Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebranishlari qo'llaniladi

Mantiqiy integral mikrosxemalarning baza elementlari. Mantiqiy IMS seriyalarga birlashtiriladi. Har bir seriya asosida baza elementi bo’lib, VA-YO’Q yoki YOKI- YO’Q mantiqiy amallarini bajaradi. Ishlab chiqilayotgan mantiqiy mikrosxemaning funksional imkoniyatlari va xususiyatlari ahamiyatli darajada chambarchas bazaviy element parametrlariga bogliq bo’ladi.
Bazaviy elementlarning tuzilish prinsipiga ko'ra sanoatda ishlab chiqarilayotgan mantiqiy IMSlarni quyidagi asosiy guruhlarga birlashtirish mumkin:
- diod - tranzistorli mantiqiy elementlar (DTM);
- tranzistor - tranzistorli mantiqiy elementlar (TTM);
- tokning ulab-uzgichi asosidagi emittor bog'lamli element mantiqi (EBM);
- Injeksiya manbali elementlar (I²M);
- MDP – tranzistor asosli elementlar.
Diod - tranzistorli elementlar. DTM baza elementi (1.13.-rasm), VA-YO’Q mantiqiy amalni bajaradi. Barcha kirish diodlari musbat kuchlanish orqali yopilganda, invertor vazifasini bajaruvchi boshqaruvchi tranzistor, chiqishda past sathli signalni shakllantiradi va bu uning ochilishiga olib keladi.
Kirish diodlari juda kichik qiymatdagi to'g'ri qarshilikka ega bo'lishi kerak. Aks holda, ochiq dioddan tokning o'tishi natijasida kuchlanishning pasayishi, boshqaruvchi tranzistorning ochilishiga olib kelishi mumkin. Undan tashqari, diodlar butun mikrosxemaning tezkorligiga ta'sir ko’rsatmaslik uchun, yetarli darajadagi yuqori ishlash tezligiga ega bo'lishi kerak bo’ladi.
Sxemani bardoshliligini oshirish uchun, siljish diodlari VD_sil. yetarli darajada chegaraviy ochilish kuchlanishiga ega bo'lishi kerak bo’ladi, shuningdek, siljish zanjiri ochilgandan so'ng yo'qotishlarni kamaytirishi uchun, kichik to'g'ri qarshilikka ega bo’lishi kerak. DTM elementining yuklamaga chidamlilik qobiliyatini oshirish uchun, siljish diodlaridan birini kollektori umumiy nuqtaga ulangan R1^’ va R1^’’ rezistorli (1.14-rasm), tranzistorga almashtirish mumkin bo’ladi. R1^’ va R1^’’ rezistorlar bo’linma koeffitsiyentiga ega bo’lib, kuchlanish bo’lgichini tashkil etadilar.
Tranzistorning emitter o'tishi, siljituvchi diod vazifasini bajaradi. Bo’linma koeffitsiyenti ni kamayishi bilan, VT_sil tranzistorining emitter toki o'shadi, va bu tok shu bilan birga bir vaqtning o’zida VT boshqaruvchi tranzistorining baza toki hisoblanadi. Bunda sxemaning yuklamalarga chidamlilik xususiyati oshadi (tarqalish koeffitsiyenti), ammo lekin VT tranzistorining to’yinish darajasi ortadi. Bo’linma koefficienti ning optimal qiymati 0,6 – 0,7 ni tashkil etadi.
DTM elementining yuklamalarga chidamlilik xususiyatini oshirishning boshqa usuli bo’lib, sxemani chiqishida murakkab darajada tuzilgan invertorni qo’llash hisoblanadi (1.15-rasm).

1.14-rasm. DTM mikrosxema modifikatsiyasi

Murakkab darajada tuzilgan invertor – ozi’dan kalit rejimida ishlaydigan tranzistor asosli ikki taktli quvvat kuchaytirgichlarini qo’llash, mikrosxemaning yuklamalarga chidamlilik xususiyatini oshirishdan tashqari, VT1 tranzistorning emitter o'tishi, siljituvchi diod vazifasini bajarganligi sababli, uning yuqori xalaqit bardoshliligini saqlab turadi.

Sxema quyidagi tarzda ishlaydi. Agarda hech bo'lmaganda bitta kirish signali past sathga ega bo'lsa, VT1 tranzistor yopiq bo’ladi. VT2 tranzistorning holati, VT1 tranzistor holati bilan aniqlanadi: VT1 tranzistor yopiq bo'lsa, VT2 tranzistor ham yopiq bo’ladi, tarkibiy tranzistor (VT3-VT4) esa ochiq bo’ladi.

1.15-rasm. Chiqishida murakkab invertor o’rnatilgan DTM mikrosxema

Biroq murakkab darajada tuzilgan invertornli DTM elementida VT2 - VT3 zanjiridagi ulab – yzishlar hisobiga tok sakrashlari vujudga keladi va bu holat manba zanjiri bo’ylab bilinarli darajadagi xalaqitlarni paydo qiladi. Bu holatni oldini olish uchun, tokni cheklovli R5 rezistor yoqiladi.