Led yoritgichlarini energiya tejamkorligini yanada oshirishda bipolyar tranzistorlarda elektron kalitlarni tanlash

Повышение энергоэффективности энергосберегающего cветодиодного освещения./ Шамшиддинов Мухиддин Кодиржонович / UNIVERSUM: ТЕХНИЧЕСКИЙ НАУКИ. апрель 2021г.

I.M. Saydumarov, S.M. Shukurova. Elektronika va sxemotexnika. O’quv qo’llanma – Тoshkent: ТDТУ, 2014, 110 б,

3. In the control of electric drive devices study of microprocessor thyristor drives // A.Sh.Shukuraliev., O.B.Parpiev. // Ministry of higher and secondary specialized education of the Republic of Uzbekistan scientific and technical journal of Namangan institute of engineering and technology. ISSN 2181-8622. 187-193.
4. Photosensitive Sensors in Automated Systems / D.D. Alijanov, I.M. Boltaboyev // International Journal of Research Studies in Electrical and Electronics Engineering (IJRSEEE) Volume 6, Issue 2, 2020, PP 33-34.
5. The General Structure Of The Microprocessor // Oybek Bakhtiyorjon ogli Parpiev // The American Journal of Engineering and Technology.
6. Optoelectronic Method for Determining the Physicochemical Composition of Liquids // D. D. Alijanov, N. Rakhimov // © Automatics & Software Enginery. 2020, N 2 (32) http://jurnal.nips.ru/en PP 51-53.
7. Разработка АФН – приемника для оптоэлектронной информационно – измерительной системы // Алижанов Д. Д. // Автореферат Ташкент – 2019. Ст.48.
8. Исследование возникновения аномального фотонапряжения для создания приемника оптического излучения автономного типа // Алижанов Д.Д., Рахимов Н.Р. // Мухаммад ал-Хоразмий авлодлари, № 3 (9), сентябрь 2019 ст.8-12.
9. Разработка оптоэлектронного датчика для исследования процесса усталости образца металлических конструкций. /Т.В. Ларина, Н.Р. Рахимов, Д.Д. Алижанов.// Автоматика и программная инженерия. 2012. № 2 (2). С. 31–35.
10. Приемники оптического излучения на основе полупроводниковых пленок с аномальным высоким фотонапряжением/ Алижанов Д.Д, Рахимов Н.Р.// Международный научный конгресс и специализированная выставка-Интерэкспо ГЕО-Сибирь 2010.