Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

2.2. Схема 
и 
принцип 
работы 
лазерной 
установки 
для 
микроструктурирования экспериментальных образцов 
- 
персональный компьютер; 
- 
лазерный источник; 
- 
измеритель средней мощности и энергии лазерного излучения; 
- 
юстировочный лазер; 
- 
двух координатная сканирующая система; 
- 
неподвижный предметный стол. 
Рис.2.1.
 
Структурная схема лазерной установки для микроструктурирования системы 
SiO
2
/Si 

---

41 
Рис.2. 1. Изменение облученной области при сканировании пучка 

---

42 
2.3. Выбор источников излучения 

---

43 
Из выше изложенного следует, что для микроструктурирования 
поверхности кремния в системе SiO
2
/Si могут быть выбраны следующие 
лазеры: Nd:YAG – лазер, эксимерные, импульсные СО
2
– лазеры, импульные 
волоконные лазеры, лазеры на Тi:сапфире.
Из перечисленных лазеров в нашей работе использовались 
импульсные иттербиевые волоконные лазеры и эксимерный ArF-лазер, 
основные параметры которых приведены в таблице 2.1. 
Таблица 2.1- Основные параметры используемых лазеров 
Характеристики 
Иттербиевый 
волоконный 
лазер 
(ИЛИ-1-20) 
Иттербиевый 
волоконный 
лазер 
(ИЛИ-1-50) 
Эксимерный 
ArF-лазер 
Мощность излучения, Вт 
20 
50 
5 
Частота следования импульсов, кГц 
20-100 
20-100 
0,02 
Длина волны излучения, нм 
1064 
1062 
193 
Диаметр пучка в фокусе, мкм 
25 
50 
Максимальная энергия в импульсе, мДж
1,0 
1,0 
250 
Точность позиционирования пучка, мкм 
1,25 
1,25 
Максимальная 
скорость 
перемещения 
пучка, м/с 
8,7 
8,7 
Длительность импульса, нс 
4-200 
90-120 
17 
Размер пучка, мм 
6 x 20