Laboratoriya ishi№1 Multisim dasturida yarim o`tkazgichli diodlar, stabilitronlar va tranzistorlarini hisoblash. Ishdan maqsad

Ish bajarish tartibi

Ishda foydalaniladi: p-n- o’tishli maydon tranzistori 2N3370, XFG1 funktsional generator, XSC1 ostsillografi, V1 iste’mol manbayi, R2,R3,R4 rezistorlar, C1,C2,C3 kondensatorlari (60- rasm).

XSC1

60. 
    rasm. P-N- o’tishli maydon tranzistorini o’rganish.
    

1. 
   Virtual stendni yig’amiz. Qutblilikka rioya qilib, kuchlanish generatorini V1ni ulaymiz.
   
2. 
   Is=f(Vsi ) maydon tranzistorini o’qituvchi tomonidan berilgan qiymatlarida chiqish harakteristikalarini olamiz. Olingan ma’lumotlarni jadval 3.1 ga kiritamiz va ma’lumotlarga ko’ra maydon tranzistorini mos VAH larini kuramiz.
   
3. 
   Ikkinchi п dan olingan chiqish harakteristikalariga ko’ra tranzistorni uzatish harakteristikasini Is=f(Vzi) kuramiz.
   
4. 
   Tajriba yo’li bilan tranzistorni uzatish harakteristikasini Is=f(Vzi) oling, buning uchun generatordagi kuchlanishni V1ni 12V ga teng o’rnatamiz. Shundan keyin XFG1 funktsional generatoridagi kuchlanishni har bir 0,5V da 0 dan kesish V qiymatgacha oshiramiz. Stok tokini Is qiymatini o’lchaymiz va olingan ma’lumotlarni jadval 3.2 ga kiritamiz. Uzib tashlash kuchlanishi Vqol stok tokida 5-10mA ga teng o’ringa ega.
   
5. 
   3- va 4- punktlar bo’yicha olingan egri chiziqlarni uzatib, hulosa chiqaramiz.
   
6. 
   Maydon tranzistorini VAH iga ko’ra tranzistorni uzatish harakteristikasini tikligini S va stokni differensial qarshiligi ni Rs hisoblaymiz va ularni ideal qiymatlar bilan solishtiramiz.
   

Nazorat savollari

1. 
   Multisim dasturi haqida gapiring.
   
2. 
   Diodes guruhi?
   
3. 
   Transistors guruhi?
   
4. 
   Diod va stabilitronning VAX nimani xarakterlaydi?