И В. С. Ямпольсний о основы автоматики и электронно- вычислительной техники нститутов

Интегральные микросхемы ХИМС) — это полупроводниковые изделия, состоящие из активных и пассивных элементов и соеди­нительных проводников, которые изготавливаются в едином техно­логическом процессе в объеме и на поверхности полупроводнико­вого материала. Все элементы ИМС объединяются в единое функ­циональное устройство и герметизируются в стандартном корпусе с необходимым числом выводов.
Сложность ИМС принято характеризовать степенью интеграции, определяющей количество элементов N в микросхеме: при Nговорят об ИМС первой и второй степени интеграции (малая ИС), при 10² С N ^ 10^а — третьей степени интеграции (средняя ИС), при 10^j4 — четвертой степени (большая ИС — БИС), микросхе­мы пятой и более высоких степеней называют сверхбольшими ИС—СБИС.
По технологии изготовления ИМС подразделяются на пленочные, полупроводниковые и гибридные. В первом случае пассивные и активные элементы выполняются в виде чередующихся пленок по­лупроводников, диэлектриков и проводников. Например, три чере­дующиеся пленки п—р—п образуют транзистор, пленка провод­ника с заданным удельным сопротивлением — резистор и т. д. Во втором случае элементы создаются в приповерхностном слое полу­проводникового кристалла с использованием процессов осаждения, ионной имплантации (обстрел пучков .ионов), избирательного вы­травливания или окисления отдельных участков (фотолитография через трафарет). На рисунке 2.15 приведен фрагмент сечения ИМС с МДП и биполярными транзисторами, выполненного по полупро­водниковой технологии. Видно, что биполярные структуры сложнее в изготовлении и занимают больше места (каждый биполярный транзистор необходимо изолировать от общей структуры, в то время как МДП-транзистор самоизолируется смещенным р—« пере­ходом). Поэтому ИМС с МДП структурами позволяют достичь

{
МОП ^ р-п-р

3J

1.