Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebranishlari qo'llaniladi

Tranzistor - tranzistorli elementlar. TTM ning eng oddiy bazaviy elementi (1.16 rasm), DTM tipidagi mikrosxema tuzilishini deyarly qaytaradi. Bu bilan birga diod va tranzistorli kuchaytirgich xususiyatlarini birlashtiradigan ko'p emmiterli tranzistor qo’llanilishi hisobiga, bu sxema tezlikni oshirish va tayorlanish texnologiyasini takomillashtirish imkonini beradi.
TTM bazaviy elementi, DTM elementi kabi VA-YO’Q mantiqiy amalini bajaradi. VT1 tranzistorning ko'p emitterli kirishlaridan biriga past satxli signal (mantiqiy nol) berilsa, u to'yinish holatida bo’ladi, VT2 tranzistori esa yopiq bo’ladi. Sxema chiqishida yuqori sathli kuchlanish (mantiqiy bir) mavjud bo’ladi. Barcha kirishlarda signal yuqori sathlarda bo’lsa VT1 ko'p emitterli tranzistor aktiv invers rejimida ishlaydi, VT2 tranzistori esa to'yinish holatida bo’ladi. Ko’rib chiqilgan TTM elementi, soddalashtirilgan tayorlanish texnologiyasiga qaramay, past darajali xalaqit bardoshliligi, yuklamani past ko’tara olish qobiliyati va sig'im yuklamasi bilan ishlash mobaynida, kichik tezkorligi tufayli keng qo'llanilishda bo’lmadi.
Bu elementni faqatgina “tuzatish kiritadigan YOKI” funksiyasini amalga oshirish uchun, ochiq kollektorli mikrosxemalar tuzishda ishlatish maqsadga muvofiq bo’ladi, shuningdek yuqori xalaqit bardoshlilik va katta yuklama ko’tarish qobiliyati talab qilinmaydigan indikatsiya elementlarini ulanishi uchun ishlatish mumkin bo’ladi.

1.16-rasm. Oddiy invertorli TTM mikrosxema

TTM elementning bazaviy sxemasida 1.16-rasm sxemasiga nisbatan qo'shimcha komponentlari bo’lib, murakkab invertorni hosil qiluvchi VT3 va VT4 tranzistorlari hisoblanadilar (1.17-rasm). VD diodi, VT3 tranzistorining ochilish chegarasini kengaytiradi va shu bilan birga VT4 tranzistorining ochiq va to'yinish holatida ham, VT3 tranzistorining yo’piq holatini ta’minllab turadi. Murakkab invertorning qo’llanilishi, sxemaning xalaqit bardoshliligini va yuklama ko’tara olish qobiliyatini ta'minlaydi. Bu ko’rinishdagi bazaviy element (1.17-rasm), zamonaviy TTM - mantiqli mikrosxemalarni ishlab chiqishda asosiy deb hisoblanadi.

1.17-rasm. Murakkab invertorli TTM mikrosxema

TTM mikrosxemalari bilan bir qatorda TTMSH tipli mikrosxemalar ham ishlab chiqilgan, ularda tezkorlikni oshirish uchun, aktiv rejimida ishlovchi Shottki tranzistorlari qo’llanilgan. Shottki tranzistori bu, nochiziq teskari boglanishli oddiy integral n-p-n tranzistori bo’lib, Shottki diodi orqali hosil qilinadi.

TTMSH mantiq mikrosxemasi bazaviy elementi va Shottki tranzistorining ekvivalent sxemasi 1.18a,b - rasmda tasvirlangan bo’lib, TTM mantiq baza elementidan (1.17-rasmga qarang) VT6 Shottki tranzistori va R6 rezistorning mavjudligi bilan farq qiladi. Sxemaning bu qo’shimcha komponentlari, TTM mantiq elementiga xos xususiyat bo’lgan, ulab-uzish xarakteristikasining «sinishini» oldini oladi va bu o’z o’rnida sxemaning halaqit bardoshliligini oshiradi. Sxemadagi ulab-uzish xarakteristikasining «sinishini», 1.17-rasmda tasvirlangan, shu bilan shartlanganki, VT3 tranzistor «sinish» uchastkasida yo’piq holatda bo’ladi, madomiki, VT2 boshqaruvchi transistor, shu paytda ochilib bo’lgan bo’ladi. TTMSH mantiq sxemasidagi VT6 tranzistorining ulanishi, «sinish» uchastkasida, VT2 tranzistordagi kollektor tokini sezilarli darajada kamaytirish imkonini beradi. Bunda sxema chiqishidagi kuchlanish (1.18, a-rasm), qiymatigacha deyarli doimiy bo’ladi.