Islom karimov nomidagi toshkent davlat

Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari. Tranzistor sxemaga ulanayotganda chiqishlaridan biri kirish va chiqish zanjiri uchun umumiy qilib ulanadi, shu sababli quyidagi ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza; umumiy emitter; umumiy kollektor . Bu vaqtda umumiy chiqish potensiali nolga teng deb olinadi.

2.3 – rasm. Umumiy emitter bo‘yicha tranzistorni ulanish sxemasi
UE sxemasi. UE sxemada (2.3 – rasm) emitter chiqish simi tranzistor kirish va chiqish zanjiri uchun umumiydir. U_KE, U_BE ta’minot kuchlanishi mos ravishda baza va emitter orasiga, shunindek kollektor va emitter orasiga beriladi. Baza qatlamida kuchlanish tushuvini hisobga olmagan holda U_BE kuchlanishi emitter o‘tishdagi kuchlanishni aniqlaydi. Kollektor o‘tishidagi kuchlanish U_KE – U_BE farqi sifatida aniqlanadi.
UE sxemasida tranzistorning chiqish tavsifi I_B=const bo‘lganda kollektor tokini I_K= f(U_KE) bog‘liqligini aniqlaydi (2.4, a – rasm). UB sxemasi kabi bu yerda ham uchta o‘ziga hos sohani ajratish mumkin: I – boshlang‘ich soha; II - I_K ni U_KE ga nisbatan kuchsiz bog‘liqligi; III – kollektor o‘tishini teshilishi.
UE sxemasida tranzistorning kollektor tavsifi UB sxemasidagi mos tavsifdan farq qiladi. Hususan ular koordinata boshidan boshlanadi va I bo‘lak birinchi kvadrantda joylashadi. da kollektor kuchlanish U_BE ga teng bo‘ladi. Kollektor o‘tishi orqali kovaklarning oqimi (kollektordan bazaga va emitterdan kollektorga) o‘zaro tenglashadi va kollektor toki nolga teng bo‘ladi. I soha U_KE kuchlanishi oshgani sari kollektor o‘tishida to‘g‘ri kuchlanish olinadi hamda II sohada o‘tishda teskari kuchlanish amal qiladi. I sohadan II sohaga o‘tish nuqtasiga 0,5 – 1,5 V atrofidagi U_KE kuchlanish mos keladi.