Ishni bajarishdan maqsad



^UБЎС

_ , (1.1)



bu yerda maksimal stok toki zatvor – istok kuchlanishi nol I_{C max} – U_ZI = 0 ga mos keluvchi boshlang’ich stok toki.

Boshqaruv xarakteristikasidan (9.2- rasm) xarakteristika tikligi aniqlanishi mumkin.

S  _Uси

const ^.

Approksimatsiyadan foydalanilganda tiklik quyidagicha aniqlanadi:

^2IC max ^{ U} 3И ^

S 

^UБЎС

^1 

_ U

БЎС

^ , (1.2)



Maydonli tranzistor chiqish xarakteristikalar oilasi 9.3 – rasmda keltirilgan. Xarakteristikaning boshlang’ich sohasi (U_SI<U_{SI TO’Y}) chiziqli rejimga mos keladi. Bu rejimda kanal butun istok-stok oralig’ida mavjud bo’ladi, shuning uchun U_SI

R
_{I } ^UCИ

ortgan sari, chiziqli qonunga mos

ravishda stok toki ham ortadi.

K

3. 
   – rasm.
   

U_SI<U_{SI TO’Y} da tranzistor to’yinish rejimiga o’tadi, bu sohada stok toki I_S stok kuchlanishi U_SI ga kuchli bog’liq bo’lmaydi. Ikki rejim chegarasi hisoblangan to’yinish kuchlanishi U_SITO’Y zatvordagi kuchlanish U_ZI ga bog’liq bo’ladi va

quyidagi formuladan aniqlanadi: U_{SI TO’Y} =U_ZI–U_BO’S.. CHiqish xarakteristikasidan (9.3 - rasm) chiqish qarshiligi aniqlanishi mumkin.

^rЧИК ^

U _зи const

Bu kattalik to’yinish rejimida hisoblansa, katta qiymatga ega bo’ladi, shuning uchun tranzistor kuchaytirgich sifatida ishlatilayotganda sxemaning sokinlik nuqtasi shu rejimda tanlanadi. CHiziqli rejimda tranzistor chiqish qarshiligi zatvordagi kuchlanish U_ZI ga bog’liq va taxminan tanlangan ishchi nuqtada U_SI kuchlanishini I_S tokka nisbati ko’rinishida yoki 9.3 – formuladan aniqlanishimumkin.

bu yerda

_{R } ^UБЎС _.

R_K 

^RK 0

, (3.3)

K 0 _3I
C max

2. 
   Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
   

1. 
   9.4- rasmda keltirilgan sxema, o’lchash asboblari o’lchanadigan KP103maydonli tranzistor pasport ko’rsatmalari bilan tanishib chiqing. (5- ilovaga qarang)
   

TSokol rasmini chizib oling va tadqiq etilayotgan tranzistorning chegaraviy parametrlari U_{SI CHEG}, I_{S CHEG}, P_CHEG qiymatlarini yozib oling. 9.4 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing.

9.4-rasm.

2. 
   Stok kuchlanishining U_SI=1/3U_{SI CHEG} va 2/3U_{SI CHEG} qiymatlari uchun ikkita boshqaruv xarakteristikasini o’lchang (U_{SI CHEG} qiymati pasport ko’rsatmalaridan olinadi). O’lchash natijalarini 1 – jadvalga kiriting va undan foydalanib boshqaruv xarakteristikasini quring. Tajribada U_ZI kuchlanish qiymatini 0 dan bo’sag’aviy kuchlanish U_BO’S gacha o’zgartiring.
   

1 – jadval

UZI, V	IS,mA
	^USI^=1/3^USI CHEG	^USI^=2/3^USI CHEG

3. 
   Zatvordagi kuchlanishning uchta qiymatida (U_ZI=0; 0,25U_BO’S; 0,5U_BO’S) chiqish xarakteristikalar oilasi I_S=f(U_SI) ni o’lchang.
   

