Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

часть 
I. 
Микроэлектроника 28(6), 405-414 (1999). 
30 . Uhlir A. Electropolishing of silicon // Bell Syst. Tech. J. - 1956. - Vol. 35. P. 
333–338. 
31 . Ditrich Th., Rauscher S., et al. Ultrathin Luminescent Nanoporous silicon on 
n-Si: ph-dependent preparation in aqueous NH4F solutions // Appl. Phys. Lett. 
1995. – V.67, N.8. – P. 1134 – 1136. 
32 .
L.T. Canham. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and 
chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. – 1990. – V.57, N.10. – P.1046-
1048. 
33 
. 
A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. The structural and luminescence 
properties of porous silicon // Appl. Phys. Lett. – 1997. – V.82, N.3. – P.909–965.
34
. Н.Н. Герасименко, А.А. Чамов, Н.А. Медетов, В.А. Ханин. Особенности 
формирования рельефа при травлении кремния фокусированным ионным 
пучком // Письма в ЖТФ, том 36, стр. 38-45, 2010. 
35 . В.С. Ковивчак, Т.В. Панова, О.В. Кривозубов, Н.А. Давлеткильдеев, Е.В. 
Князев. Волнообразные микроструктуры, формируемые на границе раздела 
SiO
2
/Si при воздействии мощного ионного пучка // Письма в ЖТФ, 2013, том 
39, вып. 3, С. – 11-17.
36. F. Korte, J. Serbin, J. Koch, A. Egbert, C. Fallinich, A. Ostendorf, B.N. 
Chichkov. Towards nanostructuring with femtosecond laser pulses // Appl. Phys. 
A. – 2003. – Vol.77. – P.229-235.

---

137 
37. T. H. R. Crawford, A. Borowiec and H. K. Haugen. Femtosecond Laser 
Micromachining of Grooves in Silicon with 800 nm Pulses // Appl. Phys. A. – 
2005. – Vol.80. – P.1717-1724. 
38. 
Остапенко И.А., Заботнов С.В, Шандыбина Г.Д., Головань Л.А., Червяков 
А.В., Рябчиков Ю.В., Яковлев В.В., Тимошенко В.Ю., Кашкаров В.К. Микро – 
и наноструктурирование поверхности кристаллического кремния под 
действием фемтосекундных лазерных импульсов. // Известия РАН: Серия 
физическая, 2006. Т. 70. №9, С. 1315-1317. 
39. К.Э.Лапшин, А.З.Обидин, В.Н.Токарев, В.Ю.Хомич, В.А.Шмаков, 
В.А.Ямщиков. Формирование наноструктур на поверхности нитрида 
кремния под воздействием излучения F2-лазера // Физика и xимия обработки 
материалов. – 2008. – №1. – C.43-49 
40. Godai Miyaji and Kenzo Miyazaki. Origin of periodicity in nanostructuring on 
thin film surfaces ablated with femtosecond laser pulses // Optics Express. – 2008. 
– Vol.16, N.20. – P.16265-16271.
41. Mengyan Shen, James E. Carey, Catherine H. Crouch, Maria Kandyla, 
Howard A. Stone and Eric Mazur. High-Density Regular Arrays of Nanometer-
Scale Rods Formed on Silicon Surfaces via Femtosecond Laser Irradiation in 
Water // Nano Lett. – 2008. – Vol.8, N.7. – P.2087-2091.
42. C. Radu, S. Simion, M. Zamfirescu, M. Ulmeanu, M. Enculescu, and M. 
Radoiu. Silicon structuring by etching with liquid chlorine and fluorine precursors 
using femtosecond laser pulses // J. Appl. Phys. – 2011. – Vol.110, N.3. – P.1063-
1068. 
43. C. F. Tan, X. Y. Chen, Y. F. Lu, Y. H. Wu, B. J. Cho, J. N. Zeng. Laser 
annealing of silicon nanocrystal films formed by pulsed-laser deposition // Journal 
of Laser Applications. – 2004. – Vol.16, N.1. – P.40-45. 
44. Leonid Khriachtchev, Timur Nikitin, Markku Räsänen, Alexandra 
Domanskaya, Simona Boninelli, Fabio Iacona.et al. Continuous-wave laser 
annealing of Si-rich oxide: A microscopic picture of macroscopic Si–SiO
2 
phase 
separation // J. Appl. Phys. – 2010. – Vol.108, N.12. – P.1063-1071. 
45. Akira Watanabe, Fusao Hojo, Takao Miwa, Masatoshi Wakagi. 
Nanocrystalline Silicon Film Prepared by Laser Annealing of Organosilicon 
Nanocluster // Applied Surface Science. – 2002. – Vol.253, N.5. – P.2718-2726. 
46. Nupur Saxenaa, Avinash Agarwala, D. Kanjilalb.
Effect of thermal annealing 
on the formation of silicon nanoclusters in SiO
X
films grown by PLD // Physica B: 
Condensed Matter. – 2011. – Vol.406, N.11. – P.2148-2151. 

---

138 
47. Т. Т. Корчагина, В. А. Володин, А. А.Попов, Б. Н. Чичков. Кристаллизация 
кластеров аморфного кремния в пленках SiN
x
на стекле с применением 
наносекундных импульсных обработок излучением KrF лазера // Вестник 
НГУ. Серия: Физика. – 2009. - Т. 4. - Вып. 2. - С. 47-52
.
48. М.Д. Ефремов, В.В. Болотов, В.А. Володин, С.А. Кочубей, А.В. Кретинин. 
Образования нанокристаллов кремния с выделенной ориентацией 110 в 
аморфных пленках Si:H на стеклянных подложках при наносекундных 
воздействиях ультрафиолетового излучения. // ФТП. – 2002. – Т.36, №1 – 
С.109-117. 
49. Т.Т. Корчагина , В.А. Володин , B.N. Chichkov. Формирование и 
кристаллизация нанокластеров кремния в пленках SiN
x
: H с применением 
фемтосекундных импульсных отжигов // ФТП. – 2010. – Т.44, №12 – С.1660-
1665. 
50. A. Medvid, I. Dmitruk, P. Onufrijevs and I. Pundyk. Laser Induced Self-
Organization of Nanohills/Nanowires in SiO
2
/Si Interface // ACTA PHYSICA 
POLONICA A. – 2008. – Vol.113, №3 – P.1067-1070. 
51. Arthur Medvid, Igor Dmitruk, Pavels Onufrijevs, Iryna Pundyk. Properties of 
Nanostructure Formed on SiO
2
/Si Interface by Laser Radiation // Solid State 
Phenomena. – 2007. – Vol.131-133 – P.559-562. 
52. A. Medvid, P. Onufrijevs, D. Kropman, E. Mellikov, F. Mukepavela,