Имс интеграл микросхема

КМДЯ-транзисторларда ҲАМ-ЭМАС ва ЁКИ-ЭМАС мантиқий амаллар осон ташкил этилади.

ҲАМ-ЭМАС мантиқий амали кириш транзисторларини кетма – кет улаш йўли билан, ЁКИ-ЭМАС мантиқий амали эса – уларни параллел улаш йўли билан амалга оширилади.

ҲАМ-ЭМАС схемада юклама вазифасини бажарувчи транзисторлар бир-бирига параллел уланади, ЁКИ-ЭМАС схемада эса – кетма – кет.

Бу вақтда ҳар бир кириш учун калит-инверторни ҳосил қилувчи иккита транзистор талаб қилинади.

Юкламадаги р – каналли ва қайта уланувчи n – каналли транзисторларнинг бундай комбинацияси КМДЯ – транзисторларнинг асосий хоссаси – статик режимда ихтиёрий кириш сигналида ток истеъмол қилмаслик шартини сақлаб қолади.

Статик ҳолатда КМДЯ-транзисторларда бажарилган элементлар қувват истеъмол қилмайдилар, чунки транзисторларнинг бир гуруҳи берк бўлиб, деярли ток истеъмол қилмайди. Бу вақтда улардан берк транзисторларнинг жуда кичик токи оқиб ўтади. Шу сабабли РИС истеъмол қилаётган қувват минимал бўлиб, асосан сиғимларни қайта зарядлаш учун сарфланаётган қувват билан аниқланади.

КМДЯТМ элементларнинг тезкорлиги МДЯТМ элементлар тезкорлигига нисбатан сезирларли даража юқори. Бу ҳолат, КМДЯТМ элементларида канал кенглигига чекланишлар қўйилмаганлигидан келиб чиқади. Чунки паразит сиғимлар қайта зарядланадиган очиқ транзисторларда етарли ўтказувчанликни таъминлаш мақсадида канал кенглиги анча катта олинади.



КМДЯ транзисторларида бажарилган инвертор схемаси

29. 
    КМДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС МЭлари, хақиқийлик жадвали.
    

КМДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС МЭлари

30. 
    Мультиплексорлар ва демультиплексорлар, схемада белгиланиши.