Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

R. Leon, G.M. Swift, B. Magness et al. Changes in luminescence emission 
induced by proton irradiation: InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots. // 
Appl. Phys. Lett. 2000. - V.76. - N. 15 - P. 2074-2076.
76.
N.A. Sobolev, A. Cavaco, M.C. Carmo, M. Grundmann et al. Enhanced 
Radiation Hardness of InAs/GaAs Quantum Dot Structures. // Phys. Stat. Sol. B. 
2001. - v.224. - N. 1. - P. 93-96. 
77. Surkova T.,Patane A.,Eaves L et al. Indium interdiffusion in annealed and 
implanted InAs/(AlGa)As self-assembled quantum dots // Journal of Applied 
Physics. – 2001. – V. 89, Issue 11. – P . 6044-6047. 
78. А.В.Новиков, А.Н.Яблонский, В.В.Платонов и др. Влияние радиационного 
воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур 
SiGe/Si(001) // ФТП. – 2010. – Т.44, выпуск 3. – С. 346 – 351. 
79. Medvid A, Dmitruk I, Onufrijevs P, Pundyk I. Properties of nanostructure 
formed on SiO
2
/Si interface by laser radiation // Solid State Phenom. 2008. – V.8. 
– P.559–562. 

---

141 
80. Scheidt T., Rohwer E.G., von Bergmann H.M. and Stafast H. Charge-carrier 
dynamics and trap generation in native Si/SiO
2
interfaces probed by optical second-
harmonic generation // Phys. Rev. B. – 2004. – V.69. – P.165314–165321. 
81. Pieter Herman Neethling, T Scheidt, Erich G Rohwer. Second harmonic 
generation as a technique to probe buried interfaces // South African Journal of 
Science. – 2009. – V. 105. – P.282-284. 
82. V.P. Veiko, A.M. Skvortsov, V.I. Sokolov, Pham Quang Tung, R.A. Khalecki, 
E.I. Efimov. Effect of laser irradiation on the structures properties such as SiO
2
/Si 
// Proc. of SPIE. – 2010. – Vol. 7996. – P. 79960S-1 - 79960S-5. 
83. Готра З.Ю., Осередько С.А. Управление свойствами поверхностных 
слоев в технологии микроэлектроники с помощью лазерного излучения // 
Зарубежная электронная техника. – 1985. – № 12. – C.3 - 52. 
84. J. Hlávka, H. Jelínková, K. Hamal and V. Prochocký. Pulsed laser
‐induced 
recombination centers in silicon // J. Appl. Phys. – 1984. – N. 56. P. 1245-1246. 
85. 
Кашкаров 
П.К., 
Киселев 
В.Ф. 
Нетермические 
процессы 
в 
полупроводниках при лазерном облучении // Изв. АН СССР, Сер. физ. -1986. 
- Т.50, №3. – С.435-440. 
86. Кириллова С. И., Моин М. Д., и др. Изменение электронных свойств 
системы SiO
2
/Si при лазерном облучении // Физика и техника 
полупроводников. 1992. – Т.26, №8. – С. 1399 – 1404. 
87. Пролейко В.М. Перспективы развития аналитического приборостроения // 
Электронная промышленность, 1982. № 10-11. С. 3-7 
88
. 
Jingsong Li, Weidong Chen & Benli Yu. Recent Progress on Infrared 
Photoacoustic Spectroscopy Techniques // Applied Spectroscopy Reviews. – 2011. 
V. 46, N.6. – P. 440-471.
89.NanoEducator модель СЗМУ-Л5. Руководство пользователя. [Электронный 
ресурс]. – Режим доступа: http://phys.unn.ru/docs/spm/NE_R.pdf, свободный. 
Яз. рус. (дата обращения 12.04.2013). 
90. Terman L.M. An investigation of surface states at a silicon- silicon oxide 
interface employing metal- oxide- silicon diodes.- Solid State Electron, 1962, 
vol.5, N3, p.285-297. 
91. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. М.: 
Высшая школа, 1986.- 243 с. 
92. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Новосибирск: Наука, 2003.636 с. 

