Имс интеграл микросхема

МДЯ-транзисторалар асосидаги рақамли ИМСларнинг негиз элементлари

• 
  ТТМ ва ЭБМ элементлари юқори тезкорликни таъминлайдилар, аммо истеъмол қуввати ва ўлчамлари катта бўлганлиги сабабли, фақат кичик ва ўрта интеграция даражасига эга бўлган ИМСлар яратишдагина қўлланилади.
  
• 
  1962 йилда планар технологик жараён асосида кремний оксидили (SiO2) МДЯ – транзистор яратилди, кейинчалик эса унинг асосида гуруҳ усулида ишлаб чиқариш йўлга қўйилди.
  
• 
  Интеграл БТлардан фарқли равишда бир турдаги МДЯ интеграл транзисторларда изоляцияловчи чўнтаклар ҳосил қилиш талаб этилмайди. Шунинг учун, бир хил мураккабликка эга бўлганда, МДЯ – транзисторли ИМСлар БТларга нисбатан кристалда кичик ўлчамларга эга ва ясалиш технологияси содда бўлади.
  
• 
  МДЯ – транзисторли мантиқ (МДЯТМ) асосида юкламаси МДЯ – транзисторлар асосида яратилган электрон калит - инверторлар ётади.
  
• 
  Схемада пассив элементларнинг ишлатилмаслиги, ИМСлар тайёрлаш технологиясини соддалаштиради.
  
• 
  Мантиқий ИМСлар тузишда n – ёки р – канали индукцияланган МДЯ – транзисторлардан фойдаланиш мумкин.
  
• 
  Кўпроқ n – каналли транзисторлар қўлланилади, чунки электронларнинг ҳаракатчанлиги ковакларникига нисбатан юқори бўлганлиги сабабли мантиқий ИМСларнинг юқори тезкорлиги таъминланади.
  
• 
  Бундан ташқари, n – МДЯТМ схемалар кучланиш номинали ва мантиқий 0 ва 1 сатҳлари бўйича ТТМ схемалар билан тўлиқ мувофиқликка эга.
  

51. 
    Бир разрядли жамлагичнинг (сумматор) ҳақиқийлик жадвали ва ифодаси.
    

Бир разрядли жамлагичнинг ҳақиқийлик жадвали

52. 
    n – МДЯ транзисторларида бажарилган инвертор схемаси, хақиқийлик жадвали. n – МДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС МЭ схемаси, хақиқийлик жадвали.
    

n – МДЯ транзисторларида бажарилган инвертор схемаси