|
G.Bakradze.
Low-K factor of SiO
2
layer on Si irradiated by YAG:Nd laser //
Journal of Non-Crystalline Solids. – 2007. – Vol.353, N. 5-7. – P.703-707.
53. Skvortsov A.M., Veiko V.P., Sokolov V.I., Pham Qung Tung, Khaletsky R.A.
Laser modification of thermal oxide films on silicon// International conference
“Fundamentals of laser assisted micro- and nanotechnologies” (FLAMN-10):
Abstracts. 2010, p. 103.
54. Заботнов С.В., Остапенко И.А., Головань Л.А., Тимошенко В.Ю.,
Кашкаров В.К., Шандыбина Г.Д. Генерация третьей гармоники от
поверхности кремния, структурированной фемтосекундными лазерными
импульсами. // Квантовая электроника. 2005. Т. 35. №10. С. 943-946.
55. Остапенко И.А., Заботнов С.В, Шандыбина Г.Д., Головань Л.А., Червяков
А.В., Рябчиков Ю.В., Яковлев В.В., Тимошенко В.Ю., Кашкаров В.К. Микро –
и наноструктурирование поверхности кристаллического кремния под
действием фемтосекундных лазерных импульсов. // Известия РАН: Серия
физическая, 2006. Т. 70. №9, С. 1315-1317.
139
56. Yanhua Han, Shiliang Qu. The ripples and nanoparticles on silicon irradiated
by femtosecond laser // Chemical Physics Letters, v. 495, p. 241-244, 2010.
57. H. W. K. Tom, G. D. Aumiller, C. H. Brito-Cruz. Time-resolved study of laser-
induced disorder of Si surfaces // Phys. Rev. Lett., v. 60, p. 1438–1441, 1988.
58. P. Saeta, J.-K. Wang, Y. Siegal, N. Bloembergen, E. Mazur. Ultrafast electronic
disordering during femtosecond laser melting of GaAs // Phys. Rev. Lett., p. 67, p.
1023–1026, 1991
59. S. Notle, C. Momma, H. Jacobs, A.Tunnermann, B.N. Chichkov, B.
Wellegehausen, H. Welling «Ablation of metals by ultrashort laser pulses», J. Opt.
Soc. Am. B, Vol. 14, p. 2715 – 2722, 1997.
60. T.H.Her, R.J.Finlay, C.Wn, E.Mazur. Femtosecond laser-induced formation of
spikes on silicon. Appl.Phys.A., v. 70, p.383 - 385, 2000.
61. Z.A.K. Durrania, M.A. Rafiqc. Electronic transport in silicon nanocrystals and
nanochains // Microelectronic Engineering. – 2009. – V.86, N. 4-6. – P. 456-466.
62. М.Д. Ефремов, Г.Н. Камаев, В.А. Володин, С.А. Аржаникова, Г.А.
Качурин, С.Г. Черкова. Кулоновское блокирование проводимости пленок
SiO
x
при одноэлектронной зарядке кремниевой квантовой точки в составе
цепочки электронных состояний // ФТП. – 2005. – том 39, вып. 8. – стр.
945-953.
63. V Ioannou-Sougleridis and A G Nassiopoulou. Charging characteristics of Si
nanocrystals embedded within SiO
2
in the presence of near-interface oxide traps //
Journal of Physics: Conference Series 10 (2005) 39–42.
64. И.В. Антонова, М.Б. Гуляев, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, Д.В. Марин,
М.Д. Ефремов, Y.Goldstein, J. Jedrezejewski. Сопоставление электрических
свойств и фотолюминесценции в зависимости от состава слоев SiO
x
,
содержащих нанокристаллов кремния // ФТП. – 2006. – том 40, вып. 10. –
стр.1229-1236.
65. Debajyoti Das, Arup Samanta. Size effect on electronic transport in nc–
Si/SiO
x
core/shell quantum dots // Materials Research Bulletin. – 2012. – V. 47,
N11. – P. 3625 – 3629.
66. S. Takeoka, M. Fujii, and S. Hayashi. Size-dependent photoluminescence from
surface-oxidized Si nanocrystals in a weak confinement regime // Physical Review
B. – V. 62. – pp. 16820-16825.
67. P Dimitrakis, P Normand, E Vontitseva, K H Stegemann, K H Heinig, B.
Schmidt. Memory devices obtained by Si
+
irradiation through poly Si/SiO
2
gate
stack //Journal of Physics: Conference Series 10 (2005). – стр 7–10.
140
68. M. Fanciulli, M. Perego, C. Bonafos, A. Mouti, S. Schamm, G. Benassayag.
Nanocrystals in high-k dielectric stacks for non-volatile memory application//
Advances in Science and Tech. Vol 51 (2006) pp. 156-166.
69. Nikitin, Timur. Optical memory of silicon nanocrystals with submicron spatial
resolution and very high thermal stability // Applied Physics Letters. – 2009. – Vol.
94 , Issue 17. – P. 173116- 173116-3.
70. C. Bonafos, et al. Si and Ge nanocrystals for future memory devices //
Materials Science in Semiconductor Processing (2012), In Press, Corrected Proof,
Available online 7 October 2012.
71. Q. Ye, R. Tsu, E.H. Nicollian. Resonant tunneling via microcrystalline-silicon
quantum confinement // Phys. Rev. B. – 1991. – Vol. 44 (4). – P. 1806 – 1811.
72. D.V. Averin, A.N. Korotkov, K.K. Likharev. Phys. Rev. B, 44 (12), 6199
(1991).
73. N.A. Sobolev. Radiation effects in Si–Ge quantum size structures (review) //
Физика и техника полупроводников. – 2013. – Том 47, вып. 2. – С. 182-191.
74. Huang M. B., Zhu J., Oktyabrsky S. Ion channeling investigation of proton-
irradiation-induced in-Ga atomic intermixing in self-assembled InAs/GaAs
quantum dot structures // Journal of Applied Physics. – 2006. – V.100, N.10. – P.
104312-1-6.
75.
Do'stlaringiz bilan baham: |
