Количественное измерение и двухфотонное использование линий кругового дихроизма в зоновых сеточных полупроводниках

4.2-§. Тор зонали кристалларнинг ўлчамли квантлашган структураларида ёруғлик икки фотонли ютилишининг чизиқли циркуляр дихроизми

Двухфотонное поглощение света в мультипеновых структурах позволяет определить ряд оптических и зонных размеров структуры. В частности [ 87, с. 1748-1751; 88, стр. 1878-1882; 89, стр. 5876-5678; 90, стр. 1242-12455; 91, 91, 20092017-1-6 с.] изучалось двухфотонное поглощение света в низкоразмерных полупроводниковых структурах, при этом исследования проводились в двухзонном приближении потенциала бесконечной глубины. На самом деле глубина потенциальной ямы

Рис. 4.3. размер квантованного энергетического спектра электронов для кристалла, рассчитанный по выражению (4.1.41). а) двухмерный; б) трехмерная привязка. При расчетах были выбраны следующие величины: -электронларнинг эффектив массаси, -Kingliga развеселить потенциал, -kristallning taĽˌikˌlangan zonali latitud, -Кейн параметры.

имеет ограниченное значение, и необходимо обращать внимание на реальную зону образца.
Вскоре рассмотрено межзонное двухфотонное поглощение света в структуре и сопоставлено с результатами эксперимента [95, стр. 013376-1-013376-15]. При теоретических расчетах и ​​анализе результатов два соседних кристалла показывают резкое изменение валентной зоны и зоны проводимости в области интерфейса, т.е. , обращаем внимание на размеры и симметрию рисунков потенциальной дыры и потенциального барьера. Также мы выбираем ширины потенциальных барьеров в многослойной структуре таким образом, чтобы структура не имела чрезвычайно решетчатого состояния. Причиной выбора такой ситуации является то, что в большинстве экспериментальных исследований, посвященных оптическим свойствам многослойных структур, структура трактуется как решетка [79, -370 с.].