И В. С. Ямпольсний о основы автоматики и электронно- вычислительной техники нститутов

Светодиоды. При протекании прямого тока через л^од проиг- ходит инжекция нИнжектиро­ванные носители заряда рр^м^миируии При рекомбинации возмож­но'" излучение фотона hv, энергия которого равна изменению энергии электрона АЕ при его переходе с более высокого энергетического Уровдя на боде*Г~ Яиз к ии .Дл я" то го чтобы излучение гтотгадатго в диапазон длин волн видймЪго глазом света (0,45 мкмСХ<0,68 мкм), необходимы полупроводниковые материалы с шириной запрещенной зоны от 1,8 до 2,8 эВ. -Поэтому светодиоды изготавливают не на основе распространенных и дешевых кремния (Д£=1,1 эВ) или германия (ЛЕ=0,7 эВ), а в основном из редкого и дорогого арсенида-фосфида галлия. В зависимости от количества примесей можно в небольших пределах менять длину волны максимума излу­чения. Некоторые параметры светодиодов приведены в таблице 2.1.
Коэффициент полезного действия светоизлучающих диодов не­велик: только у инфракрасных диодов он достигает 5%, у осталь­ных КПД примерно в 100 раз меньше. Яркость свечения пропор­циональна прямому току. Диоды обладают высоким быстродейст­вием: при скачкообразном изменении прямого тока яркость изме­няется за время, меньшее 10 не.
Конструктивное исполнение светодиода сильно влияет на излу­чаемую мощность, так как в полупроводнике происходит погло-. щение части фотонов и полное внутреннее отражение света от поверхности. Для уменьшения внутренних потерь толщину проз­рачной области диода делают как можно меньше, а ее форму — полусферической. На рисунке 2.9 показаны конструкции плоского
зо

Цвет свечения	Инфра­ красный	Крас­ ный	Оран­ жевый	Жел- тый	Зеле­ ный