Мақола ва тезислар номи

References: 
1. Менликулов П. Р., МухамедияроваР. Г. Совершенствование работы среднего 
медицинского персонала в республике// Медицинский журнал Узбекистана.-1991-No8.-С. 68.
2. Народное хозяйство Узбекской ССР за 70 лет советское власти. –С–286 –287. 
3. Қашқадарё вилояти соғлиқни сақлаш бошқармаси бошлиғи лавозимида фаолият 
кўрсатган, Ўзбекистонда хизмат кўрсатган шифокор, тиббиёт фанлари номзоди Акрам 
Акбаров хотираларидан. 
4. Самарқанд вилояти Давлат архиви, 93-фонд, 1-рўйхат, 315-йиғма жилд, 24-варақ 5. 
Советский Узбекистан за 40 лет. Статистический сборник. –Т.: Узбекистан, 1964. –С. 335.
6. Сурхондарё вилояти Давлат архиви, 77 фонд, 1-рўйхат, 205-йиғма жилд, 6 –11-
варақлар. 
7. Ўз РИТТҲМДА, 1-фонд, 9-рўйхат, 127-йиғма жилд, 20-варақ 
8. Ўз РИТТҲМДА, 3-фонд, 1-рўйхат, 83-йиғма жилд, 34-варақ 
9. Ўз РМДА, Р-837-фонд, 41-рўйхат, 1766-йиғма жилд, 323-варақ
10. Здравоохранение в Узбекской ССР(Справочные матер...). –Т., 1990. –С45 –46. 11. 
Здравоохранение в Республике Узбекистан (Ст. сб.). –Т., 1994. –С. 2 
МАЙДОНИЙ ТРАНЗИСТОРЛАРДА КАНАЛ МАТЕРИАЛИНИНГ 
БЎСАҒА КУЧЛАНИШИГА ТАЪСИРИНИ ЎРГАНИШ 
Улашов С.Р., Юсупов А.,
Муҳаммад ал-Хоразмий номидаги ТАТУ 
Абдикаримов Х.Э. 
Урганч давлат университети
 
Бугунги кунда фан ва технология жуда катта тезлик билан ривожланиб бормоқда. Шу 
сабабли мобиль алоқа воситалари, медитсинада ишлатиладиган турли хил ташхис 
қурилмалар ва шу каби электрон қурилмаларнинг янги олдингисидан мукаммал авлодлари 
ишлаб чиқарилмоқда. Бундай қурилмаларда эса хотира вазифасини бажарувчи интеграл 
микросхемаларда асосан майдоний транзисторлар ишлатилади[1]. Электрон қурилмаларнинг 
кўп функсия бажариши эса интеграл схемалардаги транзисторлар сони билан боғлиқ. 
Транзисторларнинг сонининг ошиши эса ўз навбатида уларнинг геометрик ўлчамларининг 
кичрайишини талаб қилади. Бугунги кунга келиб эса транзисторларнинг геометрик 
ўлчамлари 25-30 нм атрофида бўлмоқда[2]. Бундай нанометр ўлчамдаги транзисторлар 
ишлаб 
чиқаришда 
жуда 
мураккаб 
технологик 
жараёнлардан 
ўтади. 
Бундай 
транзисторларнинг геометрик ўлчамлари нанометрларда бўлиши ва мураккаб технологик 
жараёнлар асосида тайёрланиши уларнинг ишлаш принсипларида бузилишларга олиб 
келади[3-5]. Бундай бузилишлар эса деградация дейилади. Деградацияга учраган 
транзисторлар интеграл схемаларда жуда катта функсионал бузилишларга сабаб бўлади. 
Шунинг учун айнан нанометр ўлчамдаги транзисторларда деградацияларни камайтириш 
усулларини излаб топиш наноэлектрониканинг ва яримўтказгич асбобсозликнинг долзарб 
масалаларидан биридир. Ушбу мақолада айнан нано ўчамдаги майдоний транзистор канал 

