Кафедра «Физики» Насуллаев Бахтиёр Сайфулло угли

Оптические свойства полупроводников

Изменение интенсивности электромагнитного излучения, падающего на
полупроводник, можно описать законом Бугера-Ламберта:, (1.1)
где J – интенсивность электромагнитного излучения на расстоянии 
x от поверхности;
J0 – интенсивность падающего на полупроводник излучения;
a – коэффициент поглощения.\
Под действием электромагнитного излучения в полупроводниках образуются неравновесные носители заряда вследствие электронно-дырочных переходов, приведенных на рисунке 1.2. Переход типа 1 соответствует собственному поглощению вещества, в результате которого образуется пара свободных носителей заряда, а именно, электрон и дырка. Такое возбуждение называется биполярным.
Научная новизна ВКР .
– Квантовые структуры, в которых движение носителей ограничено во всех трех направлениях, напоминают искусственные атомы. Здесь энергетический спектр является чисто дискретным. Квантово-размерные структуры обладают целой совокупностью уникальных свойств, весьма далеких от тех, какие можно наблюдать в системе обычных, трехмерных электронов и дырок. Такие структуры могут служить основой для создания новых типов полупроводниковых приборов,в первую очередь для опто- и наноэлектроники.
Практическая значимость вкр

• Квантово-размерные структуры обладают целой совокупностью уникальных свойств, весьма далеких от тех, какие можно наблюдать в системе обычных, трехмерных электронов и дырок. Такие структуры могут служить основой для создания новых типов полупроводниковых приборов, в первую очередь для опто- и наноэлектроники..

Люминесценция

Нетепловое свечение вещества, происходящее после поглощения им энергии возбуждения. Впервые люминесценция была описана в XVIII веке. (от латинского lumen - свет и -escent - суффикс, означающий слабое действие)

От различных видов рассеяния люминесценция отличается тем, что при люминесценции между поглощением и испусканием происходят промежуточные процессы, длительность которых больше периода световой волны. В результате этого при люминесценции теряется корреляция между фазами колебаний поглощённого и излученного света.

Явление люминесценции принято рассматривать как метод исследования энергетического спектра носителей тока и кинетических явлений, происходящих в них в двумерных системах, как в объемных кристаллах. Интенсивность люминесценции определяется не только плотностью состояний носителей тока и вероятностью прохождения оптических переходов, но и степенью расположения носителей тока в рассматриваемых случаях. Поэтому люминесценция часто оказывается полезной при исследовании тонкой структуры спектра поглощения, которая в нем не отражается, и позволяет проверить кинетику заполнения рассматриваемых случаев носителями тока или образования в них пустот.
Люминесцентное тестирование позволяет определить влияние электрон-электронных взаимодействий на электронный спектр в зависимости от степени насыщения электронных состояний.