Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebranishlari qo'llaniladi

26-Ma’ruza
MOP va KMOP-strukturali mantiqiy elementlar
Himoyalangan va zatvorli maydon tranzistorlari paydo bo‘lishi va keng qo‘llanilishi natijasida kelgusi porloq mantiqiy elementlar oilasiga asos solindi.
MDP-mantiq asosida, MOP-mantiq (MOPTL), MOP-tranzistorlarda sxemalar yaratildi. ularda mantiq nol ochiq tranzistor kuchlanishi 0,05-0,15V bipolyar to‘yigan tranzistorlar kabi maydon tranzistorlarida kichik mantiqiy bir birlik kuchlanish sifatida stok-istok yopiq tranzistorning sxema tok manbaiga yaqin kuchlanishi qabul qilinadi. SHunday qilib mantiqiy kuchlanish farqi tok manbai kuchlanishiga yaqin.
Nol va bir zanjirlar orasidagi farq bipolyar mantiq elemantida halaqitga qarshi bardoshligi sezilarli ortiq bo‘lib, DTL, TTL va aytiqsa ESTL, NSTL va I2L lar uchun MOP mantiqiy yana bir avzalligi, uning kirish (zatvorli) zanjiri amalda tok sarflamaydi. Kirish zanjirning keyingi zanjirga (yuklama) elementini. Ushbu yaycheykani kirish sig‘imini ortirishga olib keladi. Lekin aynan ushbu avzalligi – kirish zanjirining katta qarshilikka egaligi parazit sig‘imlarni zaryad va razryadlashni uzoqroq bo‘lishi MOP-mantiqining ESTL, TTL ga nisbatan tezkorligi kamligining sababidir.
12.19 a, b-rasmlarda ILI-NE va I-NE, yaycheykalarni MOP-tranzistorlarda indutsirlangan n-kanali tasvirlangan. Bu erda T3 tranzistorli dinamik yuklama vazifasini bajaradi. 12.19-rasmda T1 va T2 tranzistorlar parallel ulangan shuning uchun ularning har biridan mantiqiy birini yoyish mantiqiy nolga kirishni kamaytiradi, ya’ni sxema ILI-NE operatsiyasini bajaradi.
12.19, b-rasmdagi mantiqiy sxemada zanjirdagi tok va chiqish kuchlanishi kichik darajasi tranzistorni faqatgina tranzistorlarni (ushbu holda har ikkalasini) xammasini yopib bo‘lganidagina bo‘ladi. Ushbu holat mantiqiy bir birlikka mos keluvchi Yuqori darajadagi kuchlanishni bir vaqtning o‘zida hamma kirishlarga beriladi. Bundan ma’lum bo‘ladiki ushbu sxema I-NE funksiyasini bajaradi.
Sezilarli energiya sarfi bo‘lganidan dinamik yuklamaning MOP-mantiq ko‘p qo‘llaniladi kaplimentar tranzistorli (KMOPTL) MOP-tranzistorli mantiqning asosiy avzalligi uning chiqish kuchlanishi o‘zgarishi tok o‘zgarishiga bog‘liq bo‘lmaydi va nolga yaqin bo‘ladi. 12.19, v, g-rasm o‘n ikki xil tipik mantiqiy element sxemasi tasvirlangan bo‘lib ulardan KMOPTL strukturasida bir turli tranzistorlar parallel ulanganligi boshqa tipdagisi bilan ketma-ket ulangan: Mantiqiy funksiyani boshqaruvchi T1 i T2 «ostki qavat» tranzistorlarini ulanishi bilan aniqlanadi. Ko‘rilayotgan sxemada n-kanalli tranzistorlardan iborat. Agarda tok manbaini qutibini o‘zgartirsak «ostki qavatda» tranzistorlar p-kanalli bo‘ladi.


12.19-rasm
12.19, v-rasmda har ikkala mantiqiy kirishga x1=x2=Uz-i=0 kuchlanish berilgan bo‘lsin. Bunda n-kanalli T1 va T2 tranzistorlarda ular yopiq holatda bo‘lganligidan kanal hosil bo‘lmaydi. p-kanalli T3 va T4, tranzistorlarda esa aksiga U’z-i  E0 bo‘sag‘a kuchlanishidan (ortiq moduli) bo‘yicha bo‘lib kanal hosil bo‘ladi. Kanallar orqali T1 va T2, tranzistorlardan kichik toklar oqqanidan kanaldagi kuchlanish pasayishi ham juda kichik bo‘ladi. SHuning uchun chihish kuchlanishi tok manbai kuchlanishiga teng bo‘ladi bu esa (y=1) bir birlikni tashkil etadi.
x1 va x2 kirish hismlariga Uz-i=E0, potensial berilsa T1 (T2) tranzistorda kanal hosil bo‘ladi T3(T4) tranzistorida esa kanal yo‘qolib, tranzistor yopiq bo‘ladi. T3 (T4), tranzistordagi kichik qoldik tok T1 (T2), kanal orqali oqadi va unda nol (y=0) darajali kuchlanish pasayishi hosil bo‘ladi.
KMOPTL ning MOPTL ga nisbatan Yuqori iqtisodiyotligiga nisbatan avzalligi kichikligi kuchlanishiga egaligi va nisbatan tezkorligi bilan farqlanadi. 12.19, g-rasmdagi sxema Yuqorida aytilgan xususiyatlari bilan xarakterlanadi.