Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebranishlari qo'llaniladi

POTENSIAL MANTIQIY ELEMENT
22-Ma’ruza

Potensial mantiqiy elementlar (PME) ularning tasniflari va parametrlari

Xozirgi vaqtda integral sxemalarni (IS) ishlab chiqishdagi mantiqiy elementlar ko‘p tarqalgan:

• 
  Tranzistor-tranzistorli mantiq (TTM);
  
• 
  emitterli-bog‘langan mantiq (EBM);
  
• 
  integral-injektorli mantiq (I2L);
  
• 
  diod–tranzistorli mantiq (DTM);
  
• 
  bir turli maydon tranzistorli mantiq (n-MOP va p-MOP);
  
• 
  komplimentar maydon tranzistorli mantiq;
  

Xozirgi kunda IS keng tarqalgani TTM va uning turlari ushbu turdagi integral sxemalar o‘rtacha tezlikka ega va o‘rtacha quvvat sarfiga ega.
12.1-12.7-rasmlarda potensial mantiq elementlarining belgilanishi va bajarish funksiyalari keltirilgan.

12.1-rasm Invertor 12.2-rasm takrorlagich


12.3-rasm 12.4-rasm

12.5-rasm . 12.6-rasm


12.7-rasm. mod2 bo‘yicha summator
TTM tipli mantiqiy element
Mantiqiy elementlarni musbat (n-p-n tipli tranzistor) va manfiy (p-n-p tipli tranzistor) turlari bo‘ladi. Musbat «1» mantiq nisbatan katta, mantiqiy «0» – kuchlanish yoki tokni kichik qiymati. Manfiy mantiqda esa aksincha – elektr signalining mantiqiy «0» katta qiymati, kichigi esa mantiqiy «1» ga tegishli bo‘ladi. Ushbu tarif ixtiyoriy qutbdagi kuchlanish yoki tok yo‘nalishiga o‘rinli bo‘ladi. SHuni ta’kidlash lozimki, agarda mantiqiy qurilma musbat mantiqli bo‘lib «I» operatsiyasini bajarsa, manfiy mantiqda bu «ILI» operatsiyasini bajaradi va aksincha.
12.8-rasmda musbat mantiqda mantiq «0» va «1» larni potensial uslubda berilishi tasvirlangan:
- mantiqiy «0» daraja;
- mantiqiy «1» daraja;
.
12.8-rasm. Musbat mantiqiy ko‘rinishi
12.8-rasmda manfiy mantiqda mantiq «0» va «1» larni potensial uslubda berilishi tasvirlangan.
- mantiq «1» darajasi; - mantiq «0» darajasi; .
P otensial mantiqiy element (PME)ning dinamik tasnifi 12.10-rasmda tasvirlangan

12.9-rasm. Manfiy mantiqni ko‘rinishi

PME vaqt tutilishi impulsning old tutilishi orqa tutilishi frontlariga bog‘liq bo‘lib tenglamadan aniqlanadi va u ga teng.

ME ni yukka chidamligi uning bir nechta manbadan informatsiya olib, bir vaqtni o‘zida boshqa elementlarga informatsiya manbai bo‘lib xizmat qilishidir. YUkka chidimliliginison ko‘rsatkichlarini xarakterlash uchun ME – da ikkita koeffitsient qo‘llaniladi: m-shaxobchalanish va n-birlashish koeffitsientlari.


12.10-rasm. PME dinamik tasnifi

1. 
   m - shaxobchalanish koeffitsienti – berilgan seriya elementlari uchun kirish sonlari, qaysiki elementni chiqishiga ulashga ruxsat etilgan . Elementni yukka chidamliligi, uning chiqish qarshiligi ga bog‘liq.
   
2. 
   N - birlashish koeffitsienti – ushbu mantiqiy elementning kirish soni bilan xarakterlanadi (ikki va undan ortiq)
   

PME – ni statik tasnifi bo‘lib unda:
1) – elementning kirish tasnifi, mantiqiy element, qarshiligi bilan xarakterlanadi. - qarshiligi, past va Yuqori signal darajasida turlicha bo‘ladi, odatda katta signal darajasida katta bo‘ladi. YUklama chiqish tasnifi (12.11 rasmga qarang)
2) – uning og‘ish burchagi ME ni chiqish qarshiligi bilan aniqlanadi.


12.11-rasm. ME yuklama tasnifi
3) – MEning o‘tkinchi yoki amplitudali uzatish tasnifi. 12.12-rasmda musbat mantiqli TTL tipdagi invertirlovchi PME amplitudali uzatish tasnifi, 12.13-rasmda esa noinvertirlovchi PME uchun keltirilgan.


12.12- rasm. PME TTL tipdagi musbat mantiqli amplitudali uzatish tasnifi
Mantiqiy «1» dan gacha darajaga mos keladi.
Mantiqiy «0» dan gacha darajaga mos keladi.
AV – qismi kalitni qirqish zonasiga mos keladi, CD – qismi esa to‘yinish, VS–esa o‘tish sohasiga (aktiv rejimi, ). VS qismi qanchalik tik bo‘lsa, mantiqiy element sifati shuncha Yuqori bo‘ladi.
kirishda nol bo‘sag‘a darajasi signalni maksimal mumkin bo‘lgan ( ), qiymati bilan xarakterlanadi. Bo‘sag‘a darajasi «1» esa - minimal kirish signali ( ) qiymati bilan xarakterlanadi.
ME xalaqitga qarshiligi «0» uzatilishida uning kirish qismida eng yomon xolatni e’tiborga olib quyidagicha aniqlanadi: , bu erda ushbu seriya elementi uchun maksimal «0» daraja
ME xalaqitga qarshiligi «1» uzatilishida quyidagicha aniqlanadi 12.14-rasmga qarang.
ME xalaqitga qarshiligi ME ning kirish qismida mumkin bo‘lgan maksimal additiv xalaqitni aniqlaydi, qaysiki elementni boshqa holatga o‘tkazmaydi. Xalaqitga qarshi chidamlilik va turlicha bo‘lib, TTL ME lar uchun 1V gacha qiymatda bo‘ladi.


12.13-rasm. TTL tipdagi musbat mantiqli noinvertirlovchi amplitudali uzatish tasnifi