И В. С. Ямпольсний о основы автоматики и электронно- вычислительной техники нститутов



Download 1,31 Mb.
bet60/84
Sana03.12.2022
Hajmi1,31 Mb.
#877841
TuriУчебное пособие
1   ...   56   57   58   59   60   61   62   63   ...   84
Bog'liq
Untitled.FR11

АО о

1

DC

0

At о

2




1

A2 о

4




*=

43°—

в




30

A4 о

16




3f




&

07




/

Z ...

7 0




llD

1 to-

4>





Ъ

to

4Zb




i

4Zh




ъ




i













5.6



l/o-
Однако для пользователей наибольший интерес представляют программируемые ПЗУ, в которые они сами могут заносить необ­ходимую информацию. В серии К155 это микросхема К155РЕЗ. Ее функциональная схема показана на рисунке 5.6, а, а условное обозначение — на рисунке 5.7, б. В этих ПЗУ элементом связи между шинами Xt и К, является биполярный транзистор с вы­жигаемой перемычкой (рис. 5.7, а). При программировании в узлах, где должен быть записан 0, через транзистор пропускают импульс тока, достаточный для разрушения этой перемычки. Значительно большую емкость имеют программируемые ПЗУ на основе ТТЛ с диодами Шоттки, Так, ИМС К.556РТ4 имеет емкость 1024 бит (256 четырехразрядных слов), а К556РТ5 — 4096 бит (512 восьми­разрядных слов). Условно-графические обозначения этих микро­схем, широко используемых в , микроЭВМ, показаны на рисун­ке 5.7, в, г.
Наиболее универсальными являются ППЗУ — перепрограмми­руемые (репрограммируемые) ПЗУ на основе МДП структур с так называемым «плавающим затвором» (рис. 5.8, а). Из рисунка


10
11

13
ю
1S

5


  1. 7

ю

з_
2_
Г_
*5

1
U

3
ГТ
5
_6
и.
л

l=Af


10 3

~ T
U t

12_

2L

Еп

с..»

0

X/


AO

ПЗУ

1

A1




2

KZ




3

A3




4

A4




S






6

>1/




7
5




К155 РЕ 3


AO






AI




1

A2







A3




2

A4







AS




3

A6







A7




4

W










К556РГ4


11

AO






At




1

AZ




2

A3




3

A4




4

A5




5

A6




6

A 7




7






в

W

,













ИЗ






1/4










KSS6PTS


_9
Л

f4




S/02
Плавающий затвор


rj
4
3
2

11

ш

15

1±
15

UL
Ж

АО

ППЗУ

.

1




D/Q

2







3




1

4




г

5




3

6




4

7




5

8




6

9




7







8

V







з/с










20_

18

АО

ППЗУ




1
2




D/Q

3







4




1

5




2

6




3

7




4

8




5

9




6

А10




7







8

V1







V2







Ж










6_

5

11


К573РФ2




видно, что эта структура представляет собой полевой транзистор С индуцированным каналом и затвором, сформированным внутри диэлектрика. Затвор отделен от подложки слоем двуокиси кремния толщиной всего в 3...4 нм. Для записи 1 между истоком и под­ложкой прикладывается большое импульсное обратное напряжение, приводящее к лавинообразной генерации электронов в р — п-пере- ходе. Эти электроны, имея большую кинетическую энергию, проходят через тонкий слой диэлектрика и накапливаются на затворе. После снятия записывающего импульса обратного напряжения электроны уже не могут покинуть затвор, и их заряд создает потенциал, достаточный для индуцирования проводящего канала между истоком и стоком.
В накопитель включаются элементы памяти (рис. 5.8, б), пред­ставляющие собой два последовательно включенных транзистора: VT 1 — обычный транзистор, имеющий вывод от затвора, и VT2 транзистор с плавающим затвором. Когда на горизонтальную шину (разрешение считывания) поступит потенциал, открывающий УТ\, то в выходную шину У, потечет ток только в том случае, если в VT2была записана 1. Если на затворе VT2 заряд отсутствует (за­писан 0), то тока в вертикальной шине У/ не будет.
С течением времени в таких ППЗУ происходит самопроизволь­ное разрушение информации из-за рассасывания заряда с плаваю­щего затвора. Однако уже современная технология позволяет вы­пускать микросхемы, сохраняющие записанную информацию в течение 15 тысяч часов (2 года).
Потребитель имеет возможность стереть записанную в ППЗУ информацию и записать туда новую, т. е. перепрограммировать ПЗУ. Стирание информации происходит при ультрафиолетовом об­лучении кристалла через прозрачное окно в корпусе микросхемы. Процесс перепрограммирования достаточно длительный, так как облучение ведется около 30 мин. .Накопительные свойства МОП структур в процессе записи и стирания информации постепенно ухудшаются. Поэтому количество циклов перепрограммирования ограничено и обычно не превышает 100.
Подобные типы ППЗУ широко применяются в персональных микроЭВМ. На рисунке 5.8, в, г приведены условно-графическое обозначение и цоколевка распространенных микросхем ППЗУ, име­ющих информационную емкость 1 К(РФ1) и 2 Кбайт (РФ2).

Download 1,31 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   56   57   58   59   60   61   62   63   ...   84




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish