga yetganda istok va stok oralig‘idagi tok to‘htaydi. Tranzistorda o‘rnatiladigan kanal - tipli ham bo‘lishi mumkin. bunda istok va stok oralig‘idagi tokni kamaytirish uchun zatvor va istok oralig‘iga musbat kuchlanish beriladi. Kanal o‘rnatilgan-MDP tranzistorlar ko‘pincha kanal zaryadlarga kambag‘allashgan rejimlarda ishlatiladi. Bu rejimda ishlagan MDP tranzistorining xaraktreistikasi 6.39-rasmda keltirilgan o‘tishli tranzistornikiga o‘xshash bo‘ladi va u 6.35 va 6.36 formulalar bilan ifodalanadi.
Induksiyalangan kanalli tranzistorning tuzilishi 6.41-rasmda keltirilgan. tranzistorning asosi katta solishtirma qarshilikka ega bo‘lgan -o‘tkazuvchanlikni materialdan tayyorlanadi. Yarim o‘tkazgichning yuqori sirtida -o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan istok va stok sohalari hosil qilinadi. Asos va bu sohalar orasida o‘tishlar hosil bo‘ladi. istok va stok oralig‘iga tok manbai qanday ishorada ulanmasin, ulardan biri doimo berk bo‘ladi. shu sababli dastlabki holatda o‘tkazuvchi kanal bo‘lmaydi. Zatvorga kichik miqdordagi musbat potensial qo‘yilsa, asosning zatvorga yaqin joylashgan sohasida manfiy zaryadlarni induksiyalaydi. Kuchlanish orttirila borib, ma’lum bir chegaraviy qiymatga yetganda, sirtida -tipli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan inversion qatlam hosil bo‘ladi. Bu qatlam orqali istokli stokka tomon tok oqa boshlaydi. Zatvordagi kuchlanish ortishi bilan kanalning o‘tkazuvchanligi ortadi. Odatda kuchlanish 1-6 V atrofida bo‘ladi.
Tranzistorda asos sifatida - tip yarim o‘tkazgich o‘rniga, -tipli yarim o‘tkazgich olinib, istok va stok qatlamlarini -tipli qilib yasalsa, -kanalli tranzistor hosil bo‘ladi.
Kovaklarning harakatchanligi elektronlarning harakatchanligiga nisbatan kichik bo‘lganligidan -kanalli tranzistorlarning ishlash tezligi -kanalli tranzistorlarnikiga nisbatan sekinroq bo‘ladi. shu sababli -kanalli tranzistorlarga - kanalli tranzistorlarga nisbatan, -kanalli tranzistorlar ko‘proq ishlatiladi. Integral sxemalarda ishlatiladigan MDP tranzistorlar bundan mustasno. Ularda bir-birini to‘ldiruvchi va -kanalli tranzistorlar ishlatiladi. Bunday MDP tranzistorlar komplementar tranzistorlar deb ataladi.
6.42-rasmda induksiyalangan -kanalli maydonli tranzistorning VAXi keltirilgan. xarakteristikada oraliq chiziqli soha,