---

760 
материалининг транзисторнинг электрофизик характристикаларидаги деградацияларга 
таъсирини ўрганиш мақсад қилиб олинган.
Ушбу мақолада 1-жадвалда келтирилган параметрларга эга транзистор модели 
Synopsys компанияси томонидан ишлаб чиқилган Technology Computer-Aided Design (TCAD) 
Sentaurus дастури ёрдамида яратилган.
1-жадвал 
Соҳа номи 
Узунлиги [нм] 
Қалинлиги [нм] 
Кенглиги [нм] 
Таглик
30 
300 
100 
Исток
10 
10 
10 
Сток
10 
10 
10 
Канал
10 
10 
10 
Затвор
10 
2 
10 
Затвор ости оксид 
қатлам
10 
2 
10 
Ушбу моделлаштирилаётган майдоний транзисторнинг геометрик тузилиши 1-расмда 
келтирилган.
1-расм. Моделлаштирилаётган майдоний транзисторнинг геометрик тузилиши 
Ушбу транзисторнинг исток, сток ва канал соҳалари кремнийдан ва германийдан 
тайёрланган иккита транзистор учун моделлаштириш олиб борилган. Бунда каналнинг 
кўндаланг кесим юзаси тўғри тўртбурчак, трапетция ва учбурчак шакллари учун ўтиш волт-
ампер ҳарактеристикасининг бўсаға кучланишдан 200 мВ кичик кушланишгача бўлган 
соҳанинг қиялиги subthreshold swing (SS) ўрганилган. Бунда моделлаштирилаётган 
транзисторнинг турли қисмларини материали ва улардаги киришмалар консентратсияси 2-
жадвалда келтирилган.
2-жадвал 
Соҳанинг номи 
Соҳа материали 
Соҳага киритилган 
киришманинг 
материали 
Киритилган 
киришма 
концентратцияси 
(см-3) 
Таглик
SiO2 
- 
- 
Исток
Si 
Фосфор
1020 
Сток
Si 
Фосфор 
1020 
Канал
Si 
Бор
1015 
Затвор
PolySi 
Фосфор 
1020 
Затвор ости оксид 
қатлам
HfO2 
- 
- 
Моделлаштирилаётган майдоний транзисторни исток ва сток соҳаларига 50 мВ ва 750 
мВ кучланиш берилган иккита ҳолат учун ўтиш волт-ампер ҳарактеристикаси олинди. Бунда 
затвор кучланиши ҳар иккала ҳолатда ҳам 1,6 волт ҳолатда бажарилди. Олинган ўтиш волт-
ампер ҳарактеристикасидан фойдаланиб бўсаға кучланишдан 200 мВ кичик кушланишгача 
бўлган соҳанинг қиялиги subthreshold swing (SS) 1-формула ёрдамида кремний ва германий 

---

761 
каналли транзисторларнинг карал кесими тўғри тўртбурчак, трапетция ва учбурчак шакллари 
учун ҳисобланди.
(1)
Бу ерда 
- бўсаға ток кучи, 
- транзистор каналининг ёпиқ ҳолатдаги ток кучи.
Моделлаштиришда транзистор каналининг тепа қисмининг кенглигини камайтириш 
ёрдамида каналнинг кўндаланг кесим юзаси тўғри тўртбурчак шаклдан трапетция ва 
учбурчак шаклларга ўзгартирилди. Ушбу ҳолат канали кремний материал ва канали 
германий материали бўлган транзисторларда моделлаштирилди. Олинган натижалар 2-
расмда келтирилган.
0
2
4
6
8
10
84
88
92
96
100
104
108
Германий
Кремний
SS 
[м
В/
дек
ад
а]
Канал тепасининг кенглиги [нм]
2-расм. Канал материали германий ва кремний бўлган транзисторлар учун ўтиш волт-
ампер ҳарактеристикасининг қиялиги
Олинган натижадан хулоса қилсак, канал материали германий бўлганда ўтиш волт-
ампер ҳарактеристикасининг қиялиги юқори бўлади. Бу эса ушбу транзисторда бўсаға 
кучланиш юқори бўлганлигини ва кўп энергия истеъмол қилишини физик нуқтаи назардан 
ифодалайди. Демак канал материали кремний материалидан тайёрланса канали германий 
материалидан тайёрланган транзистордан авзалроқ экан.