Курсовая работа по дисциплине: «Физика полупроводников и диэлектриков» на тему: «Диэлектрические потери. Диэлектрическая перфорация, механизмы диэлектрической перфорации»

Потери за счет неоднородности в диэлектриках обусловлены миграционной поляризацией. Наблюдаются в диэлектриках с проводящими или газовыми включениями, слоистых материалах (гетинакс, текстолит). Это дополнительные релаксационные потери.
Резонансные потери наблюдаются в некоторых газах при строго определенной частоте и выражаются в интенсивном поглощении энергии электромагнитного поля. Резонансные потери возможны и в твердых телах, если частота вынужденных колебаний, вызываемая электрическим полем, совпадает с частотой собственных колебаний частиц твердого вещества. Наличие максимума в зависимости tgδ(f) характерно и для резонансного механизма потерь, однако при изменении температуры максимум не смещается.

1.3 Диэлектрические потери в композиционных диэлектриках

Обозначим через С и δ с соответствующими индексами емкость и угол диэлектрических потерь для первого и второго слоя диэлектрика, соединенных параллельно. Тогда при параллельном подключении компонентов

tgδ = (C1tgδ1 + C2tgδ2) /(C1 + C2)

(1.14)

При последовательном подключении

tgδ = (C1tgδ2 + C2tgδ1)/(C1 + C2)

(1.15)

Резонансные потери наблюдаются в некоторых газах при строго определенной частоте и выражаются в интенсивном поглощении энергии электромагнитного поля. Резонансные потери возможны и в твердых телах, если частота вынужденных колебаний, вызываемая электрическим полем, совпадает с частотой собственных колебаний частиц твердого вещества. Наличие максимума в зависимости tgδ(f) характерно и для резонансного механизма потерь, однако при изменении температуры максимум не смещается.