Кафедра «Физики» Насуллаев Бахтиёр Сайфулло угли

Гетероструктура — термин в физике полупроводников ,обозначающий выращенную на подложке слоистую структуру из различных полупроводников, в общем случае отличающихся шириной запрещённой зоны. Между двумя различными материалами формируется так называемый гетеропереход, в котором возможна повышенная концентрация носителей, и отсюда — формирование вырожденного двумерного электронного газа. В отличие от гомоструктур обладает большей свободой выбора в конструировании нужного потенциального профиля зоны проводимости и валентной зоны. Гетероструктуры дают возможность управления фундаментальными параметрами в полупроводниковых кристаллах и приборах: шириной запрещенной зоны, эффективными массами носителей и их подвижностями, показателем преломления, электронным энергетическим спектром и т. д.

Гетероструктура

Для выращивания гетероструктур используют много различных методов, среди которых можно выделить два основных:

• Для выращивания гетероструктур используют много различных методов, среди которых можно выделить два основных:
• Молекулярно-лучевая эпитаксия,
• Осаждение из газообразной фазы

Выводы
Простых структур с одиночными квантово-размерными областями изучаются и более сложные структуры, в которых имеет место взаимодействие этих областей друг с другом, приводящее к новым квантовым эффектам. К настоящему времени наиболее хорошо изучены гетероструктуры, содержащие периодическую последовательность взаимодействующих квантовых ям, – квантовые сверхрешётки. Изучаются также так называемые складированные массивы квантовых точек. Область электроники, связанная с изучением и применением КРГ и других подобных структур, получила название наноэлектроники. Большой прогресс, достигнутый за последние 30 лет в развитии методов получения, в изучении оптоэлектронных свойств и в технических применениях КРГ в значительной мере связан с развитием методов диагностики КРГ. Под диагностикой понимается определение различных характеристик и параметров КРГ: энергетического спектра электронов и дырок, высот барьеров, размеров квантованных областей и их структурнохимической однородности, дефектности, времён жизни неравновесных электронов и дырок и др. Очевидно, что знание этих характеристик имеет важное значение для совершенствования технологии, развития теории и улучшения технических характеристик КРГ.