---

142 
93. Светухин, В.В. Моделирование современных перспективных кремниевых 
технологий, основанных на управлении процессами кластеризации и 
преципитации кислорода в кремнии. – Ульяновск: УлГУ, 2006. – 108 с. 
94 . Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и 
диэлектриков. – Москва: Металлургия, 1988. – 574 с. 
95.
Исаева А.С., Рындин, Е.А., Рыжук Р.В. Математическая модель 
механических напряжений, инициированных лазерным импульсом // 
Фундаментальные исследования. – 2012. - №. 11. – С. 609 – 614. 
96 .
Карпов С.Ю., Ковальчук Ю.В., Погорельский Ю.В. Процессы плавления и 
кристаллизации полупроводников под действием коротких лазерных 
импульсов. Итоги науки и техники, сер. Физические основы лазерной и 
пучковой технологии, 1988, т.1, с.5-48.
97 . Barada K. Nayak, Keye Sun, Christian Rothenbach, and Mool C. Gupta. Self-
organized 2D periodic arrays of nanostructures in silicon by nanosecond laser 
irradiation // APPLIED OPTICS. – 2011. – V. 50, N.16. – P. 2349-2355. 
98 . Justin R. Serano, David G. Cahill. Micron-scale buckling of SiO
2
on Si // J. 
Appl. Phys. – 2002. – V.92. – P. 7606 – 7610. 
99. Sami T. Hendow and Sami A. Shakir. Structuring materials with nanosecond 
laser pulses
// OPTICS EXPRESS. – 2010. – V. 18, N.10. – P. 10188-10199. 
100. А.М. Скворцов, Е.Г. Фролкова. Дефектообразование и надёжность 
больших интегральных схем. Учебное пособие. Санкт-Петербург: 
СПбГИТМО(ТУ), 2003, 139 с.
101. Хирт Д., Лотте Н. Теория дислокаций. /Пер. с англ. Под ред. Э.М. 
Нагорного и Ю.А. Осипьяна/. – М.: Атомиздат, 1972. 
102. Бенгус В.З. Скорость размножения подвижных дислокаций и источники 
подвижных дислокаций. – В сб. «Динамика дислокаций». – Киев: Наукова 
думка, 1975, с.315-333. 
103. A.F. Banishev, V.S.Golubev, Y.U. Kolmnev. Generation and accumulation of 
dislocations on the silicon surface ander the fction of pulse-periodic emission from 
a YAG:Nd laser // Technical Phisics. – 2001. – V.46, № 8. – P. 962-967. 
104. Банишев А.Ф., Новикова Л.В. Образование обратимых и необратимых 
структурных дефектов на поверхности кремния под действием лазерного 
импульса // Физика и химия обработки материалов. – 1992. – № 4. – С. 55-59 
105. Скворцов А.М., Жарова Ю.А., Ткалич В.Л. Микроструктурирование 
поверхности монокристаллов кремния в электронике // Известия вузов. 
Приборостроение. – 2006. – Т. 49, № 1. – C. 60–65.

---

143 
106. J.J. Yu, J.Y. Zhang, I.W. Boyd, and Y.F. Lu. Excimer-laser-induced 
micropatterning of silicon dioxide on silicon substrates // Appl. Phys. A. – 2001. – 
V. 72(1). – P. 35-39. 
107. Ковивчак В.С., Панова Т.В., Бурлаков Р.Б. Влияние воздействия 
мощного ионного пучка на морфологию поверхности системы SiO2/Si // 
Поверхность. 2006. № 3. C. 70−71. 
108. Y.F. Lu, J.J. Yu and W.K. Choi. Laser-induced periodic structures at silicon-
dioxide / silicon and silicon-dioxide interfaces // Appl. Phys. Lett. – 1997. – V. 
71(23). – P. 3439-3440. 
109. Huang Z.Y., Hong W., Suo Z. Nonlinear analyses of wrinkles in a film bonded 
to a compliant substrate // J. Mech. Phys. Solids. – 2005. – V. 53. – No. 9. – P. 
2101–2118. 
110. Huang Z., Hong W., Suo Z. Evolution of wrinkles in hard films on soft 
substrates // Phys. Rev. E. – 2004. – V. 70. – No. 3. – P. 030601-1–030601-4. 
111. Yu, L.W., Chen, K.J., Wu, L.C., Dai, M., Li, W., & Huang, X.F. Collective 
Behavior of Single Electron Effects in a Single Layer Si Quantum Dot Array at 
Room Temperature// Phys. Rev. B. – 2005. - Vol. 71, No. 24. – P. 245305(5). 
112. В.Н. Мордкович, А.Д. Мокрушин, Н.М. Омельяновская. Влияние 
низкополевой инжекции носителей тока на электрические свойства МОП 
структур // ФТП. – 2007. – Т. 41 (6). – С. 721-725. 
113. Скворцов А. М., Вейко В. П., Хуинь К. Т. Применение импульсного 
волоконного лазера для микроструктурирования системы SiO
2
/Si // Научно-
технический вестник информационных технологий, механики и оптики. – 
2012. – № 5 (81). – С. 128-134. 
114. Скворцов А. М., Хуинь К. Т., Халецкий Р. А. Влияние процесса лазерного 
микроструктурирования на электрофизические параметры системы SiO
2
/Si // 
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и 
оптики. – 2013. – № 1 (83). – С. 119-124. 
115. Скворцов А. М., Хуинь К. Т., Халецкий Р. А. Механизм 
микроструктурирования системы SiO2/Si при облучении сканирующим 
пучком импульсного волоконного лазера // Научно-технический вестник 
информационных технологий, механики и оптики. – 2013. – № 3 (85). – С. 
137-143. 
116. Хуинь Конг Ту, А. М. Скворцов, А. А. Петров. Формирование 
морфологии системы SiO2/Si под действием излучения эксимерного лазера // 
Изв. Вузов. Приборостроение. – 2014. – Т. 57, № 1. – С. 65-69. 

---

144