Tajriba o’tkazishdan avval I_S – U_SI koordinatalar tizimida tranzistorning ruxsat etilgan ishchi rejimi sohalarini belgilab oling. (9.5 - rasm)
Izoh: R_{S CHEG} chizig’ini qurish uchun U_SI kuchlanishining 0 dan U_{SI CHEG} qiymatlari oralig’ida ixtiyoriy bir nechta qiymatlari tanlanadi va shu nuqtalarda stok toki I_S=P_{S CHEG}/U_SI hisoblanadi.

1. 
   – rasm.
   

Tajribada olingan nuqtalarni 2 – jadvalga kiriting va tayyorlangan grafikda ularni belgilang (9.5 - rasm). Bunda tranzistor uchun ishlash ruxsat etilgan sohadan chiqib ketmaslikka e’tibor bering.

2. 
   – jadval
   

USI, V	IS,mA
	UZI=0	UZI=0,25UBO’S	UZI=0,5UBO’S

2. 
   - jadval
   

UZI, V	IS,mA T=40 ^0 C T=80^0 C

4. 
   Tranzistor stok tokiga temperatuning tasirini tadqiq etish. Tadqiq etilayotgan tranzistorni termostatga joylashtiring va tegishli temperatura qiymatini o’rnating, stok kuchlanishining U_SI=1/3U_{SI CHEG} qiymatida va T=40⁰ C va 80⁰ C temperaturalarda ikkita boshqaruv xarakteristikasi I_S=f(U_ZI) ni o’lchang.
   

O’lchash natijalarini 3 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib T=40⁰ C va 80⁰ C temperaturalardagi ikkita boshqaruv xarakteristikasi I_S=f(U_ZI) ni quring.

3. 
   Tajribada olingan natijalarni ishlash.
   

1. 
   2.2. bandda o’lchangan boshqaruv xarakteriskalarini 1.1 – ifoda yordamida approksimatsiyalang. Approksimatsiya natijalarini qurilgan I_S=f(U_ZI) grafigida aks ettiring.
   

2. 
   Boshqaruv xarakteristikalaridan foydalanib, tranzistor tikligini
   

U_SI=1/3U_{SI CHEG} ishchi nuqtada aniqlang

S  _Ucu

const

S qiymatini xuddi shu nuqta uchun 1.2 – formula yordamida ham aniqlang.

3. 
   2.3 – bandda o’lchangan chiqish xarakteristikalar oilasida U_{SI TO’Y}=U_ZI – U_BO’S oraliqqamos keluvchi, chiziqli rejim bilan to’yinish rejimi orasidagi chegarani ko’rsating.
   

4. 
   CHiqish xarakteristikalar oilasidan foydalanib, quyidagi ishchi nuqtalar uchun tranzistor chiqish qarshiligini aniqlang:
   

• 
  to’yinish rejimida (U_SI=1/3U_{SI CHEG}, U_ZI=0,25 U_CHEG);
  
• 
  chiziqli rejimda U_SI=0 va zatvor kuchlanishining uchta qiymatida (U_ZI=0; 0,25U_BO’S; 0,5U_BO’S).
  

Hisoblashlar natijalarini 4 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib chiziqli rejim uchun r_CHIQ ning U_ZI ga bog’liqlik grafigini quring.

2. 
   – jadval
   

UZI,V	RCHIQ, kOm
	^USI^=1/3^USI CHEG	USI=0
UZI=0
UZI=0,25UCHEG
UZI=0,5UCHEG

2.4 – bandda o’lchangan boshqaruv xarakteristikalarida, turli temperaturalarda o’lchangan boshqaruv xarakteristikalari kesishadigan termo barqaror nuqtaning I_ST va U_ZIT koordinatalarini aniqlang.

Nazorat savollari

1. 
   Maydonli tranzistorlarning ishlash printsipi qanday?
   
2. 
   Maydonli transiztorlarning qizishi nimaga bog’liq?
   
3. 
   Tranzistorlar qanday sovutiladi?
   
4. 
   Maydonli tranzistorlar statik tavsifi qanda