I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

Tok o’tkazuvchi qatlam 
Himoyalovchi 
qatlam 
Qatlam qarshiligi, Om/sm 
Au 
— — — 
0,03 

 0,04 
Cu 
Ni 
0,02 

 0,04 
Cu 
Ag 
0,02 

 0,04 
Al 
Ni 
0,1 

 0,2 
 
 
Yupqa qatlamli IS lar tayyorlashni texnologik marshruti 
 
Yupqa qatlamli RS-IS strukturasini tayyorlash. 
 
Printsipial elektr sxemasi: 
Yupqa qatlamli RC-IS topologiyasi: 9.18 rasm 
1-rezistor R(xrom) 
2- 
tok 
o‘tkazuvchi 
yo‘lchalar 
va 
kontakt 
maydonchalari (mis,tagida xrom qatlami) 
3- kondensatorning pastki qoplamasi (Al) 

---

 
168 
4-kondensatorning dielektrik qatlami (germaniy monooksidi GeO) 
5-kondensatorni ustki qoplamasi (Al) 
6-himoyalovchi qatlam(kremniy monooksidi SiO). 
Yupqa  qatlamli  RC-  strukturani  to‘siq  (maska)  yordamida  tayyorlashni  2  bosqichga 
bo‘lish mumkin: 
I.  Rezitsiv  va  tok  o‘tkazuvchi  qatlamlarni  hosil  qilish  vakuum  kamerasida 
uzluksiz jarayonda amalga oshiriladi. 
Xrom  qatlamini  uchirib  hosil  qilish  jarayonida  qoldiq  kislorod  bilan 
ta‘sirlashib, hosil bo‘lgan Cr qatlamining solishtirma qarshiligi ortadi. Taglik harorati 
200-250 
0
C  oralig‘ida  bo‘ladi.  Xrom  chanlatgichi  qizdirilganda  vakuum  sifati 
yomonlashadi, chunki uchirgich sirtidagi va xrom parchasidagi mavjud gazlar ajralib 
chiqadi.  Gaz  ajralishi  to‘xtagandan  so‘ng  vakuum  ko‘tarilib  yaxshilanadi.  Shundan 
so‘ng  to‘siq  olib  tashlanib  taglik  yuzasiga  va  tekshiruvchi  sirtga  xrom  qatlamini 
uchiriladi. Kerakli qalinlikdagi xrom qatlamini hosil qilingandan so‘ng , changlatgich 
to‘siladi  va  bu  taglik  o‘rniga  boshqa  taglik  o‘rnatiladi  va  xrom  qatlamini  hosil 
qilinadi(rezistorlar). 
Xromdan  farqli  holda  mis  moddasi  suyuq  holatdan  uchiriladi.  Mis  qiyin 
eruvchi metallar bilan o‘zaro ta‘sirlashmaydi. Qiyin eruvchi metallardan uchiruvchi 
sifatida molibden ishlatiladi, chunki mexanik ishlov berish nisbatan oson va issiklikni 
yaxshi  o‘tkazadi.  Misni  qizdirish  jarayonida,  uning  sochilishi  bo‘lmasligi  uchun 
bosqichma  -  bosqich  olib  boriladi:  avval  eritib  olinadi,  so‘ngra  uchiruvchidan 
o‘tayotgan tokni sekin asta oshirib boriladi to kerakli uchirish haroratiga erishguncha 
so‘ngra  to‘siq  ochiladi  va  taglikda  mis  qatlamini  hosil  qilinadi  (tok  o‘tkazuvchi 
qatlam va yo‘lchalar). 
Kondensator  va  himoyalovchi  qatlamlar  boshqa  qurilmada  hosil  qilinadi.  Bu 
usulda  taglikda  hosil  qilingan  rezistor  va  tok  o‘tkazuvchi  qatlamlarning 
parametrlarini  vakuum  kamerasidan  olib  tekshirish  va  to‘g‘rilash  imkonini  mavjud 
bo‘ladi. 
Himoyalovchi  SiO  -  monooksid  qatlamini  tantal  yoki  molibdenli  uchirgich 
yordamida  hosil  qilinadi.  Monooksid  juda  yuqori  adsorbsiyalash  xossasiga  ega 
bo‘lgani uchun, monooksid qatlamini hosil qilishdan oldin taglik qizdirilib, yutilgan 
gazlardan yaxshilab tozalanadi  vakuum yaxshilangandan so‘ng  taglikda monooksid 
qatlamini  hosil qilinadi.  
 

---

 
169