3.Bipolyar tranzistor Unipolyar tranzistordan farqli oʻlaroq, birinchi bipolyar tranzistor eksperimental tarzda yaratilgan va uning ishlash prinsipi keyinroq tushuntirilgan.
1929-1933-yillarda Leningrad fizika-texnika institutida Oleg Losev A.F.Ioffe rahbarligi ostida yarimoʻtkazgich qurilmalar ustida bir qator tajribalar oʻtkazdi. Uning konstruktiv jihatdan nuqtaviy tranzistorning nusxasi boʻlgan karborund kristalli (SiC) ustida oʻtkazgan tajribasi natijasida kerakli kuchaytirish koeffitsiyentini hosil qilolmadi. Shundan soʻng yarimoʻtkazgichlardagi elektrolyuminessensiya hodisasini oʻrgangan Losev 90 ta turli materiallarni, asosan, kremniyli birikmalarni koʻrib chiqdi va 1939-yilda oʻzining kundaligida uch elektrodli sistema haqida qaydlar qoldirgan. Biroq, 2-jahon urushining boshlanib qolishi va 1942-yilda injenerning Leningrad qamalida halok boʻlishi tufayli, uning qilgan ishlari hozir yoʻqolib ketgan. Shu sababli, uning tranzistor yarata olgan yoki olmagani bizga nomaʼlum.
4.Diskret MDY tranzistori Diskret MDY — tranzistorlaming VI bobda keltirilgan tuzilish
sxemalari va parametrlari integral texnologiya uchun ham qo'llanilishi mumkin. Bunda MDY — tranzistorlar asosida IMSlar tayyorlash texnologiyasi BTlar asosida IMSlar tayyorlash texnologiyasiga qaraganda ancha sodda bo‘lib, u ikkita omil bilan bog‘liq: 1) kanallari bir xil o ‘tkazuvchanlikka ega integral MDY — tranzistorlar uchun tuzilmalarni izolatsiyalash operatsiyasi talab etilmaydi. Asos hamma vaqt istok va stokga nisbatan teskari o'tkazuvchanlikka ega bo‘ladi.
Shuning uchun istok — asos va stok — asos p—n o'tishlaming biri kuchlanishning ixtiyoriy qutbida stok orasida teskari ulanadi va izolatsiyani ta ’minlaydi;
2) barcha tayyorlash jarayoni faqat MDY — tuzilmani hosil qilishga olib kelinadi, chunki u nafaqat tranzistorlar sifatida, balki rezistorlar va kondensatorlar sifatida ham ishlatiladi.
Shunday bo‘lishiga qaramasdan, kristalda yonma-yon joylashgan va turli o ‘tkazuvchanlikli kanallarga ega komplementar MDY — tranzistorlarda (KMDY) izolatsiya talab etiladi. Izolyatsiyalash uchun tranzistorlardan birini izolatsiyalovchi cho‘ntakchaga joylashtirish kerak
bo‘ladi. Masalan, agar asos sifatida p — kremniy ishlatilsa, p — kanalli tranzistor uchun awal n — turli cho‘ntakcha tayyorlanishi kerak.
MDY — tranzistorlar asosidagi IMSlar planar texnologiya asosida yaratiladi. Bu texnologiyada kremniy sirtida oksidlash, fotolitografiya va ochilgan “darcha”larga kiritmalar diffuziyasini amalga oshirish ilgaridek bajariladi.
MDY — tranzistorli IMSlar yaratishda zatvor ostidagi dielektrik qatlamni hosil qilish eng murakkab jarayon bo‘lgani uchun unga alohida talablar qo‘yiladi. Xarakteristika tikligini oshirish uchun (6.18)ga muvofiq zatvor osti dielektrikning qalinligi kamaytirilishi kerak. Oxirgi 40 yil ichida dielektrik material sifatida asosan kremniy ikki oksidi ( S i0 2) q o 'lla n ilib keldi, za tv o r esa k remniydan tay y o rlan d i.
Mikrosxemalarning har bir yangi avlodiga o ‘tish bilan izolatsiyalovchi qatlam qalinligi kichrayib bordi. Lekin, SiO: qatlam yupqalanishi bilan sizilish toklari oshadi, ortiqcha issiqlik ajralishlar paydo bo‘ladi va tranzistor holatini boshqarish og'irlashadi.
Bugungi kunda Intel korporatsiyasi tomonidan ishlab chiqarilayotgan tranzistorlarda zatvor osti dielektrigining qalinligi (S i0 2) 1,2 nm ni, yoki besh atom qatlamni tashkil etmoqda.
2007-yildan buyon 45 nmli ishlab chiqarish texnologiyasiga o ‘tildi. Bu texnologiyada kichik sizilish tokli tranzistorlar zatvorlarini hosil qilishda dielektrik sifatida yuqori dielektrik singdiruvchanlikka ega bo‘lgan gafniy tuzlari asosidagi high — к material ishlatilmoqda. Natijada, qalinroq dielektrik ishlatish va sizilish tokini o ‘n martadan ko‘proq kamaytirish imkoni tug'ildi. Lekin, yangi material kremniyli zatvor bilan “chiqishmadi”. Shunda zatvor sifatida materiallarning yangi turini ishlatish taklif etildi, natijada ular asosidagi tranzistorlar ulanishi va uzilishi uchun 30% kam energiya sarflanishiga erishildi. Yangi texnologiya bir xil yuzada joylashadigan tranzistorlar sonini ikki marta oshirish imkonini berdi. MDY — tranzistorlar ichida metall — nitrid kremniy — dielektrik - yarimo‘tkazgich (MNDYA) tranzistorlar alohida o ‘rin tutadi.
Xulosa
Texnika yo'nalishidagi oliy ta'limda «Elektronika va sxemolar»ga oid amaliy mashg'ulotlarni takomillashtirish vositalari, talabalarni texnik eksperiment o'tkazishga tayyorlashning metodik tizimini takomillashtirish, virtual ishlanmalardan fanni o'qitishda foydalanish metodikasi bo'yicha olib borilgan ilmiy izlanishlar va dars taxlillari asosida quyidagi xulosalarga kelindi:
1. «Elektronika va sxemolar»ga oid laboratoriya mashg'ulotlarida raqamli texnologiyalar va sxematik ishlanmalarning dasturiy vositalari va tasvirlaridan foydalanib ilmiy eksperiment o'tkazishga yo'naltirildi.
2. laboratoriya eksperimentlarining virtual ishlanmalarni kuzatib, aniq natijalar olingandan so'ng bajarish samaradorligi an'anaviy o'qitishga qaraganda 15 foizga oshishi va talabalarning ilmiy fikrlashiga ijobiy ta'sir qilishi isbotlandi.
3. Texnika sohasi bo'yicha tayyorlanayotgan bo'lajak kadrlarning «Elektronika va sxemolar» ga oid ilmiy dunyoqarashining shakllanganlik darajasini aniqlash mezonlari ishlab chiqilishi tadqiqot ishining amaliy va nazariy qiymatini oshirishga xizmat qildi.
